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公开(公告)号：CN119811981A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411783004.1
申请日：2024-12-06
Applicant: 海南大学三亚研究院
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅外延生长的预处理方法及其应用，涉及半导体技术领域。该预处理方法包括如下步骤：S1.将碳化硅衬底置于碳化硅外延系统反应室内；S2.调整反应压力和氢气流量，所述调整的方式为以下a)～c)的至少一种：a)保持反应温度不变，调整氢气流量，再保持反应温度和氢气流量不变，调整反应压力；b)保持反应温度和氢气流量不变，调整反应压力，再保持反应温度和反应压力不变，调整氢气流量；c)保持反应温度不变，同时调整氢气流量和反应压力；S3.利用氢气吹扫所述碳化硅衬底表面；S4.保持步骤S2调整后的所述氢气流量和所述反应压力不变，调整反应温度；S5.利用氢气吹扫所述碳化硅衬底表面。
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公开(公告)号：CN119640397A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411857621.1
申请日：2024-12-17
Applicant: 海南大学三亚研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅外延炉的连续生长方法，该方法通过设置有晶片传递机构的传输腔室设计替代人工放片，可一次性导入多片晶片并连续生长提高了生产效率，晶片放置及传递全机械化减少了人工的干扰，提升产品良率并降低生产成本；同时，本发明设置了与传输腔室连通的衬底片暂存箱和外延片暂存箱，暂存箱可存放衬底或外延片，并在各腔室之间设置闸板阀，在暂存箱打开时闸板阀升起以隔离外界与传输腔室的接触，保障腔室的洁净度；在暂存箱关闭后，闸板阀落下以实现腔室的连通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119685932A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411847740.9
申请日：2024-12-16
Applicant: 海南大学三亚研究院
Abstract: 本发明提供一种碳化硅外延生长设备的物料转移方法，该方法可在向衬底片暂存腔室内加载衬底片前将衬底片暂存腔室恢复至常压，在向传输腔室内转移衬底片前将衬底片暂存腔室的压力调整至生长压力，在向外延片暂存腔室内转移外延片前，将外延片暂存腔室内的压力调整至生长压力，在向外延片暂存腔室内取出外延片前，将外延片暂存腔室内的压力恢复至常压。本发明提供的碳化硅外延生长设备的物料转移方法，在进行衬底片或外延片转移时仅需调整衬底片暂存腔室和外延片暂存腔室的压力，衬底片暂存腔室和外延片暂存腔室的空间较小，可以快速的进行压力调整，节省生长时间。而生长腔室始终保持生产压力，无需压力调整，可以更好的保障生长腔室的洁净度。
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公开(公告)号：CN119433695A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411857624.5
申请日：2024-12-17
Applicant: 海南大学三亚研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅外延炉的连续生长装置，包括：传输腔室；衬底片暂存箱，设置在传输腔室的第一侧；衬底片装配腔，设置在衬底片暂存箱与传输腔室之间；第一分离台，设置在衬底片装配腔中；承载环，适于承载衬底片且设置在第一分离台上，用于实现衬底片与承载环的拼接和分离；外延片暂存箱，设置在传输腔室的第二侧；外延片冷却腔，设置在外延片暂存箱与传输腔室之间；第二分离台，设置在外延片冷却腔中，用于实现外延片与承载环的分离；机械臂，设置在传输腔室内；反应腔室，设置在传输腔室的第三侧。本发明可一次性导入多片晶片并连续生长提高了生产效率，晶片放置及传递全机械化减少了人工的干扰，提升产品良率并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN119392366A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411834051.4
申请日：2024-12-13
Applicant: 海南大学三亚研究院
Abstract: 本发明涉及一种适用于碳化硅厚外延生长的圆环及基座，圆环包括：圆环本体，所述圆环本体的下端面设置有向下延伸的第一环形凸起，所述第一环形凸起的横截面宽度小于所述圆环本体的横截面宽度；所述圆环本体的上端面设置有向上延伸的第二环形凸起；所述第二环形凸起的横截面宽度小于所述圆环本体的横截面宽度但大于所述第一环形凸起的横截面宽度，所述第二环形凸起的横截面为三角形，且所述第二环形凸起的横截面高度从靠近所述圆环本体内壁面的一端向所述圆环本体外壁面的一端逐渐降低。该圆环使用斜边式圆环结构，可以降低生长时副产物堆积过高对气流的扰动和减少副产物颗粒掉落在晶圆表面的概率。
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公开(公告)号：CN119392374A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411847744.7
申请日：2024-12-16
Applicant: 海南大学三亚研究院
Abstract: 本发明提供一种碳化硅外延生长设备，包括腔体、阀组、压力控制组件和物料转移机构。腔体内设置有生长腔室、传输腔室、衬底片暂存腔室和外延片暂存腔室。阀组包括设置在衬底片暂存腔室与传输腔室之间的第一开关阀、设置在生长腔室与传输腔室之间的第二开关阀和设置在外延片暂存腔室与传输腔室之间的第三开关阀。压力控制组件包括用于控制衬底片暂存腔室内压力的第一压力控制器和用于控制外延片暂存腔室内压力的第二压力控制器。物料转移机构设置在传输机构内。本发明提供的碳化硅外延片生长设备，在衬底片或外延片转移时仅需调整衬底片暂存腔室和外延片暂存腔室的压力即可，节省生长时间，且可以更好的保障生长腔室的洁净度。
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公开(公告)号：CN119370170A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411857626.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 海南大学三亚研究院
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅腔室石墨件保养用的转运装置，包括转运车、转运模具和防护盖，转运车上设有至少两个呈上下排列的托盘，每个托盘内放置一个转运模具，每个转运模具上设有多个用于放置不同类型石墨件且与其形状匹配的容纳槽，容纳槽与其内的石墨件处于贴合状态，每个转运模具上覆盖有一个防护盖以将容纳槽盖住，本发明设计了与石墨件配合的转运模具，每个石墨件放置在转运模具上对应的容纳槽内，石墨件之间不接触，石墨件与转运车之间也不接触，石墨件不会在转运过程中与转运车发生磕碰，稳定的运输环境确保了石墨件的物理结构完整，延长了石墨件的使用寿命；防护盖将石墨件罩住，避免在转运过程中石墨件的表面被沾染灰尘、碎屑等杂质。
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