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公开(公告)号：CN115985964A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211472090.5
申请日：2022-11-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及旁路超结绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件。该方法包括：在预制半导体结构形成沟槽并得到半导体结构，其中，沟槽自源极侧延伸入半导体结构；形成沿沟槽的内壁面延展的绝缘层；形成介电层，其中，绝缘层位于介电层与半导体结构之间；以及形成延伸电极，其中，介电层位于延伸电极与绝缘层之间。该方法可以形成具有较好阻断能力和长期可靠性的旁路超结绝缘栅场效应管。
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公开(公告)号：CN115955126A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211720852.9
申请日：2022-12-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 公开了一种串联拓扑结构功率模块，涉及电力电子技术领域，所述功率模块由功率单元串联而成，所述功率模块的电压均衡通过有源箝位控制策略来实现。公开的功率模块将低耐压电力电子芯片高密度的串联和并联在一起来提升功率模块的耐压和电流等级，其有益效果在于：提出的基于功率单元串联的高密度结构设计大幅降低模块功率主回路寄生电感；提出的功率模块及其结构设计避免了采用高耐压电力电子器件实现高耐压大电流功率变换时的高成本和高损耗劣势，还进一步提升了制作串联拓扑结构功率模块的良率。
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公开(公告)号：CN115084231B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210846369.9
申请日：2022-07-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种二极管及其制造方法，包括衬底层、半导体层、阴极层和阳极层，半导体层设置在衬底层上，阳极层设置在半导体层上，阴极层设置在衬底层上或设置在半导体层上，半导体层上还设置有若干组电场扩散层，每组电场扩散层间隔设置，且电场扩散层与半导体层形成肖特基接触，具有耐压性能高的优点，突破了器件电场集聚导致终端区域电场无法有效调制的瓶颈。
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公开(公告)号：CN115418725A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210899393.9
申请日：2022-07-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C30B33/02 , C30B29/38 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及退火工艺技术领域中的一种氮化硅薄膜热退火方法和装置，包括以下步骤：阶段式加热氮化硅薄膜至保温温度，进入保温过冲阶段；调整保温过冲阶段进入保温阶段，并使保温阶段的温度与保温温度相同；冷却氮化硅薄膜至调控冷却温度，进入调控冷却阶段，且调控冷却阶段的温度与调控冷却温度相同；自然冷却氮化硅薄膜至取晶温度，解决了现有功率器件在氮化硅退火工艺中开裂率高，良品率底的问题。
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公开(公告)号：CN113299735B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110515569.1
申请日：2021-05-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种带有斜坡的半导体器件终端结构及其制造方法，结构包括：由半导体经过干法刻蚀后形成的斜坡结构，位于半导体器件有源区的外围，长度大于100微米结构，高度小于10微米。还包括沟槽结构及填充介质，或者还包括注入结构或场板结构或其中任意组合。沟槽结构由半导体经干法刻蚀后形成，位于斜坡结构的外围；填充介质是位于沟槽结构中的填充材料；注入结构通过在半导体上进行离子注入形成，被注入区域中含有斜坡结构的表面；场板结构是通过在半导体表面引入导体形成，导体与半导体间可含有钝化层，导体覆盖区域含有斜坡结构的表面。本发明在实现同样耐压等级下消耗更小的芯片面积，可在碳化硅等难以湿法腐蚀、离子注入后难以热扩散的材料中广泛应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114256866A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111293987.7
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种光伏能驱动的电网发电、车辆充电及热泵热水器耦合系统，属于光伏发电系统。本发明利用光伏板将太阳能转化为电能，经逆变器系统转化后的电能可接入电网、给车辆充电或驱动家用热泵热水器中的压缩机和电动水泵，进而达到综合高效利用光伏能的目的。上述系统可有效降低家庭用电量，节省用电开支，减少碳排放。
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公开(公告)号：CN114254483A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111398601.9
申请日：2021-11-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G06F30/20 , G06F113/26 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提出一种半导体器件的电学和热学行为模拟方法，包括一种电热耦合模型，可用于快速计算半导体器件在大功率过程中内部各处的温度和压降随时间的变化规律，具体包括根据器件的几何结构参数、材料特性参数、静态电学特性、热阻抗特性建立器件的电学、热学模型；根据器件的电学、热学模型，建立电热耦合模型的电学支路和热学支路；根据电热耦合模型的电学支路和热学支路，以外加电流激励作为输入，计算电学支路中各元件压降和热学支路中各结点温度随时间的变化。本发明的模拟方法有助于迅速把握器件的行为特征，提升器件可靠性优化的效率，且相比于动态数值仿真具有更快的计算速度，相比传统RC热路模型更加贴合实际，具有更高的精度。
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公开(公告)号：CN114236968A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111562832.9
申请日：2021-12-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明公开了光刻工艺中用于降低光刻胶膜厚的方法，包含将晶圆放置于载台上并固定，电机控制载台旋转带动所述晶圆进行一定速度的旋转，同时EBR喷嘴移动至晶圆的圆心处并从晶圆上方向下喷EBR，液量达到设计量之后，EBR喷嘴移开晶圆表面，此时载台速度降低至低速旋转，且滴胶喷嘴移动至晶圆的圆心处并从晶圆上方向下滴胶，胶量达到设计值后，载台加速到高速旋转完成胶量均匀分布后降速至静止，完成匀胶过程。本工艺方法能解决因机台最高转速限制导致膜厚厚度不能降低的问题。
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公开(公告)号：CN114220848A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210162096.6
申请日：2022-02-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种快速开通的浮岛器件及其制造方法，包括表面层、底层和漂移区，漂移区包括若干组衬底层和若干组浮岛层，每两组所述衬底层之间设置有一组浮岛层，或每两组所述浮岛层之间设置有一组衬底层，在浮岛层中设置重掺杂反型区，具有消除空间电荷对电流的阻碍的优点，缓解了漂移区中有相反类型掺杂区域的浮岛器件在较低的偏压下不能够恢复导通能力的问题。
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公开(公告)号：CN113903814B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111516626.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种快速开通二极管和制造方法，包括阴极层、阳极层和衬底层，阴极层和阳极层设置在衬底层的同一表面，且阴极层和阳极层位于同一表面的两端，衬底层上镶嵌设置有第一反型掺杂层，且阳极层连接衬底层与第一反型掺杂层，衬底层上间隔镶嵌设置有若干第二反型掺杂层，衬底层上还设置有若干接触层，接触层连接衬底层与第二反型掺杂层，具有消除电流阻碍的优点，突破了在较低的正向偏压下不能够恢复正向导通能力的瓶颈。
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