一种金纳米棒的制备方法
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108356277B

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN201810157626.1

    申请日:2018-02-24

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种金纳米棒的制备方法,包括以下步骤:(1)将十六烷基三甲基溴化铵和油酸盐混合制备成溶液,再依次加入可溶性银离子溶液和HAuCl4水溶液,得到生长溶液,并将所述生长溶液均分为至少两份;(2)向步骤(1)中的一份生长溶液快速加入NaHB4水溶液,快速搅拌并静置后制得金种溶液;(3)向步骤(1)中的其他生长溶液加入酸溶液和抗坏血酸溶液,搅拌后快速加入步骤(2)的金种溶液,搅拌后静置;本发明简化了金种溶液的配置流程,提高工艺效率;制备全过程引入油酸盐,降低高毒配体十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的使用,降低毒性的同时也节约了生产成本。

    热注入法制备氧化镍掺锂纳米晶和氧化镍薄膜的方法

    公开(公告)号:CN108545787B

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201810440796.0

    申请日:2018-05-10

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种热注入法制备氧化镍掺锂纳米晶的方法,包含以下步骤:(1)将前驱体和掺杂元的混合溶液加热;(2)加热反应溶剂,并将步骤(1)的混合溶液热注入到反应溶剂中,在反应温度上保温后,得到氧化镍纳米晶溶液;(3)将步骤(2)得到氧化镍纳米晶溶液进行提纯,得到氧化镍纳米晶;本发明还公开了一种热注入法制备氧化镍薄膜的方法;本发明不需要复杂的体系,只需将适宜浓度的前驱体和掺杂元溶液在适宜温度注入反应溶液,萃取离心后即可得到提纯的纳米晶,旋涂、热处理和臭氧处理后可得到透明导电薄膜,操作简单、成本低,重复性高。

    LSPR辅助可兼顾不同量子点能量传递结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN108383081B

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201810167817.6

    申请日:2018-02-28

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了LSPR辅助可兼顾不同量子点能量传递结构,包括具有多个局域表面等离子激元共振峰的金属纳米颗粒,所述金属纳米颗粒外包覆二氧化硅壳层,所述二氧化硅壳表面覆盖一层氨基,所述氨基外吸附与所述金属纳米颗粒表面等离子共振峰耦合的量子点;本发明还提供了LSPR辅助可兼顾不同量子点能量传递结构的制备方法;本发明由于施主受主分别与不同的表面等离子激元共振峰耦合,使得受体光致发光显著增大,实现196.44%的增幅,而且制得的二氧化硅包覆金属纳米颗粒复合结构分散性好,工艺流程简单,制作成本低。

    一种低成本快速制备铜纳米线的方法

    公开(公告)号:CN108526480A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810220699.0

    申请日:2018-03-16

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: B22F9/24 B22F1/0025 B82Y40/00

    Abstract: 本发明公开了一种低成本快速制备铜纳米线的方法,包括如下步骤:(1)先将硝酸铜和氯化铜两种二价铜盐粉末混合,加入高分子长链有机胺十六烷,再加入还原糖和去离子水,得到混合液A;(2)将混合液A置于室温下搅拌9~11h,搅拌完成后再加热5~6h,得到混合液B;(3)将混合液B离心,并将底部的沉淀物用60~90℃去离子水在6000r/min~9000r/min下离心洗涤;本发明不但操作简单快速,可制备得到长径比优良的铜纳米线,而且成本相比现有技术降低9%~20%,反应速率提高10%~15%。

    一种基于目标面部表情采集的音乐自动播放系统及方法

    公开(公告)号:CN107145326A

    公开(公告)日:2017-09-08

    申请号:CN201710193334.9

    申请日:2017-03-28

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: G06F3/165 G06F3/011 G06K9/00302

    Abstract: 本发明公开了一种基于目标面部表情采集的音乐自动播放系统及方法,所述系统包括采集单元、处理单元和音乐播放单元;所述的采集单元用于获取用户面部情绪的视频信息,并将其传递给处理单元;所述的处理单元用于控制采集单元对用户的视频采集,把采集到的视频信息整合处理生成视频信号,再从整合后的视频信号中提取出用户的情绪信号,并将其传递给音乐播放单元;所述的音乐播放单元根据用户的面部表情变化实现音乐的自动播放。本发明系统及方法可以对目标进行面部情绪和心率的准确检测,并且根据用户的实时心理变化智能播放音乐,给用户以最好的体验。

