公开(公告)号：CN108821771B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201810534585.3

申请日：2018-05-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘呈燕 ,  王秀霞 ,  苗蕾 ,  伍少海

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C01B19/00 ,  C30B28/04 ,  C30B29/46 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种高热电性能银硒三元化合物多晶块体材料的制备方法，利用水热反应法合成AgxMSey(M选自Sn、Cr、Bi、Ga和Al中的任一种)黑色纳米粉体，进一步在气氛管式炉中进行热处理，再通过石英管真空封管后高温下掺杂卤素原子，优化其热电性能，再经过热压烧结工艺来制得具有高热电性能的AgxMSey多晶块体材料，本方法合成工艺简单，所用原材料资源丰富，产物纯度较高，样品中高温性能稳定，是具有高热电性能的温差发电材料。

公开(公告)号：CN108439354A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810246123.1

申请日：2018-03-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 苗蕾 ,  伍少海 ,  刘呈燕 ,  王潇漾 ,  王秀霞 ,  高杰

IPC: C01B19/04

CPC classification number: C01B19/007 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04

Abstract: 本发明公开了一种金属硒化物纳米粉体的制备方法，运用水合肼对硒源进行活化处理，通过冷凝回流法来制备硒化物纳米粉体，可准确控制硒化物粉体的组成和纳米形貌，得到的硒化物纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度，有利于提高硒化物的光催化能力。

公开(公告)号：CN108821771A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810534585.3

申请日：2018-05-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘呈燕 ,  王秀霞 ,  苗蕾 ,  伍少海

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C01B19/00 ,  C30B28/04 ,  C30B29/46 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种高热电性能银硒三元化合物多晶块体材料的制备方法，利用水热反应法合成AgxMSey(M选自Sn、Cr、Bi、Ga和Al中的任一种)黑色纳米粉体，进一步在气氛管式炉中进行热处理，再通过石英管真空封管后高温下掺杂卤素原子，优化其热电性能，再经过热压烧结工艺来制得具有高热电性能的AgxMSey多晶块体材料，本方法合成工艺简单，所用原材料资源丰富，产物纯度较高，样品中高温性能稳定，是具有高热电性能的温差发电材料。