公开(公告)号：CN107863379A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711051971.9

申请日：2017-10-30

Applicant: 济南大学

Inventor： 张春伟 ,  李阳 ,  李威 ,  岳文静 ,  付小倩 ,  李志明 ,  王靖博

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构，包括P型半导体衬底；P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱；P型阱上设有N型源区和P型接触区；N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层；在部分N型漂移区和部分P型阱上方设有栅氧化层；栅氧化层表面设有多晶硅栅；P型接触区和N型源区上连接有源极金属，且源极金属延伸至场氧化层的上方；N型漏区上连接有漏极金属；其特征在于，N型漂移区的内部设有场板辅助掺杂区，场板辅助掺杂区的掺杂类型为N型，且掺杂浓度大于N型漂移区的掺杂浓度。该结构可以改善场板覆盖范围内表面电场的均匀性，提高器件横向击穿电压，同时减小器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN107731642A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201711005738.7

申请日：2017-10-25

Applicant: 济南大学

Inventor： 付小倩 ,  杨明珠 ,  李阳 ,  李志明 ,  马骏 ,  艾贻博

IPC: H01J9/12 ,  H01J1/34

CPC classification number: H01J9/12 ,  H01J1/34

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN光电阴极原子级清洁表面的获得方法，包括如下步骤：(1)表面化学清洗；(2)热碱清洗；(3)刻蚀清洗；(4)Ar+溅射：将经过刻蚀清洗的AlGaN光电阴极进行Ar+溅射，溅射的时间为0.5-1.5分钟；(5)高温热清洗：将经过Ar+溅射的AlGaN光电阴极在700-720℃下进行清洗，清洗时间不少于30分钟，即获得AlGaN光电阴极原子级清洁表面。本发明通过将多种AlGaN光电阴极表面清洁操作有机组合，有效提高了AlGaN光电阴极表面的清洁效果，从而获得原子级清洁表面。