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公开(公告)号：CN105869921A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610209243.5
申请日：2016-04-06
Applicant: 武汉理工大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G11/86 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01G11/26 , H01G11/32 , H01G11/36
Abstract: 本发明提供了一种微图案化碳?碳纳米管复合材料电极微加工工艺，包括以下步骤：(1)对碳纳米管进行表面改性制得光刻胶?碳纳米管复合材料；(2)对光刻胶?碳纳米管复合材料进行紫外光刻等半导体微加工工艺，制得微图案化光刻胶?碳纳米管复合材料微结构；(3)最后将微图案化光刻胶?碳纳米管复合材料微结构经过热解碳化过程制得微图案化碳?碳纳米管复合材料电极。该工艺简单易操作，成本低，可应用于大规模生产，具有较好的机械性能、较高的化学稳定性、较优异的电导性和较好的电化学性能。本发明所制得的微图案化碳?碳纳米管复合材料电极可作为电极应用于微型超级电容器。
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公开(公告)号：CN104627957A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510076789.3
申请日：2015-02-12
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种热解碳微结构电极的制作工艺及其电性能表征方法，包括紫外光刻、热解碳化、掩膜制作、金属电极沉积、剥离浮脱和电性能表征，利用光刻胶的感光性能，通过紫外光刻工艺、半导体加工工艺、惰性气氛下的热解碳化工艺以制作图案化的热解碳微结构；然后通过掩膜制作、金属电极沉积、剥离浮脱工艺，使拟制作电极的部位精确得到电极，制作成与碳微结构相集成的金属电极；通过四探针法，对电性能进行表征。本发明提出了一种基于C-MEMS的优化工艺以制作图案化的热解碳微结构，该工艺融合利用了半导体领域的相关技术与四探针法，工艺简洁、相关技术成熟，可应用于大规模生产，所得到的热解碳微结构有着较好的电性能。
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公开(公告)号：CN113437369B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110571481.1
申请日：2021-05-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种基于重构外延相的镍锌微电池及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将硫酸镍、硫酸铜、硼酸加入到去离子水中，得到电镀液；将电镀液作为电解液，在第一三电极体系下进行镍铜合金的共沉积与部分刻蚀，得到纳米多孔镍微电极；在第二三电极体系下，将纳米多孔镍微电极置于氢氧化钾溶液中进行重构活化，得到重构多孔镍微电极；对重构多孔镍微电极进行原位还原，得到锌化后的纳米多孔镍微电极；以锌化后的纳米多孔镍微电极作正极，电镀锌微电极作负极，配加碱液以及PDMS封盖处理，组装得到基于重构外延相的镍锌微电池。本发明制备的镍锌微电池具备超高倍率性能与电化学稳定性。
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公开(公告)号：CN108807007B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810898436.5
申请日：2018-08-08
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种三维纳米线状孔碳材料，其厚度在2‑4μm，其上存在有纳米线状大孔，孔直径为80‑120nm，所述的孔相互搭接形成网络结构，所述的纳米线状大孔的孔槽内有大小2‑5nm的介孔以及2nm以下的微孔，其中大孔由氧化锌纳米线还原蒸发产生，介孔与微孔在大孔管壁上由氧化锌纳米线活化产生。本发明有益效果是：通过廉价氧化锌纳米线进行活化，形成相互连接的三维孔洞结构，有利于电解液的浸润。大孔‑介孔‑微孔等多级孔道结构，增加碳材料比表面积。微型超级电容器面积容量高，循环稳定性高。使用高浓度双三氟甲烷磺酰亚胺锂电解液，可扩展水系微型超级电容器的电压窗口，提高器件能量密度，具有工艺简单、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN106024693B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201610336237.6
申请日：2016-05-20
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具及其应用，所述包括第一夹板、第二夹板、第一滑杆、第二滑杆和手柄，第一夹板和第二夹板平行设置；第一滑杆一端垂直的固定在第一夹板上，另一端配合的穿过第二夹板；第二滑杆一端垂直的固定在第二夹板上，另一端配合的穿过第一夹板；手柄固定在第一滑杆或第二滑杆上，第一夹板和第二夹板相互正对的一面上分别设有相互配合的卡槽。第一夹板、第二夹板、第一滑杆、第二滑杆和手柄均由铁氟龙材料加工而成。该夹具结构简单、夹取方便；该夹具可以应用于半导体微纳器件的清洗、刻蚀、显影、润洗、去胶等湿法工艺中，效率高，操作方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105990107B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510098596.8
申请日：2015-03-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明专利提供了一种掺杂磷的N型锗纳米线的低温低压生长方法及拉曼光谱表征方法，以GeH4/H2作为锗纳米线生长的前驱体，以PH3/Ar作为掺杂源气体，在金纳米颗粒的催化下，利用低压化学气相沉积(LPCVD)于低温下在硅基板上制得大面积的有序高密度掺杂磷的N型锗纳米线，所述金纳米颗粒通过电子束蒸发获得；所述掺杂磷的N型锗纳米线通过拉曼光谱进行表征。本发明专利利用半导体领域的相关技术和微纳米结构的合成方法，能在低温低压条件下于硅基板上获得高密度大面积的锗纳米线阵列，工艺简单，并可利用拉曼光谱对掺杂磷后的锗纳米线进行有效的表征。
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公开(公告)号：CN105990107A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510098596.8
申请日：2015-03-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供了一种掺杂磷的N型锗纳米线的低温低压生长方法及拉曼光谱表征方法，以GeH4/H2作为锗纳米线生长的前驱体，以PH3/Ar作为掺杂源气体，在金纳米颗粒的催化下，利用低压化学气相沉积(LPCVD)于低温下在硅基板上制得大面积的有序高密度掺杂磷的N型锗纳米线，所述金纳米颗粒通过电子束蒸发获得；所述掺杂磷的N型锗纳米线通过拉曼光谱进行表征。本发明利用半导体领域的相关技术和微纳米结构的合成方法，能在低温低压条件下于硅基板上获得高密度大面积的锗纳米线阵列，工艺简单，并可利用拉曼光谱对掺杂磷后的锗纳米线进行有效的表征。
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公开(公告)号：CN105910869A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610472373.8
申请日：2016-06-23
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G01N1/28
CPC classification number: G01N1/28
Abstract: 本发明公开了一种用于快速制备扫描电子显微镜样品的笔刀及其方法，包括笔式握杆，所述笔式握杆的一端安装有带螺纹的硬质切头，所述笔式握杆的另一端安装有带螺纹的旋盖，所述笔式握杆中部安装推动装置；当所述带螺纹的硬质切头切出方形铝箔样品时，所述推动装置对方形铝箔样品施加作用力以使其脱离带螺纹的硬质切头。本发明使用带螺纹的硬质切头切取样品，能够切出尺寸整齐统一、小尺寸、不同尺寸的样品，提高了制样效率，并且极大减少了样品的污染途径。
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