碳化硅外延生长设备的物料转移方法

    公开(公告)号:CN119685932A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411847740.9

    申请日:2024-12-16

    Abstract: 本发明提供一种碳化硅外延生长设备的物料转移方法,该方法可在向衬底片暂存腔室内加载衬底片前将衬底片暂存腔室恢复至常压,在向传输腔室内转移衬底片前将衬底片暂存腔室的压力调整至生长压力,在向外延片暂存腔室内转移外延片前,将外延片暂存腔室内的压力调整至生长压力,在向外延片暂存腔室内取出外延片前,将外延片暂存腔室内的压力恢复至常压。本发明提供的碳化硅外延生长设备的物料转移方法,在进行衬底片或外延片转移时仅需调整衬底片暂存腔室和外延片暂存腔室的压力,衬底片暂存腔室和外延片暂存腔室的空间较小,可以快速的进行压力调整,节省生长时间。而生长腔室始终保持生产压力,无需压力调整,可以更好的保障生长腔室的洁净度。

    一种用于碳化硅外延炉的连续生长装置

    公开(公告)号:CN119433695A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411857624.5

    申请日:2024-12-17

    Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅外延炉的连续生长装置,包括:传输腔室;衬底片暂存箱,设置在传输腔室的第一侧;衬底片装配腔,设置在衬底片暂存箱与传输腔室之间;第一分离台,设置在衬底片装配腔中;承载环,适于承载衬底片且设置在第一分离台上,用于实现衬底片与承载环的拼接和分离;外延片暂存箱,设置在传输腔室的第二侧;外延片冷却腔,设置在外延片暂存箱与传输腔室之间;第二分离台,设置在外延片冷却腔中,用于实现外延片与承载环的分离;机械臂,设置在传输腔室内;反应腔室,设置在传输腔室的第三侧。本发明可一次性导入多片晶片并连续生长提高了生产效率,晶片放置及传递全机械化减少了人工的干扰,提升产品良率并降低生产成本。

    一种适用于碳化硅厚外延生长的圆环及基座

    公开(公告)号:CN119392366A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411834051.4

    申请日:2024-12-13

    Abstract: 本发明涉及一种适用于碳化硅厚外延生长的圆环及基座,圆环包括:圆环本体,所述圆环本体的下端面设置有向下延伸的第一环形凸起,所述第一环形凸起的横截面宽度小于所述圆环本体的横截面宽度;所述圆环本体的上端面设置有向上延伸的第二环形凸起;所述第二环形凸起的横截面宽度小于所述圆环本体的横截面宽度但大于所述第一环形凸起的横截面宽度,所述第二环形凸起的横截面为三角形,且所述第二环形凸起的横截面高度从靠近所述圆环本体内壁面的一端向所述圆环本体外壁面的一端逐渐降低。该圆环使用斜边式圆环结构,可以降低生长时副产物堆积过高对气流的扰动和减少副产物颗粒掉落在晶圆表面的概率。

    一种用于汞CV掺杂浓度检测的兼容多尺寸晶圆平台

    公开(公告)号:CN119340230A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202411698124.1

    申请日:2024-11-26

    Abstract: 本发明公开了一种用于汞CV掺杂浓度检测的兼容多尺寸晶圆平台,包括:载物平台,载物平台上开设有若干个同心布置的环形槽,且每一环形槽对应一个规格尺寸的待检测晶圆的大小,每一环形槽内沿周向开设有若干个盲孔;晶圆承载柱,多根晶圆承载柱可拆卸地嵌入与待检测晶圆相同规格尺寸的环形槽的盲孔内,且晶圆承载柱的顶端高于载物平台的上表面,晶圆承载柱用于承载待检测晶圆。本发明在切换测试不同规格尺寸的待检测晶圆时,不需要将平台拆卸更换,只需拆移晶圆承载柱即可,省时省力,且不需要备多个尺寸的平台,节约成本,并且通过晶圆承载柱可将待检测晶圆撑起来以减少晶圆正面与载物平台之间的接触,可以减少因接触的原因造成晶圆表面的缺陷。

    一种海缆磨损隐患检测装置和方法

    公开(公告)号:CN114858058A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210677252.2

