公开(公告)号：CN1913018A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610112584.7

申请日：2006-08-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 张复实 ,  石明 ,  易家祥 ,  刘学东 ,  赵福群 ,  陈子辉

IPC: G11B7/257 ,  G11B7/26 ,  C09K9/02

Abstract: 本发明公开了光致变色二芳烯化合物的新用途。发明人通过实验证实，以光致变色二芳烯化合物为掩膜层的近场超分辨率光存储光盘具有存储密度高，记录信息尺寸小等优点，实现超分辨近场光存储，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN1280284C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN03100552.7

申请日：2003-01-17

Applicant: 清华大学

Inventor： 张复实 ,  蒲守智 ,  刘学东 ,  周新红 ,  赵福群

IPC: C07D333/06 ,  C07D333/16 ,  C07D333/20 ,  C07D409/04 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B7/24088

Abstract: 本发明公开了一种多阶光存储介质及其制备方法与专用生产原料。一种用于多阶光存储的介质，可以是非晶态膜片，也可以是光盘。本发明首次利用二芳基乙烯类光子型记录材料作为多阶存储介质，并在非晶态膜片上成功实现了8阶光信息存储和在光盘上进行了4阶存储。

公开(公告)号：CN1743332A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510093042.5

申请日：2005-08-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 张复实 ,  陈子辉 ,  刘学东 ,  赵福群

IPC: C07D495/02 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明公开了一种光致变色二芳烯化合物及其制备方法与应用。本发明所提供的光致变色二芳烯化合物，结构如式I。本发明在尽量降低二芳烯分子量的同时引入了不对称基团，以降低分子的对称性，同时避免分子间其它作用力增强的可能性，如分子间的氢键。本发明光致变色二芳烯化合物熔点低，为－5℃，常温下为液体，具有较快的光反应速率、良好的抗疲劳性和双态稳定性，性质优良，具有广泛的应用前景，尤其在快速液态光开关材料中的应用。

公开(公告)号：CN1205206C

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN02125272.6

申请日：2002-07-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 张复实 ,  孙梵 ,  袁鹏 ,  赵福群 ,  郭浩波 ,  蒲守智 ,  周新红

IPC: C07D409/08 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明公开了一种不对称型二芳基乙烯类光致变色化合物及其制备方法与应用。本发明提供的不对称型二芳基乙烯化合物，具有式I或式II的分子结构式：其中，R1、R3为C1-4烷基；R2为4-甲氧基苯基；R4为H。一种制备上述化合物的方法，包括以下步骤：1)将等当量的全氟环戊烯和5-锂-2-R2-4-甲基噻吩或2-锂-3-甲基苯并噻吩反应制备相应的单取代全氟环戊烯；所述反应是在0℃条件下进行2-3小时后升至室温，中止反应；2)将3-溴-5-R-2-甲基噻吩或3-碘-5-R-2-甲基噻吩在N2保护下，冷却至-76℃—-80℃，加入n-BuLi，低温反应0.5-1.5小时，然后加入步骤1)得到的等当量的单取代全氟环戊烯，反应1～3小时后，分离得产物；其中，R为C1-4烷基、R2为4-甲氧基苯基。本发明的化合物可作为擦写光存储介质和分子开关得到广泛应用。

公开(公告)号：CN1439635A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN02100681.4

申请日：2002-02-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 张复实 ,  孙梵 ,  蒲守智 ,  郭浩波 ,  周新红 ,  袁鹏 ,  唐应武 ,  赵福群

IPC: C07D277/28 ,  C07D333/20 ,  C09K9/02 ,  G11B7/24

Abstract: 本发明的名称为短波长二芳基乙烯类化合物及其制备方法与应用，涉及一类有机光致变色材料及其制造方法与应用，特别是涉及一类有机光致变色二芳基乙烯类化合物及其制造方法与应用。本发明所提供的是式(I)化合物。本发明可广泛用作光信息存储材料及光致变色分子器件。