公开(公告)号：CN106128942A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610743365.2

申请日：2016-08-26

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 吴佳 ,  刘可安 ,  李诚瞻 ,  史晶晶 ,  高云斌 ,  周正东 ,  杨程

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L21/0331 ,  H01L21/0445

Abstract: 本发明公开了一种消除碳化硅器件终端刻蚀中微掩膜的方法，包括：在SiC上制备掩膜；对掩膜进行光刻，将光刻版上的图形转移到所述掩膜的光刻胶上；对掩膜表面进行干法刻蚀，达到初步刻蚀深度；对掩膜的表面湿法腐蚀到预定刻蚀深度，去除掩膜表面的微掩膜；干法刻蚀所述SiC。除此之外，本发明还公开了一种消除碳化硅器件终端刻蚀中微掩膜的方法，采用先干法刻蚀并预留一定的刻蚀余量，再通过氧化将微掩膜去除。由于在刻蚀的过程中，都是先使用干法刻蚀一定的深度，预留一定的刻蚀余量，再采用湿法腐蚀或者局部氧化来去除残留的微掩膜，不会在晶圆材料造成较大的晶格损伤，减少或避免了刻蚀对器件造成的不良影响，提高器件的成品率。