公开(公告)号：CN1725334A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510079173.8

申请日：2005-06-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 高木胜寿 ,  田内裕基 ,  中井淳一

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/26 ,  C22C5/06

CPC classification number: C22C5/06 ,  C23C14/205 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/258 ,  G11B7/259 ,  G11B7/266 ,  Y10T428/21

Abstract: 用于光学信息记录介质的各种半反射膜或者反射膜以及一种Ag基合金溅射靶包含Li含量为0.01－10原子百分比的Ag基合金。该Ag基合金显示出高抗粘结性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸收率和高热导率，这些性能是用纯Ag或者常规的Ag合金不能获得的。所得到的包含Ag基合金的用于光学信息记录介质的半反射膜和反射膜显示出优异的录写/读取性能和长期可靠性。半反射膜和反射膜沉积中使用光学信息记录介质用溅射靶。使用该半反射膜和/或反射膜制造光学信息记录介质。

公开(公告)号：CN1691167A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510066665.3

申请日：2005-04-21

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 高木胜寿 ,  中井淳一 ,  田内裕基

IPC: G11B7/24 ,  B32B3/00

CPC classification number: G11B7/258 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/259 ,  Y10T428/21

Abstract: 考虑到这种情况，完成了本发明，且本发明的一个目的是发现显示通过纯Ag或通过常规Ag合金没有实现的水平的高耐内聚性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸光率，和高热传导率的Ag基合金，和在这种合金的基础上，提供一种具有优异写/读性能和长期使用可靠性的光学信息记录介质用半反射膜和反射膜；在沉积这种半反射膜和反射膜中使用的光学信息记录介质用溅射靶材；和一种配备有这种半反膜或反射膜的光学信息记录介质。光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其包含Ag基合金，其中Ag基合金包含0.005至0.40％(原子％，除非另外注明)的Bi和总量为0.05至5％的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN1186772C

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN01136657.5

申请日：2001-10-25

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 中井淳一 ,  大西隆 ,  藤井秀夫 ,  高木胜寿

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/259 ,  C22C5/08 ,  C23C14/205 ,  C23C14/3414 ,  G02B5/0808 ,  G11B7/243 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2595 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/31678

Abstract: 一种能够抑制Ag晶粒成长的光信息记录介质用反射层或半透明反射层，其特征在于，用含有Nd 0.1～3.0原子%的Ag基合金构成。从而提供了一种当然具有高反射率，而且能够抑制Ag晶粒成长的结构稳定性优良的新型光信息记录介质用反射层·半透明反射层、光信息记录介质以及光信息记录介质用溅射靶。

公开(公告)号：CN103154308B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180048311.X

申请日：2011-10-05

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 松本克史 ,  高木胜寿 ,  武富雄一 ,  中井淳一 ,  莳野秀忠 ,  高木敏晃

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/115 ,  B22F3/15 ,  B22F3/24 ,  C22C1/02 ,  C22C1/04 ,  C22C21/00 ,  C22F1/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/115 ,  B22F3/15 ,  B22F3/24 ,  C22C1/0416 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586

Abstract: 本发明提供使用了溅射靶时的成膜速度(溅射速率)被提高、理想的是能够防止飞溅的发生的Al基合金溅射靶。本发明的Al基合金溅射靶含有Ta。优选的是含有Al及Ta的Al-Ta系金属间化合物的平均粒子直径为0.005μm以上且1.0μm以下，且Al-Ta系金属间化合物的平均粒子间距离满足0.01μm以上且10.0μm以下。

公开(公告)号：CN103348036B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201180066834.7

申请日：2011-12-20

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 松本克史 ,  中井淳一 ,  高木敏晃

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/00 ,  C22C21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C22C1/02 ,  C22C9/00 ,  C22C21/00 ,  C23C14/3414

Abstract: 在将距Al基合金或Cu基合金溅射靶的最表面1mm以内的深度的溅射面法线方向的结晶方位 ±15°、 ±15°、 ±15°、 ±15°及 ±15°的合计面积率设为P值时，满足下述（1）及/或（2）的要件，由此可提高预溅射时以及接着进行的向基板等的溅射时的成膜速度，且能够抑制飞溅等溅射不良。其中，（1）相对于所述P值的 ±15°的面积率PA：40%以下，（2）相对于所述P值的 ±15°和 ±15°的合计面积率PB：20%以上。

公开(公告)号：CN102084421B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980125743.9

申请日：2009-09-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 慈幸范洋 ,  中井淳一 ,  田内裕基

