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公开(公告)号：CN112838157B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202110195463.8
申请日：2021-02-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明公开了一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法，包括步骤1，SnTe掺Ge热电材料的熔炼和步骤2，SnTe掺Ge热电材料的烧结。一种SnTe掺Ge热电材料的应用，在823 K的温度下，塞贝克系数高达126‑129µVK‑1，功率因子为20‑24µWm‑1K‑2，热导率低至2.69‑3.15 WK‑1m‑1，热电优值ZT在0.58‑0.62之间。相对于现有技术，本发明具有以下优点：相对于现有技术，本发明具有以下优点：1、所得SnTe掺Ge热电材料具有结晶度高、杂质少、致密度高以及具有塞贝克系数大，热导率低，热电性能提高幅度大的特性；2、制备方法具有原料市售可得，成本低廉，反应周期短，反应过程低能耗，低污染，工艺操作简单，可重复性高和具有可控性强的特点。
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公开(公告)号：CN113398904B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110491960.2
申请日：2021-05-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J21/06 , B01J27/057 , B01J35/00 , B01D53/86 , B01D53/72
Abstract: 本发明公开了一种中低温光热电协同催化氧化VOCs的催化剂的制备方法及应用，首先通过热电材料对二氧化钛纳米管外表面修饰，然后利用真空辅助超声浸渍的方法结合焙烧等工艺制备了热电材料表面修饰的二氧化钛纳米管限域过渡态金属氧化物活性组元的中低温光热电协同催化氧化VOCs的催化剂，构建热电‑限域协同光热催化氧化构效体系，充分利用光能、热能及电能之间的相互作用，光‑热‑电协同来有效调控纳米管限域组元的催化特性从而实现对内嵌过渡态金属氧化物活性组元的电子特性与结构的调控，实现光能利用的最大化及性能的最优化，实现中低温高效快速催化氧化VOCs。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114300609A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111531548.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性异形厚膜热电器件的制备方法，通过改变半导体温差发电器件(TEG)内部的热电臂的柔性和异形，一方面可以利用硒化银等热电材料的优异的力学性能，一方面节省原料和提高热电转换性能，提升器件的输出功率，在经过热压焊接工艺来制得具有高输出功率的柔性异形厚膜器件，解决了现有技术采用矩形热电臂的热电发电机热导率较高、生产成本较高、薄膜柔性型的热电发电器件的输出功率低和刚性器件难以应用到可穿戴设备上的问题。
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公开(公告)号：CN113399665A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110500932.2
申请日：2021-05-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备NbFeSb块体热电材料的方法，利用微波合成法合成合金然后用研钵粉碎，再放入行星式球磨机中进行球磨，再经放电等离子烧结得到NbFeSb基热电材料。工艺简单，易于操作，且效率高，不会对环境产生危害，不会产生二次污染为NbFeSb热电材料的制备探究了一种新的方法。
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公开(公告)号：CN113398904A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110491960.2
申请日：2021-05-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J21/06 , B01J27/057 , B01J35/00 , B01D53/86 , B01D53/72
Abstract: 本发明公开了一种中低温光热电协同催化氧化VOCs的催化剂的制备方法及应用，首先通过热电材料对二氧化钛纳米管外表面修饰，然后利用真空辅助超声浸渍的方法结合焙烧等工艺制备了热电材料表面修饰的二氧化钛纳米管限域过渡态金属氧化物活性组元的中低温光热电协同催化氧化VOCs的催化剂，构建热电‑限域协同光热催化氧化构效体系，充分利用光能、热能及电能之间的相互作用，光‑热‑电协同来有效调控纳米管限域组元的催化特性从而实现对内嵌过渡态金属氧化物活性组元的电子特性与结构的调控，实现光能利用的最大化及性能的最优化，实现中低温高效快速催化氧化VOCs。
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公开(公告)号：CN108821771A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810534585.3
申请日：2018-05-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626 , C01B19/00 , C30B28/04 , C30B29/46 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种高热电性能银硒三元化合物多晶块体材料的制备方法，利用水热反应法合成AgxMSey(M选自Sn、Cr、Bi、Ga和Al中的任一种)黑色纳米粉体，进一步在气氛管式炉中进行热处理，再通过石英管真空封管后高温下掺杂卤素原子，优化其热电性能，再经过热压烧结工艺来制得具有高热电性能的AgxMSey多晶块体材料，本方法合成工艺简单，所用原材料资源丰富，产物纯度较高，样品中高温性能稳定，是具有高热电性能的温差发电材料。
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公开(公告)号：CN108767103A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810533904.9
申请日：2018-05-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能P型α‑MgAgSb基热电材料及其制备方法，原料组成为Mg1‑xZnxAgSb，选取的材料价格相对低廉，制备方法简单，绿色环保，可大规模快速制备得到纯相的p型α‑MgZnAgSb热电材料，该材料可重复性高，热稳定性和机械强度好，在473K，材料的热导率为0.757W/(m*k)，为目前该体系的最低值，ZT为1.5，为目前该体系的最大值，解决了传统高温熔炼和两步高能球磨法中Mg元素的挥发、封管条件复杂、杂质含量较高，高能球磨价格昂贵的问题。
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