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公开(公告)号：CN103601433A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310602583.0
申请日：2013-11-25
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备污水处理用高效除磷材料的方法。（1）将粘土、普通水泥、熟石灰和油页岩渣在105℃下干燥12-24小时；（2）将步骤（1）干燥后的粘土120-180克、普通水泥40-60克、熟石灰80-120克和油页岩80-120克，加水190-280ml，利用曝气装置通入0.2L/min空气，充分搅拌10-25分钟，即获得混合物；（3）放入造粒机制成粒径为3.5~4.5mm颗粒；（4）在105℃干燥12~24小时，即获得污水处理用高效除磷材料。本发明搅拌时通入空气，可增加污水处理用高效除磷材料的孔隙率和比表面积；水泥的CaO对磷有沉淀作用，Al2O3、Fe2O3对磷有吸收作用；熟石灰、水泥均为碱性，为污水处理用高效除磷材料提高适宜的pH环境，制得的污水处理用高效除磷材料去除磷能力明显。
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公开(公告)号：CN112939483A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110058982.X
申请日：2021-01-17
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法。将FTO分别在含Bi(NO3)3·5H2O的冰醋酸溶液和含Na2S·9H2O的甲醇溶液中浸泡，每次取出FTO烘干，如此重复三次，退火后制得Bi2S3/FTO。将含Bi(NO3)3·5H2O、Ho(NO3)3·6H2O、Na2S2O3·5H2O三种物质混合而成并且NaOH调节溶液pH值为4.8的反应液装入高压反应釜中，插入Bi2S3/FTO，在烘箱中反应，得光电压值为0.0747 V~0.2650 V的纯Bi2S3及Ho掺杂Bi2S3(Ho‑Bi2S3)纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定性好。
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公开(公告)号：CN106835242B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201710064972.0
申请日：2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米阵列的制备方法。将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH4F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mmol/L~0.295 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)溶液混合均匀，配制成弱酸性电解液;以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在15 V~35 V的阳极氧化电压下氧化2~18分钟，即在Cu片上获得Cu2O纳米阵列。其光电压达到0.0801～0.2693 V。本发明制备工艺简单、周期短，通过改变工艺条件能有效地控制样品Cu2O纳米阵列的厚度及其光电性能。
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公开(公告)号：CN108265320A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810180713.9
申请日：2018-03-05
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种CdSe纳米薄膜的制备方法。以DMF作为溶剂配制20.0mL浓度为0.071~0.150mol/L的Cd(NO3)2溶液、30.0mL浓度为0.067~0.119mol/L的H2SeO3溶液和5.0mL浓度为0.000~0.120mol/L的PVP溶液，上述三种溶液混合均匀配制成电解液；在匀速磁力搅拌下，铂片作阳极，ITO作阴极，在1V~5V沉积电压下沉积5~25分钟，在ITO上电沉积合成CdSe纳米薄膜，所得CdSe纳米薄膜光电压值为0.1258V~0.3680V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短，制备的样品光电性能优良。
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公开(公告)号：CN103055855B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310010682.X
申请日：2013-01-12
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J23/50 , C02F1/32 , C02F103/32
Abstract: 本发明公开了一种Ag/TiO2纳米管阵列的制备方法及光催化降解制糖废水的应用。以钛片为基底制备出的TiO2纳米管阵列为阴极，铂丝为阳极，放入由1g/L～2.5g/L硝酸银、7g/L～12g/L亚硫酸钠、2.5g/L～3.5g/L磷酸二氢钠及2g/L～4g/L柠檬酸钠组成的电解液中，在3V电压下超声沉积30秒，取出水洗、晾干后得到Ag/TiO2纳米管阵列。将Ag/TiO2纳米管阵列放入pH值为12.4～13.2的制糖废水中，经紫外灯（λ=253.7nm）照射25～30小时，实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明具备制备工艺简便、无污染，效率高、成本低、时间短等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103904167A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410163697.4