IPC: G11B7/258

CPC classification number: C23C14/205 ,  G11B7/2585

Abstract: 本发明提供反射膜表面高精度再现形成于基板上的凹槽或凹点等，实现光信息记录介质的噪声的减小，并且具有高的反射率的Al基合金反射膜，以及对形成这样的反射膜有用的溅射靶材。本发明的光信息记录介质用反射膜用于光信息记录介质，实质上由含有2.0～15.0原子％的稀土类元素的Al基合金形成，反射膜的厚度方向的微晶尺寸为30nm以下。

公开(公告)号：CN101918888B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200980102063.5

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  南部旭 ,  中井淳一 ,  奥野博行 ,  越智元隆 ,  三木绫

IPC: H01L23/52 ,  C22C21/00 ,  H01L29/49 ,  H01L29/45 ,  G02F1/1343 ,  C22F1/04

CPC classification number: H01L29/458 ,  C22C21/00 ,  C22C21/10 ,  C23C14/3414 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/12049

Abstract: 本发明开发一种铝合金膜，并提供一种具有该铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在用于显示装置的薄膜晶体管基板的配线构造中可以使铝合金薄膜与透明像素电极直接接触，同时可以兼顾低电阻率和耐热性，改善对薄膜晶体管的制造工序中使用的胺系剥离液及碱性显影液的腐蚀性。本发明涉及一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分在所述Al合金膜的接触表面析出而存在的显示装置，其中，所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素(元素X1)、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素(元素X2)，形成最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。

公开(公告)号：CN101548324B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200880000927.8

申请日：2008-04-10

Applicant: 索尼碟片数位解决方案股份有限公司 ,  株式会社神户制钢所 ,  克贝鲁可科研股份有限公司

Inventor： 大川直树 ,  田内裕基 ,  中井淳一

IPC: G11B7/258 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/14 ,  G11B7/259

Abstract: 本发明公开了一种包括反射膜的只读光学信息记录介质，该反射膜具有高反射率，并且在被保持在高温高湿环境中时的耐环境性以及在被保持在高强度光照射环境中时的耐光性和对于重复再生试验的重复再生耐用性方面都很优良。在基板上顺序层压了至少一层反射膜和至少一层透光层的只读光学信息记录介质中，所述反射膜由包括0.01at％～1.0at％的Bi和0.1at％～13.0at％的Cu的Ag基合金构成。

公开(公告)号：CN102197335A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142715.8

申请日：2009-11-05

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 南部旭 ,  后藤裕史 ,  三木绫 ,  奥野博行 ,  中井淳一 ,  岸智弥 ,  高木敏晃 ,  难波茂信 ,  长尾护 ,  小林宣裕

IPC: G02F1/1343 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/18 ,  C23C14/3414 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/2855 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明开发在显示设备所用的薄膜晶体管基板的布线构造中能够使Al合金膜与透明像素电极直接接触、同时能够改善相对于在薄膜晶体管的制造工艺中所用胺系剥离液的腐蚀性的Al合金膜，提供具备该Al合金膜的显示设备。本发明涉及一种显示装置用Al合金膜，其为在显示装置的基板上与透明导电膜直接连接的Al合金膜，该Al合金膜含有0.05～2.0原子％的Ge和选自元素组X(Ni、Ag、Co、Zn、Cu)的至少1种元素，同时含有0.02～2原子％的选自由稀土类元素所构成的元素组Q的至少1种元素，且上述Al合金膜中存在含Ge的析出物和/或Ge浓化部的显示装置用Al合金膜及具备该Al合金膜的显示装置。

公开(公告)号：CN1901054B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200610101952.8

申请日：2006-07-11

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 中井淳一 ,  田内裕基 ,  藤井秀夫

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/258 ,  C23C14/34

CPC classification number: G11B7/266 ,  G11B7/258 ,  G11B7/259 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种银合金反射膜用于光学信息记录介质并包含作为主成分的Ag、总共1-10原子％的选自Nd、Gd、Y、Sm、La和Ce中的至少一种，以及总共2-10原子％的选自Li、Mg、Al、Zn、Cu、Pt、Au、Pd、Ru和Rh中的至少一种。反射膜优选还包含0.01-3原子％的Bi和Sb中的至少一种和/或2-10原子％的选自In、Sn和Pb中的至少一种。一种光学信息记录介质包括该银合金反射膜。一种银合金溅射靶具有与该银合金反射膜相同的组成。