    申请日:2022-06-15

    Abstract: 本发明公开一种海缆磨损隐患检测装置和方法,包括:一种海缆磨损隐患检测装置,其特征在于,检测装置包括:激励源、铠装层、输出电缆、包覆光纤、连接光纤、POTDR设备;激励源通过输出电缆与海缆的铠装层连接,用于通过激励源对铠装层注入电流,POTDR设备通过连接光纤与海缆的包覆光纤连接,用于对光纤偏振态变化进行监测,根据光纤偏振态变化的突变位置,定位破损点准确位置。应用本发明可以在事故发生前对缺陷隐患进行预警,提醒运维人员对隐患进行及时处理。

    一种防止石墨气浮托盘摩擦卡滞的装置

    公开(公告)号:CN119615371A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202411847749.X

    申请日:2024-12-16

    Abstract: 本发明涉及一种防止石墨气浮托盘摩擦卡滞的装置,包括下半月件、中心转轴和气浮托盘,下半月件的横断面设置为下半圆环形;下半月件的顶面开设圆形的托盘凹槽,托盘凹槽的底面开设有台阶孔结构的第一圆形凹槽、第二圆形凹槽和通孔;第一圆形凹槽的顶部设置倒角,倒角处开设有通孔式的排气孔;下半月件的顶壁侧面开设进气孔,托盘凹槽处开设有出气孔,进气孔与出气孔连接;中心转轴设置为圆管状;中心转轴固定设置在第二圆形凹槽中;气浮托盘设置为圆盘状且底部设置圆环形的凸起,凸起转动设置在第一圆形凹槽中,并转动套设在中心转轴的外部;其能够通过排气孔排出颗粒粉末,避免托盘与下半月之间存在摩擦导致托盘无法旋转的现象。

    一种延长吸附式尾气处理设备中吸附剂使用寿命的方法

    公开(公告)号:CN119455588A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411847746.6

    申请日:2024-12-16

    Abstract: 本发明涉及一种延长吸附式尾气处理设备中吸附剂使用寿命的方法,包括以下步骤:在装置本体内设置多孔板,所述多孔板将装置本体分隔成填料区和进气悬空区,通过进气悬空区一侧的进气口进入尾气;尾气通过多孔板进入到填料区,通过填料区经吸附填料吸附后从排气口排出;在多孔板上部出现板结的情况下,在装置本体内设置升降柱塞组件,尾气通过升降柱塞组件进入填料区经吸附填料吸附后从排气口排出。本发明通过在装置本体内设置升降柱塞组件,能够在多孔板上部出现板结的情况下,继续保持进气,从而延长填料的实用寿命。

    一种小型电解水制氢设备无缓冲罐条件下自动调节供气的方法

    公开(公告)号:CN119433619A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411834049.7

    申请日:2024-12-13

    Abstract: 本发明涉及一种小型电解水制氢设备无缓冲罐条件下自动调节供气的方法,包括如下步骤:在制氢装置和使用终端之间的输送管路上,由上游至下游依次设置三通阀和压力变送器;根据使用终端的用气量手动调节制氢装置的功率和三通阀的旁通阀开度;根据使用终端的用气量通过PLC自动调节制氢装置的功率和三通阀的旁通阀开度。本发明通过小型制氢装置产生氢气在三通阀通过手动控制或PLC控制下,调节供气压力、制氢装置功率,稳定的给使用终端供给氢气,且最大限度减少氢气排放,减少电能消耗。

    一种用于碳化硅生长装置的涂层环

    公开(公告)号:CN119372775A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411834050.X

    申请日:2024-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅生长装置的涂层环,包括:环体,其正面为水平面,环体中部开设有与石墨托盘嵌合的通槽;环体内边缘包括圆弧面和竖直面,环体的竖直面形成与石墨托盘的凸起部平边相接触的定位平边;在靠近环体内边缘的位置处开设有4个盲孔,其中两个盲孔分别靠近环体的两个平边角处,另外两个盲孔均靠近环体的圆弧面处;固定柱,四根固定柱分别嵌入四个盲孔中,四根固定柱边缘与衬底边缘形成两个相切圆结构以将衬底定位在环体的水平面上,由此减少衬底外边缘与环体内边缘之间的接触面。本发明可以避免涂层环内边缘在外延生长过程中生长出副产物与衬底边缘粘住和导致涂层环内圆会逐渐缩小,取片碎片现象有明显改善,成本显著降低。

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