公开(公告)号：CN105556668A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201380079133.6

申请日：2013-08-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种能够对二极管区域中的电压变动进行抑制的技术。半导体装置(102)作为二极管而进行工作时的发射极(148)与下部体区(166)之间的电阻值小于阳极电极(148)与下部阳极区(168)之间的电阻值。此外，发射极(148)与第二势垒区(116)之间的空穴的量少于阳极电极(148)与第一势垒区(122)之间的空穴的量。

公开(公告)号：CN106206573B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201610363603.7

申请日：2016-05-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  添野明高 ,  平林康弘 ,  久野敬史 ,  山下侑佑 ,  町田悟

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在对半导体基板进行俯视观察时，存在如下范围，即，柱区露出于半导体基板的表面的柱露出范围、柱区与阳极接触区的深部侧相接的柱接触范围、阳极区与阳极接触区的深部侧相接的阳极接触范围。在柱接触范围与阳极接触范围所并排的方向上的柱接触范围的宽度与阳极接触范围的宽度相比而较窄。

公开(公告)号：CN108364861A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810027050.7

申请日：2018-01-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 冈田将和 ,  浦上泰 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及制造半导体装置的方法。制造半导体装置的方法包括：在半导体基板的表面上形成沟道；在沟道的侧表面和底表面上形成氧化膜；从沟道的底表面通过干蚀刻除去氧化膜的至少一部分；以及在干蚀刻之后，通过沟道的底表面将导电杂质离子注入到半导体基板中。干蚀刻是反应离子蚀刻，在所述反应离子蚀刻中，使用蚀刻气体，所述蚀刻气体包括具有碳原子环结构的碳氟化合物基气体、氧气和氩气。

公开(公告)号：CN103890955B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201280035577.5

申请日：2012-07-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山下侑佑 ,  町田悟 ,  杉山隆英 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/08

Abstract: 公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由低浓度的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、由金属制成的阳极电极、形成于漂移区和阳极区域之间且由浓度比漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域以及形成为将势垒区域连接至阳极电极且由浓度比势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成的柱区域。柱区域和阳极通过肖特基结相连接。

公开(公告)号：CN105793990A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480066442.4

申请日：2014-10-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 町田悟 ,  山下侑佑 ,  妹尾贤 ,  大河原淳 ,  平林康弘 ,  细川博司

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/083 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种纵型半导体装置，其中，缓冲层具有n+型的第一缓冲区与n+型的第二缓冲区。第一缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的第一深度处，且该第一缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第二缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的与第一深度相比较浅的第二深度处，且该第二缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第一缓冲区在半导体层的第一深度的面内划定了开口。第二缓冲区在半导体层的第二深度的面内划定了开口。

公开(公告)号：CN105378931A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201380076833.X

申请日：2013-05-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0716 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/0766 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872

Abstract: 当在IGBT中附加分离出上部体区(8a)和下部体区(8b)的势垒层(10)时，电导率调制活化从而导通电阻下降，当附加到达至势垒层(10)的肖特基接触区(6)时，能够实现二极管结构，但会附加经由势垒层(10)和肖特基接触区(6)到达至发射区(4)的电流路径，从而饱和电流增大，短路耐量降低。肖特基接触区(6)与发射区(4)通过上部体区(8a)而被分离，通过选择上部体区(8a)的杂质浓度，从而能够避免饱和电流的增大。或者，也可以在分离肖特基接触区(6)和发射区(4)的范围内附加隔断结构，该隔断结构使从肖特基接触区(6)向上部体区(8a)内延伸的耗尽层和从发射区(4)向上部体区(8a)内延伸的耗尽层不相连。

公开(公告)号：CN108364861B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201810027050.7

申请日：2018-01-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 冈田将和 ,  浦上泰 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及制造半导体装置的方法。制造半导体装置的方法包括：在半导体基板的表面上形成沟道；在沟道的侧表面和底表面上形成氧化膜；从沟道的底表面通过干蚀刻除去氧化膜的至少一部分；以及在干蚀刻之后，通过沟道的底表面将导电杂质离子注入到半导体基板中。干蚀刻是反应离子蚀刻，在所述反应离子蚀刻中，使用蚀刻气体，所述蚀刻气体包括具有碳原子环结构的碳氟化合物基气体、氧气和氩气。

公开(公告)号：CN111180516A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911081130.1

申请日：2019-11-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 半导体装置具备：半导体基板；覆盖半导体基板的上表面的一部分的绝缘膜；隔着绝缘膜而与半导体基板的上表面对向的栅电极。在半导体基板，通过体层而向上表面延伸的漂移层隔着绝缘膜而与栅电极对向。绝缘膜从半导体基板的上表面通过栅电极与上表面电极之间延伸至栅电极的上表面，在栅电极的上表面划定开口。在通过与栅电极对向的漂移层的对向面并与该对向面垂直的直线的集合即第一区域内，在栅电极的上表面不存在绝缘膜。

公开(公告)号：CN106558502A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610847101.1

申请日：2016-09-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大西徹 ,  小野木淳士 ,  三角忠司 ,  山下侑佑 ,  竹内有一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及绝缘栅型开关元件及其制造方法，并提供在具有连接区域的绝缘栅型开关元件中抑制栅极阈值的偏差的技术。在绝缘栅型开关元件的制造方法中，在半导体基板上形成具有第一部分和第二部分的栅极沟槽，第一部分在第一方向上具有第一宽度，第二部分在第一方向上具有与第一宽度相比较宽的第二宽度。在倾斜注入工序中，以绕与第一方向正交的轴倾斜的照射角度照射第二导电型杂质。第一宽度、第二宽度及照射角度被设定为，在第一部分的第一侧面上抑制向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧的注入，并且在第二部分的第二侧面上向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧进行注入。通过向第二侧面的注入而形成对体区与底部区域进行连接的连接区域。

公开(公告)号：CN105702718A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510918997.3

申请日：2015-12-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  细川博司 ,  安田佳史 ,  添野明高 ,  妹尾贤 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供一种对两步式导通现象的产生进行抑制的反向导通绝缘栅双极性晶体管。反向导通绝缘栅双极性晶体管(1)的半导体层(10)具备n型的势垒区(18)，所述势垒区(18)被设置在体区(15)内，并且通过从半导体层(10)的表面(10B)延伸的柱区(19)而与发射极(24)电连接。势垒区(18)具有第一势垒部分区域(18a)及第二势垒部分区域(18b)，其中，所述第一势垒部分区域(18a)到漂移区(14)的距离为第一距离(18Da)，所述第二势垒部分区域(18b)到漂移区(14)的距离为与第一距离(18Da)相比较长的第二距离(18Db)。第二势垒部分区域(18b)与绝缘沟槽栅部(30)的侧面相接。