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公开(公告)号：CN113684539A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110851983.X
申请日：2017-11-09
Abstract: 本发明涉及III族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及III族氮化物层叠体。III族氮化物层叠体的制造方法具有如下工序：准备III族氮化物层叠体的工序，所述III族氮化物层叠体具有III族氮化物基板和在III族氮化物基板的主面的上方形成的III族氮化物外延层；以及，针对III族氮化物外延层的、III族氮化物基板的主面的法线方向与c轴方向所成的偏离角的大小不同的多个测定位置进行光致发光图谱测定，获取黄色发光强度相对于带边发光强度之比即相对黄色强度，并获取偏离角的大小与相对黄色强度的对应关系的工序。
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公开(公告)号：CN113068413A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201980067937.1
申请日：2019-10-17
Inventor： 堀切文正
IPC: H01L21/3063 , C30B29/38 , C30B33/08 , H01L21/306 , H01L33/00 , H01S5/0232
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物晶体构成的直径2英寸以上的晶圆的工序；在容器内准备包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液的工序；以晶圆表面与蚀刻液表面平行的方式，将晶圆以晶圆的表面浸渍于蚀刻液中的状态收纳在容器内的工序；以及，不搅拌蚀刻液，将光从前述蚀刻液的表面侧照射至晶圆表面的工序，在晶圆的表面划定出彼此隔开配置的第一被蚀刻区域和第二被蚀刻区域，在将光照射至晶圆表面的工序中，对第一被蚀刻区域和第二被蚀刻区域的表面分别垂直地照射光。
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公开(公告)号：CN110691867A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201880035191.1
申请日：2018-04-19
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L33/32
Abstract: 一种氮化物晶体基板，其由III族氮化物的晶体形成，且含有n型杂质，将波长设为λ(μm)、将27℃下的氮化物晶体基板的吸收系数设为α(cm-1)、将氮化物晶体基板中的自由电子浓度设为n(cm-3)、将K和a各自设为常数时，在至少1μm以上且3.3μm以下的波长范围内的吸收系数α由以下的式(1)(α＝nKλa，其中，1.5×10-19≤K≤6.0×10-19、a＝3)进行近似。
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公开(公告)号：CN104078560B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410048610.9
申请日：2014-02-11
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/053
CPC classification number: H01L41/0805 , H01L41/081 , H01L41/0815 , H01L41/1873 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种压电体薄膜层叠基板，其使用非铅系压电体，可获得具有高的压电特性并且每个元件的压电特性的偏差小的压电体薄膜元件。本发明的压电体薄膜层叠基板的特征在于，是在基板上至少依次层叠有密合层、下部电极层和非铅系压电体薄膜层的压电体薄膜层叠基板，前述非铅系压电体薄膜层由铌酸锂钾钠(组成式(NaxKyLiz)NbO3，0＜x＜1、0＜y＜1、0≤z≤1、x＋y＋z=1)形成，前述基板的与前述密合层对置的面的表面粗糙度按最大高度Rz计为2nm以下，前述密合层由第4族元素的非晶质氧化物或者第5族元素的非晶质氧化物形成，其厚度为1nm以上2nm以下且为前述基板表面的最大高度Rz以上。
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公开(公告)号：CN103325937B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310076574.2
申请日：2013-03-11
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/27 , H01L21/66
CPC classification number: H01L41/18 , G01B11/0625 , H01L41/1873 , H01L41/29 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供压电体膜的膜厚值可靠性高的带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法。所述带压电体膜的基板顺次层叠有在主面上形成的下电极和在下电极上形成的钙钛矿结构的压电体膜；压电体膜的厚度为0.3μm以上10μm以下；在表示反射率和波长关系的反射光谱，即压电体膜的中心部和外周部的各至少1点的反射光谱中，极大值和极小值分别具有至少1个，并且极大值中至少1个的反射率为0.4以上，所述反射率由对压电体膜的表面照射的波长400nm～800nm范围的照射光在压电体膜的表面反射的光与照射光透过压电体膜在下电极的表面反射的光通过干涉而得的反射光算出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103219460B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310023655.6
申请日：2013-01-22
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/047 , B41J2/14
CPC classification number: H01L41/18 , H01G5/18 , H01L41/0477 , H01L41/0805 , H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供压电特性优良且可靠性高的压电体元件及压电体装置。在基板(1)上至少设置有下部电极层(3)、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x＋y＋z＝1)所表示的压电体膜(4)及上部电极层(5)的压电体元件晶、斜方晶、单斜晶、菱形晶的晶体结构，或者这些晶体结构共存的状态，在这些晶体结构中的晶轴中的2轴以下的某特定轴上优先取向，且存在有c轴取向晶畴结晶成分与a轴取向晶畴结晶成分中的至少一种的晶畴结晶成分作为前述取向的晶轴的成分。(10)中，前述压电体膜(4)具有准立方晶、正方
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公开(公告)号：CN114207783B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202080054520.4
申请日：2020-07-06
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/3063
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：对至少表面由III族氮化物构成的构件的表面实施第一蚀刻的工序；以及，对实施了第一蚀刻的表面实施第二蚀刻的工序，在实施第一蚀刻的工序中，在表面形成因被蚀刻而新出现的平坦部和因与平坦部相比难以被蚀刻而产生的、相对于平坦部隆起的凸部，在实施第二蚀刻的工序中，通过蚀刻凸部而使凸部变低。
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公开(公告)号：CN110592675B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201910502514.X
申请日：2019-06-11
Inventor： 堀切文正
Abstract: 本申请提供氮化物晶体基板及其制造方法。所述氮化物晶体基板由III族氮化物的晶体形成，且包含n型杂质，将波长设为λ(μm)、将27℃下的吸收系数设为α(cm‑1)、将载流子浓度设为Ne(cm‑3)、将K和a分别设为常数时，利用α＝NeKλa···(1)(其中，1.5×10‑19≤K≤6.0×10‑19、a＝3)对至少1μm以上且3.3μm以下的波长范围的吸收系数α进行近似，在波长2μm下，实测的吸收系数相对于由式(1)求出的吸收系数α的误差为±0.1α以内，利用红外光照射而测定的反射光谱在1200cm‑1以上且1500cm‑1以下的波数范围内不含具有峰顶的峰。
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公开(公告)号：CN113068413B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201980067937.1
申请日：2019-10-17
Inventor： 堀切文正
IPC: H01L21/3063 , C30B29/38 , C30B33/08 , H01L21/306 , H01L33/00 , H01S5/0232
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物晶体构成的直径2英寸以上的晶圆的工序；在容器内准备包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液的工序；以晶圆表面与蚀刻液表面平行的方式，将晶圆以晶圆的表面浸渍于蚀刻液中的状态收纳在容器内的工序；以及，不搅拌蚀刻液，将光从前述蚀刻液的表面侧照射至晶圆表面的工序，在晶圆的表面划定出彼此隔开配置的第一被蚀刻区域和第二被蚀刻区域，在将光照射至晶圆表面的工序中，对第一被蚀刻区域和第二被蚀刻区域的表面分别垂直地照射光。
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公开(公告)号：CN114207783A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080054520.4
申请日：2020-07-06
IPC: H01L21/3063
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：对至少表面由III族氮化物构成的构件的表面实施第一蚀刻的工序；以及，对实施了第一蚀刻的表面实施第二蚀刻的工序，在实施第一蚀刻的工序中，在表面形成因被蚀刻而新出现的平坦部和因与平坦部相比难以被蚀刻而产生的、相对于平坦部隆起的凸部，在实施第二蚀刻的工序中，通过蚀刻凸部而使凸部变低。
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