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公开(公告)号：CN105132954B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201510519191.7
申请日：2015-08-20
Applicant: 河北工业大学
IPC: C25D3/56
Abstract: 本发明Sm‑Co/Fe‑Co系双相耦合磁性纳米线阵列的制备方法,涉及自溶液的金属粉末的电解生产，通过单槽双液直流电化学沉积法得到高沉积率的Sm‑Co/Fe‑Co系双相耦合磁性纳米线阵列，并对该双相纳米线阵列进行退火处理，最后得到具有较高综合磁性能的Sm‑Co/Fe‑Co系双相耦合磁性纳米线阵列产品，克服了现有技术制备Sm‑Co/Fe‑Co系双相纳米耦合材料的条件要求高，Sm‑Co二元合金纳米线沉积率低的缺陷。
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公开(公告)号：CN105132954A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510519191.7
申请日：2015-08-20
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明Sm-Co/Fe-Co系双相耦合磁性纳米线阵列的制备方法,涉及自溶液的金属粉末的电解生产，通过单槽双液直流电化学沉积法得到高沉积率的Sm-Co/Fe-Co系双相耦合磁性纳米线阵列，并对该双相纳米线阵列进行退火处理，最后得到具有较高综合磁性能的Sm-Co/Fe-Co系双相耦合磁性纳米线阵列产品，克服了现有技术制备Sm-Co/Fe-Co系双相纳米耦合材料的条件要求高，Sm-Co二元合金纳米线沉积率低的缺陷。
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公开(公告)号：CN101775562A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010107792.4
申请日：2010-02-10
Applicant: 河北工业大学
IPC: C22C49/04 , C22C49/14 , C22C47/08 , H01F41/02 , C22C101/10
Abstract: 本发明Mn-Al-CNTs型合金及其制备和应用方法，涉及锰基合金。该Mn-Al-CNTs型合金的组成成分按原子百分比为Mn50+xAl50-y(CNTs)y-x，其中x，y的限定范围为1≤x≤3，4≤y≤5，1≤y-x≤3；其制备方法是经原料的配置、熔化和熔炼，制得铸态合金，再经固溶和退火处理制得最终的Mn-Al-CNTs型合金产品；其应用方法是将Mn-Al-CNTs型铸态合金制备成退火态Mn50+xAl50-y(CNTs)y-x型合金薄带磁体。本发明进一步提高了Mn-Al系合金的磁化强度和矫顽力，从而进一步提高了Mn-Al系合金材料的永磁性能和机械加工性能。
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公开(公告)号：CN101430958A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810054197.1
申请日：2008-08-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明Sm(Co，M)7型合金薄带磁体的制备方法属于含稀土金属和磁性过渡金属的硬磁材料的磁体技术领域，包括：把组成式表示为SmCo7－xMx(CNT)y的熔体，该式中M为Hf、Ga或Si，CNT为碳纳米管，限定组成范围的符号以原子百分比计满足：0.05≤x≤1.6，0.01≤y≤0.1，在以10～60m·s－1的圆周速度旋转的冷却钼辊轮或铜辊轮上进行熔体快淬，由此制得具有40.0Am2·kg－1～105.0Am2·kg－1的质量磁化强度、在4.8MA·m－1外磁场充磁后具有480.0kA·m－1～1840.0kA·m－1的内禀矫顽力、在7.2MA·m－1外磁场充磁后具有480.0kA·m－1～2000.0kA·m－1的内禀矫顽力的Sm(Co，M)7型合金薄带磁体，其厚度为20～120μm，平均晶粒尺寸是10nm～200nm。碳纳米管作为理想的钉扎相稳定了Sm(Co，M)7型合金薄带快淬态及热处理态的相结构，优化了晶粒尺寸微结构，使该合金成为具有高矫顽力的实用永磁体。
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公开(公告)号：CN108660487A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810566689.2
申请日：2018-06-05
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: C25D1/006 , B82Y40/00 , C25D11/045 , C25D11/12 , C25D11/24
Abstract: 本发明为一种Nd-Fe-B磁性纳米线阵列的制备方法。该方法包括以下步骤：将氯化钕(NdCl3·6H2O)、氯化亚铁(FeCl2·4H2O)、硼酸(H3BO3)和去离子水混合，配制得到NdFeB合金溶液；再加入络合剂，得到沉积液；其中，络合剂为甘氨酸(NH2CH2COOH)、氯化铵(NH4Cl)和抗坏血酸(C6H8O6)；以石墨为阳极，AAO模板为阴极，以上一步制得的Nd-Fe-B沉积液为电解液，利用直流稳压电源，进行电化学沉积，最后得到Nd-Fe-B三元合金磁性纳米线。本发明所得纳米线数量巨大，沉积率高，纳米线平行排列，高度有序，线径均一，长径比很大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107488839A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710727983.2
