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公开(公告)号：CN106378710A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610861615.2
申请日：2016-09-28
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: B24B53/017 , B24B49/16
Abstract: 本发明公开了一种修整器进气系统以及抛光机，修整器进气系统包括：真空源；与真空源相连的真空管路；压缩空气源；与压缩空气源相连的压缩空气管路；压缩空气控制阀，压缩空气控制阀用于调节压缩空气管路输出的压缩空气压力；修整器，修整器形成有加载腔室，加载腔室选择性地与真空管路和压缩空气管路相连；压力传感器，压力传感器用于检测加载腔室的压力；控制器，控制器根据压力传感器的检测结果通过压缩空气控制阀调节压缩空气管路输出的压缩空气压力。这样可以使得修整器压力控制精确，精确的压力控制可以使得修整器对抛光垫进行适当的修整，从而可以改善抛光效果。
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公开(公告)号：CN106346317A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610815647.9
申请日：2016-09-12
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及加工制备蓝宝石晶片的方法，包括：使用第一磨料对蓝宝石衬底片进行双面研磨和清洗，以便得到蓝宝石晶片初品；以及使用第二磨料对清洗后的所述蓝宝石晶片初品进行抛光处理和清洗，以便得到蓝宝石晶片。该方法可以显著提高加工效率，缩短加工时间，同时可以进一步减少由不同抛光液切换时带来的损伤。
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公开(公告)号：CN106312780A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610859516.0
申请日：2016-09-28
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
CPC classification number: B24B29/02 , B24B55/00 , H01L21/67092
Abstract: 本发明公开了一种抛光设备，包括：抛光装置，所述抛光装置包括：抛光盘以及位于所述抛光盘上表面的抛光垫，所述抛光装置沿所述抛光垫的中心轴线方向旋转；清洗装置，所述清洗装置位于所述抛光装置的上方，所述清洗装置设有至少一个向所述抛光垫喷射水的喷水孔，所述喷水孔的喷射方向与竖直方向呈一定夹角且与所述抛光装置的旋转方向相对。根据本发明实施例的抛光设备，喷水孔的喷射方向与竖直方向呈一定夹角且与抛光装置的旋转方向相对，从而提高了清洗装置的清洗效果，避免了晶片被刮伤，提高了晶片的产品质量。
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公开(公告)号：CN106289040A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610872138.X
申请日：2016-09-30
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明提出一种用于晶圆铜层厚度多点测量的标定系统，包括：电涡流传感器；数据采集装置，采集电涡流传感器输出的采样信号；数据库模块，用于存储计算铜层厚度所需的多点标定表；上层控制系统，用于存储标定数据库，并接收数据采集装置传输的采样信号，并对采样信号进行数据处理后，根据选定的多点标定表计算晶圆表面铜层多点的厚度测量值，并对在计算完成后，上层控制系统根据测量点序，进行测量值与测量点坐标的一一匹配，并将匹配结果按照预设格式进行保存。本发明可以很好地消除测量过程中提离高度波动所造成的测量误差，从而保证测量准确度，同时具有简单可靠的优点。
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公开(公告)号：CN103252705A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310180057.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光设备。所述化学机械抛光设备包括：用于存放晶圆的晶盒装载装置；用于放置晶圆的晶圆过渡装置；第一机械手；化学机械抛光机；晶圆清洗装置，晶圆清洗装置包括具有第一容纳腔的第一本体、设在第一容纳腔内第一晶圆支撑组件和设在第一本体上的晶圆清洗组件；晶圆刷洗装置，晶圆刷洗装置包括具有第二容纳腔的第二本体以及设在第二容纳腔内的晶圆刷洗组件和第二晶圆支撑组件；晶圆干燥装置，晶圆干燥装置包括具有第三容纳腔的第三本体以及设在第三容纳腔内的晶圆干燥组件和第三晶圆支撑组件；和第二机械手。根据本发明实施例的化学机械抛光设备具有清洗效果好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102931115A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210391203.9
