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公开(公告)号：CN103270202B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201180062380.6
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶基板12具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的使激发波长为532nm的拉曼分光解析，作为源自结晶多型为3C的多晶碳化硅的衍射峰，观察到T0峰和L0峰以外的峰。
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公开(公告)号：CN106062929A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580009762.0
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/08 , H01L21/205 , H01L21/265
Abstract: 将进行过机械加工的SiC基板(40)在SiC气氛下进行加热处理而对该SiC基板(40)进行蚀刻之际，通过调整SiC基板(40)的周围的惰性气体压力来控制蚀刻速度。由此，在SiC基板(40)存在潜伤等的情况下，能够除去该潜伤等。因此，即使进行外延生长和热处理等，SiC基板(40)的表面也不会粗糙不平，所以能够制造高品质的SiC基板。
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公开(公告)号：CN103270203A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062452.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B19/00 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供能够提高碳化硅外延生长速度的单晶碳化硅外延生长用供料件。单晶碳化硅外延生长用供料件11具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。
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公开(公告)号：CN104797747B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201380059807.6
申请日：2013-11-15
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01L21/0445 , C30B29/36 , C30B31/22 , C30B33/02 , C30B33/08 , C30B33/12 , H01L21/3065 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种可高精度地控制单晶SiC基板的蚀刻速度、并能准确地把握蚀刻量的表面处理方法。该表面处理方法中，藉由在Si的蒸汽压力下的加热处理进行蚀刻单晶SiC基板的处理。并且，在进行该蚀刻时，藉由调整单晶SiC基板周围的气体环境中的惰性气体压力来控制蚀刻速度。藉此，能够准确地把握蚀刻量。
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公开(公告)号：CN107004585A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062667.7
申请日：2015-11-17
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/302 , H01L21/3065
Abstract: 提供一种碳化硅基板处理方法，该方法对于形成有沟槽(41)的碳化硅基板(40)，一边防止表面产生粗化一边使离子活化。通过进行在Si蒸气压下加热碳化硅基板(40)的离子活化处理，使注入于碳化硅基板(40)的离子活化，并进行蚀刻而将表面加工平坦，其中该碳化硅基板(40)在表面具有注入了离子的离子注入区域(46)，且在至少包含该离子注入区域(46)的部分形成有沟槽(41)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103282557B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201180062368.5
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01L29/04 , C30B19/00 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02598 , H01L29/1608
Abstract: 本发明降低单晶碳化硅的液相外延生长所需要的成本。供料件（11），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。种晶件（12），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。
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公开(公告)号：CN106029960A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009773.9
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种即使在使用切断加工过的SiC籽晶进行MSE法的情况下也不会降低生长速度的方法。将作为亚稳定溶剂外延法(Metastable solvent epitaxy：MSE法)的籽晶使用的SiC籽晶通过在Si气氛下进行加热而对表面进行蚀刻，除去因切断加工产生的加工变质层。由于已经知道SiC籽晶产生的加工变质层会阻碍MSE法的生长，所以通过除去该加工变质层能够防止生长速度的降低。
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公开(公告)号：CN103270201B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180062376.X
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B28/14 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶件（12）具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。
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公开(公告)号：CN104797747A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380059807.6
申请日：2013-11-15
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01L21/0445 , C30B29/36 , C30B31/22 , C30B33/02 , C30B33/08 , C30B33/12 , H01L21/3065 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种可高精度地控制单晶SiC基板的蚀刻速度、并能准确地把握蚀刻量的表面处理方法。该表面处理方法中，藉由在Si的蒸汽压力下的加热处理进行蚀刻单晶SiC基板的处理。并且，在进行该蚀刻时，藉由调整单晶SiC基板周围的气体环境中的惰性气体压力来控制蚀刻速度。藉此，能够准确地把握蚀刻量。
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公开(公告)号：CN110431654B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201880019339.2
申请日：2018-03-20
Applicant: 丰田通商株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 在改性SiC晶片(41)的制造方法(SiC晶片的表面处理方法)中，且于制造改性SiC晶片(41)的方法中进行以下的表面改性工序，其中，该改性SiC晶片(41)，处理形成外延层(42)之前的处理前SiC晶片(40)而将表面改性。也就是说，处理前SiC晶片(40)含有平行于(0001)面的位错即BPD、和TED，且以处理前SiC晶片(40)的表面的属BPD的部分在外延层(42)的形成时作为TED进行传播的比例变高的方式使表面的性质变化。
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