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公开(公告)号：CN106256016B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201580020452.9
申请日：2015-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。
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公开(公告)号：CN105390417B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201510532602.6
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种抛光组件及基板处理装置，用于对基板进行抛光处理，该抛光组件具有：抛光台，该抛光台用于支承所述基板且该抛光台能够旋转；以及安装有抛光垫的一个抛光头，该抛光头构成为能够旋转，且构成为能够向靠近所述抛光台的方向及从该抛光台远离的方向移动，所述抛光垫具备第1部位与第2部位，所述第2部位在所述第1部位的外侧以包围所述第1部位的方式配置，所述第1部位与所述第2部位的特性相互不同。通过该抛光组件及基板处理装置能够抑制基板的损伤地进行研磨，或者，能够高效率地清洗去除粘性较大的异物等。
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公开(公告)号：CN105382677B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201510532601.1
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/20 , B24B53/017
Abstract: 本发明提供抛光处理组件、基板处理装置及抛光垫清洗方法。抛光处理组件具有：抛光台，该抛光台用于设置处理对象物；抛光头，该抛光头用于保持抛光垫，该抛光垫用于对所述处理对象物进行规定的处理；抛光臂，该抛光臂对所述抛光头进行支承并摆动；修整件，该修整件用于对所述抛光垫进行修整；以及清洗机构，该清洗机构配置在所述抛光台与所述修整件之间，用于对所述抛光垫进行清洗。
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公开(公告)号：CN107186612A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710142830.1
申请日：2017-03-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/013 , B24B37/042 , B24B37/20 , B24B37/105 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B49/12 , B24B57/02
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种能够提高处理对象物的研磨处理面上的处理精度的研磨装置和研磨方法。提供一种对处理对象物进行研磨处理的方法。该方法具有：一边使尺寸比处理对象物的尺寸小的第一研磨垫与处理对象物接触、一边使处理对象物和第一研磨垫相对运动来进行第一研磨处理的步骤；在第一研磨处理之后、一边使尺寸比处理对象物的尺寸大的第二研磨垫与处理对象物接触、一边使处理对象物和第二研磨垫相对运动来进行第二研磨处理的步骤；以及在进行第一研磨处理之前对处理对象物的研磨处理面的状态进行检测的步骤。
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公开(公告)号：CN105382677A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510532601.1
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/20 , B24B53/017
Abstract: 本发明提供抛光处理组件、基板处理装置及抛光垫清洗方法。抛光处理组件具有：抛光台，该抛光台用于设置处理对象物；抛光头，该抛光头用于保持抛光垫，该抛光垫用于对所述处理对象物进行规定的处理；抛光臂，该抛光臂对所述抛光头进行支承并摆动；修整件，该修整件用于对所述抛光垫进行修整；以及清洗机构，该清洗机构配置在所述抛光台与所述修整件之间，用于对所述抛光垫进行清洗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100507092C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN03811966.8
申请日：2003-03-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/3063
CPC classification number: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/32115
Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。
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公开(公告)号：CN1823403A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020146.7
申请日：2004-07-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/3063 , H01L21/304 , C25F3/16
Abstract: 本发明提供一种电解处理装置和电解处理方法，能够有效地避免形成会对影响处理产品的质量的凹坑。该电解处理装置包括：用于处理工件的处理电极(210)；用于给工件供电的供电电极(212)；用于向处理电极(210)和供电电极(212)之间施加电压的电源(232)；在其中容纳处理电极(210)和供电电极(212)的压力密闭容器(200)；和用于将高压液体供应到压力密闭容器(210)内的高压液体供应系统(204)。
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公开(公告)号：CN112091809B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202010986718.8
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法，抛光处理装置及方法，能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备：头，安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫；以及抛光臂(600‑1、600‑2)，用于对头进行保持。头包含：安装有比晶片(W)直径小的第一抛光垫(502‑1)的第一抛光头(500‑1)；以及安装有比第一抛光垫(502‑1)直径小的第二抛光垫(502‑2)的与第一抛光头(500‑1)不同的第二抛光头(500‑2)。
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公开(公告)号：CN110170920B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910539068.X
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B53/017 , H01L21/67 , B08B1/04 , B08B3/02
Abstract: 本发明提供抛光处理组件、基板处理装置及抛光垫清洗方法。抛光处理组件具有：抛光台，该抛光台用于设置处理对象物；抛光头，该抛光头用于保持抛光垫，该抛光垫用于对所述处理对象物进行规定的处理；抛光臂，该抛光臂对所述抛光头进行支承并摆动；修整件，该修整件用于对所述抛光垫进行修整；以及清洗机构，该清洗机构配置在所述抛光台与所述修整件之间，用于对所述抛光垫进行清洗。
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公开(公告)号：CN113442054A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110313239.4
申请日：2021-03-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种可精密控制从固定环等固定部件施加于研磨垫的力的研磨头系统、研磨装置及处理系统。研磨头系统具备：研磨头(7)，其具有：对工件(W)施加按压力的致动器(47)、排列于致动器(47)外侧的固定部件(66)、及连结于固定部件(66)的多个压电元件(72)；及驱动电压施加装置(50)，其对多个压电元件(72)独立地施加电压。
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