申请日：2012-10-15
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/66 , H01L21/673
Abstract: 本发明公开了一种晶圆在位检测装置、具有该晶圆在位检测装置的晶圆托架以及利用该晶圆在位检测装置进行晶圆在位检测的方法。所述晶圆在位检测装置包括：压力介质源，所述压力介质源用于提供具有预定压力的介质；多个检测孔，每个所述检测孔均通过管路与所述压力介质源相连，其中所述多个检测孔并联；压力检测器，所述压力检测器设在所述管路上且位于所述压力介质源与所述多个检测孔之间以便检测所述管路中的压力；和控制器，所述控制器与所述压力检测器相连以便根据所述压力检测器的压力检测值判断晶圆是否在位。根据本发明实施例的晶圆在位检测装置具有可靠性高、准确性高、结构简单、制造成本低等优点。
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公开(公告)号：CN102248486A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110209279.0
申请日：2011-07-25
Applicant: 清华大学
IPC: B24B53/00
Abstract: 本发明公开了一种抛光垫修整方法，所述抛光垫修整方法包括：利用修整器对抛光垫进行修整，其中在所述修整器的修整头从所述抛光垫的中心向所述抛光垫的外沿摆动的过程中，所述修整头的摆动频率、旋转速度和修整压力中的至少一个减小，且在所述修整头从所述抛光垫的外沿向所述抛光垫的中心摆动的过程中，所述修整头的摆动频率、旋转速度和修整压力中的至少一个增大。利用所述抛光垫修整方法对所述抛光垫进行修整可以使所述抛光垫上各处的磨损量保持一致，从而可以大大地改善所述抛光垫的均匀性、大大地延长所述抛光垫的使用寿命。
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公开(公告)号：CN101549484B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910083720.8
申请日：2009-05-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于抛光设备技术领域的一种内循环冷却抛光盘。该抛光盘主要由组合式抛光盘、旋转接头、内部管路系统和外部管路系统构成，组合式抛光盘由上盘和下盘组成，下盘上设置循环螺旋沟槽，包括进液螺旋沟槽和回液螺旋沟槽，两螺旋沟槽相互交错并成中心对称，两螺旋沟槽在最外圈汇合，进液螺旋沟槽的起始点设置通螺纹孔作为入水口，回液螺旋沟槽的起始点设置通螺纹孔作为出水口，下盘和上盘在外沿用螺栓联接，在组合式抛光盘内部形成循环沟槽。本发明的螺旋形循环沟槽易于加工，由于槽为中心对称结构，不影响整个盘的动平衡，冷却槽的入口和出口均设在抛光盘的中部，实现冷却液从抛光盘中部入、中部出的循环冷却，便于管路系统的布置。
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公开(公告)号：CN101554709A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910083589.5
申请日：2009-05-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及抛光设备技术领域，特别是关于一种电机内置式抛光机转台。支撑轴承安装于轴承座和托盘之间，抛光盘安装于托盘上，支撑轴承为托盘提供一个高精度的旋转支撑；中间轴两端分别与托盘和悬伸轴联接，形成转轴组件；直驱电机转子套装于中间轴上，直驱电机定子通过支撑盘与轴承座固联，直驱电机通过转轴组件驱动抛光盘；圆光栅和读数头分别安装在悬伸轴外端和轴承盖上，用以完成转台的反馈控制；集液槽安装于抛光盘外沿下方，挡液围栏套装在集液槽上，用于液体的收集。本发明所述抛光机转台结构紧凑、精度高、稳定性好且拆装方便可广泛应用于精密抛光设备。
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公开(公告)号：CN116606595B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202310513145.0
申请日：2023-05-09
Applicant: 华海清科股份有限公司 , 清华大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液和化学机械抛光方法，所述化学机械抛光液包括磨料、氧化剂、络合剂、缓蚀剂、表面活性剂和水；其中，所述表面活性剂包括脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、聚乙烯吡咯烷酮、八苯基聚氧乙炔或吐温‑80中的任意一种或至少两种的组合。本发明在抛光液中加入合适的表面活性剂，能够改善抛光液的分散稳定性，使表面活性剂吸附在磨粒的表面，从而改变磨料的表面性质，可有效去除抛光过程中的有机物残留和颗粒污染等，而且为第二步精抛提供了更好的抛光基础，防止粗抛后的残留物在精抛过程中对晶片造成损伤。
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