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公开(公告)号：CN107845675B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201711052150.7
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：源极金属以及与源极金属相对的漏极金属，所述源极金属上连接宽度渐变型金属场板，所述宽度渐变型金属场板包括沿宽度方向排布的若干宽度渐变型金属层，每一个所述宽度渐变型金属层的宽度沿着源极到漏极的方向逐渐减小。该结构可以使场板上所感应的电荷在器件长度方向上分布更加均匀，从而使器件表面电场分布更加均匀，因此可以在保证器件导通电阻的条件下提高器件的横向耐压能力。
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公开(公告)号：CN107887427A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711036397.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861
Abstract: 本发明提出了一种带有可调型场板的高压二极管，包括阴极金属，阳极金属，场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电位和感应电荷量，使得漂移区内获得均匀的表面电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面电场分布，具有很高的耐压能力、很小的正向压降和很小的反向恢复时间。
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公开(公告)号：CN107863379A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711051971.9
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构，包括P型半导体衬底；P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱；P型阱上设有N型源区和P型接触区；N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层；在部分N型漂移区和部分P型阱上方设有栅氧化层；栅氧化层表面设有多晶硅栅；P型接触区和N型源区上连接有源极金属，且源极金属延伸至场氧化层的上方；N型漏区上连接有漏极金属；其特征在于，N型漂移区的内部设有场板辅助掺杂区，场板辅助掺杂区的掺杂类型为N型，且掺杂浓度大于N型漂移区的掺杂浓度。该结构可以改善场板覆盖范围内表面电场的均匀性，提高器件横向击穿电压，同时减小器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN107887426B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201711034819.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构，包括：N型半导体衬底，N型半导体衬底上设有P型漂移区和N型阱，在N型阱上设有P型源区、N型接触区和栅氧化层，在P型漂移区上设有P型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在N型接触区和P型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107871778A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201711032799.2
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底，P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱，在P型阱上设有N型源区、P型接触区和栅氧化层，在N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在P型接触区和N型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN107871778B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201711032799.2
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底，P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱，在P型阱上设有N型源区、P型接触区和栅氧化层，在N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在P型接触区和N型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN107845675A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711052150.7
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有宽度渐变型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：源极金属以及与源极金属相对的漏极金属，所述源极金属上连接宽度渐变型金属场板，所述宽度渐变型金属场板包括沿宽度方向排布的若干宽度渐变型金属层，每一个所述宽度渐变型金属层的宽度沿着源极到漏极的方向逐渐减小。该结构可以使场板上所感应的电荷在器件长度方向上分布更加均匀，从而使器件表面电场分布更加均匀，因此可以在保证器件导通电阻的条件下提高器件的横向耐压能力。
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公开(公告)号：CN107887427B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201711036397.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861
Abstract: 本发明提出了一种带有可调型场板的高压二极管，包括阴极金属，阳极金属，场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电位和感应电荷量，使得漂移区内获得均匀的表面电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面电场分布，具有很高的耐压能力、很小的正向压降和很小的反向恢复时间。
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公开(公告)号：CN107887426A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711034819.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构，包括：N型半导体衬底，N型半导体衬底上设有P型漂移区和N型阱，在N型阱上设有P型源区、N型接触区和栅氧化层，在P型漂移区上设有P型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在N型接触区和P型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。
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