公开(公告)号：CN107731642A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201711005738.7

申请日：2017-10-25

Applicant: 济南大学

Inventor： 付小倩 ,  杨明珠 ,  李阳 ,  李志明 ,  马骏 ,  艾贻博

IPC: H01J9/12 ,  H01J1/34

CPC classification number: H01J9/12 ,  H01J1/34

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN光电阴极原子级清洁表面的获得方法，包括如下步骤：(1)表面化学清洗；(2)热碱清洗；(3)刻蚀清洗；(4)Ar+溅射：将经过刻蚀清洗的AlGaN光电阴极进行Ar+溅射，溅射的时间为0.5-1.5分钟；(5)高温热清洗：将经过Ar+溅射的AlGaN光电阴极在700-720℃下进行清洗，清洗时间不少于30分钟，即获得AlGaN光电阴极原子级清洁表面。本发明通过将多种AlGaN光电阴极表面清洁操作有机组合，有效提高了AlGaN光电阴极表面的清洁效果，从而获得原子级清洁表面。