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02425 , H01L21/0256 , H01L21/02628
Abstract: 本发明公开了一种CdSxSey光电材料的制备方法。（1）向5mL0.04~0.05mol/LNa2SeO3溶液中加入0.1079~0.1349gKBH4，水浴30~40℃下，搅拌得A溶液。（2）向5mL0.04~0.05mol/LCd(NO3)2溶液中加入0.0394~0.0789g柠檬酸配制成B溶液。（3）A溶液与B溶液混合，再加入0.0152~0.0229gCH4N2S溶解，得C溶液。（4）C溶液在120~160℃恒温箱中反应8~10小时，得CdSxSey胶体，其中x=0.43～0.48，y=0.52～0.57；（5）将CdSxSey胶体于0℃冰水浴中作为冷凝胶，导电玻璃ITO在90℃热处理20分钟作为热物质，采用冷、热交替涂抹法将CdSxSey涂抹在ITO导电面，涂沫时间1分钟；重复2~5次。本发明成本低、处理时间短、工艺简便、无污染，所得CdSxSey光电材料有较好的光电性能。
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公开(公告)号：CN103904166A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410163618.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02425 , B82Y30/00 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02601 , H01L21/02628
Abstract: 本发明公开了一种CdSexTey量子点光电薄膜的制备方法。（1）称取0.4317～1.2953gCd（NO3）2·4H2O于烧杯中，加入0.2689～0.8069g柠檬酸作为络合剂，再加入水，配成10mL络合水溶液A；（2）称取0.0399～0.1197gTeO2于烧杯中，滴加1mol/LNaOH溶液，直至TeO2全部溶解，再加入0.0432～0.1297gNa2SeO3和水，配成10mL溶液B；（3）将络合水溶液A和溶液B混合起来得溶液C；（4）将溶液C放入45～55℃水浴中，以ITO导电玻璃为阴极，铂片为阳极，在2.5～3.5V直流电压及磁力搅拌下电沉积20～40分钟。本发明最显著的特点是电化学共沉积法获得CdSexTey量子点光电薄膜，制备工艺简便高效、无污染、低成本，所得CdSexTey量子点光电薄膜具有较高光电压值。
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公开(公告)号：CN103566887A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310602317.8
申请日：2013-11-25
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种能去除废水中砷的山核桃壳生物质遗态材料的制备方法。（1）将山核桃壳削去内部薄膜质结构，干燥后在体积浓度为6%~8%的稀氨水中于100℃下浸煮4~6小时做抽提预处理，再洗净干燥。（2）将1~2克硝酸铁溶于体积比为1:1的无水乙醇和超纯水的混合溶剂中得到实验前驱体溶液。（3）将步骤（1）制得的产物浸渍在步骤（2）所得溶液中，水浴控制一周后取出试样烘干，重复浸渍、烘干过程3次。（4）在马弗炉中450~550℃焙烧1~3小时后炉冷至室温，粉碎并过100目筛。本发明利用山核桃壳丰富的孔隙结构，以及氧化铁对重金属的去除效果制成生物质材料，获得一个既能保持山核桃壳内部丰富空隙结构特性又能具备氧化铁的吸附性能的生物质吸附材料。
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公开(公告)号：CN113121124B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110329970.6
申请日：2021-03-29
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硫化铋/三氧化二铁纳米异质结的制备方法。（1）将Fe(NO3)3·9H2O和Na2C2O4的混合溶液倒入反应釜，插入FTO后于烘箱中反应，冷却，去离子水冲洗三遍后烘干，得到Fe2O3/FTO。（2）将Bi(NO3)3·5H2O冰醋酸溶液旋涂于Fe2O3/FTO上，重复1~5次，放入含硫脲与Ce(NO3)3·6H2O的1mol/L氨水溶液的反应釜中，于烘箱里反应，即在Fe2O3/FTO上得到Ce‑Bi2S3/Fe2O3纳米异质结，其光压值为0.1466 V~0.3468 V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定。
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公开(公告)号：CN112939483B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110058982.X
申请日：2021-01-17
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法。将FTO分别在含Bi(NO3)3·5H2O的冰醋酸溶液和含Na2S·9H2O的甲醇溶液中浸泡，每次取出FTO烘干，如此重复三次，退火后制得Bi2S3/FTO。将含Bi(NO3)3·5H2O、Ho(NO3)3·6H2O、Na2S2O3·5H2O三种物质混合而成并且NaOH调节溶液pH值为4.8的反应液装入高压反应釜中，插入Bi2S3/FTO，在烘箱中反应，得光电压值为0.0747 V~0.2650 V的纯Bi2S3及Ho掺杂Bi2S3(Ho‑Bi2S3)纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定性好。
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