公开(公告)号：CN107579043A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710505905.8

申请日：2017-06-28

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 田渕智隆

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，能够不使器件的品质降低地执行等离子蚀刻。根据本发明，提供晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：半导体基板露出工序，将切削刀具定位于分割预定线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿着分割预定线露出的半导体基板进行分割。

公开(公告)号：CN107579042A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710504880.X

申请日：2017-06-28

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 田渕智隆 ,  沟本康隆 ,  吉永晃

IPC: H01L21/78

Abstract: 提供晶片的加工方法，能够不使器件的品质降低地执行等离子蚀刻。根据本发明，提供晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下工序：保护膜形成工序，对该晶片的正面包覆液状树脂而形成保护膜；半导体基板露出工序，对分割预定线照射激光光线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；保护膜去除工序，将该保护膜从该晶片的正面去除；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿分割预定线露出的半导体基板进行分割。

公开(公告)号：CN106466547A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610647277.2

申请日：2016-08-09

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 田渕智隆

IPC: B01D53/04 ,  B01D53/22

CPC classification number: B01D53/04 ,  B01D53/228 ,  B01D2253/112 ,  B01D2253/1124 ,  B01D2257/204 ,  B01D2258/0216

Abstract: 本发明涉及等离子体蚀刻气体的回收方法。本发明能够利用简易的构成将等离子体蚀刻中所用的气体回收并进行再利用。本发明实施下述工序，以简易的构成将蚀刻气体回收并进行再利用，所述工序为第1过滤工序，将从腔室(2)排出的气体在具备氢氧化金属或氧化金属的第1过滤器(4)中进行过滤；和第2过滤工序，第1过滤工序后，将通过第1过滤器(4)的气体在包含中空纤维膜(60)的第2过滤器(6)中进行过滤。