公开(公告)号：CN100523282C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200410045720.6

申请日：2004-05-21

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤重光 ,  末代政辅 ,  大空弘树 ,  清田淳也 ,  中村肇 ,  石桥晓 ,  太田淳

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/3408 ,  C23C14/086 ,  C23C14/352 ,  H01J37/3455

Abstract: 在本发明中，当靶(15)被溅射时，由于各个靶(15)相对基板(10)移动，溅射时基板(10)的全部区域变为都与靶(15)相对，可在基板(10)的表面上形成膜质均匀的膜。另外，在溅射时，由于不仅靶(15)相对基板(10)移动，磁场形成装置(25)也相对靶(15)移动，因此靶(15)的很宽区域被溅射。进而，如果使磁场形成装置(25)也相对基板(10)移动，则靶(15)就变为大部分被溅射的区域相对基板(10)移动，以使基板(10)上形成的膜的膜厚分布更均匀。

公开(公告)号：CN1281781C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN02147047.2

申请日：2002-10-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 末代政辅 ,  宍仓真人 ,  大空弘树

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供连续进行溅射处理的技术。具体地说，在本发明的溅射方法中，把第一基板送入垂直设有靶的处理室中并且使该第一基板平行于该靶，在所述处理室内输入溅射气体地溅射该靶并由此在该第一基板的表面上形成膜。本发明规定，在该处理室通过闸阀与输送室连接的情况下，在该第一基板的溅射过程中，打开所述闸阀地把随后要进行溅射处理的第二基板送入该处理室中。由于在溅射中在处理室中送入未处理的基板，所以送入时间没有白白浪费掉。