    一种铜/银核壳结构纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN105618785A

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201610028723.1

    申请日:2016-01-15

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: B22F9/24 B22F1/0025 B22F1/025 B82Y30/00 B82Y40/00

    Abstract: 本发明公开了一种铜/银核壳结构纳米线的制备方法,包括以下步骤:(1)制备铜纳米线,清洗后散入水中;(2)向步骤(1)的混合液中加入硫脲,并充分搅拌;(3)配制硝酸银溶液,滴加到步骤(2)得到的混合液中,避光搅拌;(4)将步骤(3)的混合液过滤清洗后,得到铜/银核壳结构纳米线;本发明制备的铜/银核壳结构纳米线为银包覆均匀、致密的铜基纳米线;利用铜本身来还原生成银壳层,核壳结构结合紧密,纳米线的稳定性佳;采用制备方法简单且最终产物分散于酒精保存即可,制备和保存成本低。

    一种基于局域表面等离激元与量子点中激子强耦合的光源

    公开(公告)号:CN105261932A

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201510771197.3

    申请日:2015-11-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于局域表面等离激元与量子点中激子强耦合的光源,包括金属纳米颗粒和量子点的混合液以及激发所述混合液的脉冲激光器;所述混合液的制备方法包括以下步骤:(1)制备水溶性的金属纳米颗粒;(2)将步骤(1)得到金属纳米颗粒进行表面改性,以使其溶于油相,将改性后的金属纳米颗粒分散在溶剂中;(3)将半导体量子点加入步骤(2)得到的混合溶液中混合,得到金属纳米颗粒和量子点的混合液;本发明的光源的组成不需要复杂的体系,只需将适宜浓度的金属纳米颗粒和半导体量子点混合,用脉冲激光激发即可得到Rabi劈裂,得到强耦合光源,操作简单、成本低且重复性高。

    一种在硅片上引入位错的方法

    公开(公告)号:CN101882573A

    公开(公告)日:2010-11-10

    申请号:CN201010202367.3

    申请日:2010-06-13

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种在硅片上引入位错的方法,采用足以破坏硅晶格的能量束对硅片表面进行辐照,在辐照的区域引入密度可控的位错,位错的密度受能量束的能量强度控制,能量越大,引入的位错密度越大,位错的位置既可在硅片表面也可位于硅片内部,能量束可采用电子束、离子束、电磁波束、α射线束、中子束或光子束等。本发明实现了在硅片上可控的引入位错,操作简便,与现有集成电路工艺良好兼容,对硅片无破坏性、无沾污,可控性强,重复性高,有利于大规模工业生产。

    制备硫化镉-二氧化硅核壳结构三维光子晶体的方法

    公开(公告)号:CN100481523C

    公开(公告)日:2009-04-22

    申请号:CN200410018588.X

    申请日:2004-05-19

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开的制备硫化镉-二氧化硅核壳结构三维光子晶体的方法,包括采用化学水浴沉积法制备单分散硫化镉-二氧化硅核壳结构和再以单分散硫化镉-二氧化硅核壳结构自组装制备三维光子晶体。由于硫化镉是一种高折射率材料,在可见光区吸收较少,在二氧化硅球表面包覆硫化镉,可以提高折射率反差,将该复合结构自组装制备三维光子晶体,可以增强光子晶体的带隙特性,还可以通过改变核壳结构的核的半径和壳的厚度来调节光子带隙所处的位置。采用本发明方法可以得到具有强衰减宽带隙的光子禁带的三维光子晶体,其光子带隙性能显著增强。

    一种硅基表面电子发射器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN101286430A

    公开(公告)日:2008-10-15

    申请号:CN200810062159.0

    申请日:2008-06-03

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种硅基表面电子发射器件及其制备方法。该器件在n型硅衬底的正面沉积有SiO2或Al2O3薄膜层,在SiO2或Al2O3薄膜层上沉积有栅电极,在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极。其制备步骤如下:先清洗n型硅片;然后用热氧化法或化学气相沉积法或蒸发法或溅射法或溶胶-凝胶法在硅片上沉积SiO2或Al2O3薄膜;再在SiO2或Al2O3薄膜上溅射栅电极,在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明的硅基表面电子发射器件具有较高发射电子能量,高场发射稳定性好,可以用于制备场发射显示器。器件制备工艺简单,与现行成熟的硅器件平面工艺兼容。

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