申请日：2017-08-23
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: C23C18/1216 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/185 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C23C18/1291 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/345 , C25D3/562
Abstract: 本发明为一种(Fe-Co)-BaTiO3芯-管复相多铁材料的制备方法。该方法采用模板法-溶胶凝胶法-直流电化学沉积法相结合技术，在AAO模板上沉积Fe-Co纳米线之前，首先以AAO模板的孔径为依附体制备了BaTiO3纳米管，然后再沉积Fe-Co纳米线，其中BaTiO3纳米管为铁电相，Fe-Co纳米芯为铁磁相，利用铁电相的压电效应和铁磁相的压磁效应，从而制得(Fe-Co)-BaTiO3芯-管复相多铁材料。本发明工艺简单，成本低且成功率高，产品孔结构参数即孔的直径、长度及孔间距可调，烧结质量高，具有良好的铁电性和铁磁性，适用于作为新型的复相多铁材料。
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公开(公告)号：CN107460505A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710727978.1
申请日：2017-08-23
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种Tb-Fe-Co三元稀土合金磁性纳米线薄膜的制备方法。该方法是在水溶液中利用电化学沉积的方法制备Tb-Fe-Co纳米线薄膜，通过将甘氨酸加入Tb-Fe-Co溶液体系中，甘氨酸与Tb形成络合物，还原电位正移，同时增大pH值，减弱析氢反应，从而将Tb3+从溶液中还原出来。本发明工艺简单，成本低且成功率高，可以通过控制电解液成分比例及沉积工艺条件来调节合金沉积膜的组成。
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公开(公告)号：CN104087976B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410312165.2
申请日：2014-07-02
Applicant: 河北工业大学
IPC: C25D3/56
Abstract: 本发明Sm-Co合金非晶磁性纳米线阵列的制备方法的技术方案，涉及钴作主要成分的非晶态合金，将用100mL去离子水配制得到的摩尔浓度配比为SmCl3·6H2O∶CoCl2·6H2O∶H3BO3∶甘氨酸∶抗坏血酸＝0.5～1.8∶2～5∶5～10∶4～8∶3～7的电解沉积液放入专用的Sm-Co合金非晶磁性纳米线沉积装置的电解沉积槽中进行纳米线的沉积，再对沉积的Sm-Co合金非晶磁性纳米线阵列进行退火处理，制得Sm-Co合金非晶磁性纳米线阵列产品。本发明方法克服了现有技术中Sm-Co合金纳米线即Sm-Co合金非晶磁性纳米线阵列沉积率低的缺陷。
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公开(公告)号：CN104087976A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410312165.2
申请日：2014-07-02
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明Sm-Co合金非晶磁性纳米线阵列的制备方法的技术方案，涉及钴作主要成分的非晶态合金，将用100mL去离子水配制得到的摩尔浓度配比为SmCl3·6H2O∶CoCl2·6H2O∶H3BO3∶甘氨酸∶抗坏血酸＝0.5～1.8∶2～5∶5～10∶4～8∶3～7的电解沉积液放入专用的Sm-Co合金非晶磁性纳米线沉积装置的电解沉积槽中进行纳米线的沉积，再对沉积的Sm-Co合金非晶磁性纳米线阵列进行退火处理，制得Sm-Co合金非晶磁性纳米线阵列产品。本发明方法克服了现有技术中Sm-Co合金纳米线即Sm-Co合金非晶磁性纳米线阵列沉积率低的缺陷。
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公开(公告)号：CN101620928B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910069267.5
申请日：2009-06-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明Sm(Co，Cu，Fe，Zr)z型合金薄带磁体的制备方法，涉及含稀土金属和磁性过渡金属的硬磁材料的磁体，步骤是：把化学组成式表示为Sm(CoxCuyFeuZrv)z的熔体，通过熔体快淬炉或真空熔炼快淬连续炉在以5～40m/s的圆周速度旋转的冷却钼辊轮或铜辊轮上进行熔体快淬，由此制得Sm(Co，Cu，Fe，Zr)z型熔体薄带，将该熔体薄带破碎成粉末，然后在大于1T的磁场中压制成块体，再在冷等静压机中致密化，最后进行热处理，本发明方法提供了三种热处理工艺，由此得到具有不同特性的实用的块状的Sm(Co，Cu，Fe，Zr)z型合金薄带磁体。
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