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公开(公告)号：CN116264220A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211589417.7
申请日：2022-12-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供了一种电气器件以及制造电气器件的方法。一种制造电气器件的方法，包括：对可阳极氧化金属层的部分进行阳极氧化，以获得阳极多孔氧化物区域(101)以及与阳极多孔氧化物区域相邻的可阳极氧化金属区域(100)，阳极多孔氧化物区域比可阳极氧化金属区域厚；在阳极多孔氧化物区域和可阳极氧化金属区域上沉积衬垫材料的层(105)；在衬垫材料的层上沉积填充材料的层(106)以获得具有顶表面的堆叠结构，填充材料与衬垫材料不同；对从堆叠结构的顶表面起直至到达衬垫材料的层的堆叠结构进行平坦化，以暴露位于阳极多孔氧化物区域的至少一部分(112)上方的衬垫材料的部分(111)；去除衬垫材料的暴露部分。
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公开(公告)号：CN112189244B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201980033035.6
申请日：2019-05-13
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
IPC: H01G11/04 , H01G4/10 , H01G4/12 , H10N97/00 , H01G11/46 , H01M6/18 , H01G4/33 , H01G11/84 , H01G11/26 , H01G11/56 , H01G11/70 , H01G11/06
Abstract: 集成储能部件(1)包括支撑仿形层(3)的衬底(2)，仿形层(3)本身包括具有仿形表面的区域(3a)，所述区域(3a)例如包括长形孔(3c)。叠层结构(5至8)共形地设置在该区域(3a)的仿形表面上。叠层是MOIM层或MIOM层的单个或重复实例，M层(5，8)是金属层或准金属例如TiN，O层是包含离子的氧化物层(6)，并且I层(7)是离子电介质。具有仿形表面的区域(3a)可以由多孔阳极氧化铝形成。
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公开(公告)号：CN110892497B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201880045989.4
申请日：2018-07-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 由基底(1)提供放大的表面面积，该基底(1)包括：基层(2)，该基层具有限定多个第一沟槽(3)和介于中间的第一平台(4)的第一主表面(2A)；以及覆盖层(12)，该覆盖层设置在基层(2)的第一主表面(2A)上并以基本保形的方式覆盖第一沟槽(3)和第一平台(4)，其中，覆盖层的远离基层的第一主表面(2A)的表面(12A)包括多个第二沟槽(13)和介于中间的第二平台(14)，第二沟槽和第二平台以比第一沟槽和第一平台的比例小的比例被限定。基底可以用于制造电容元件，在电容元件中设置有薄膜层并且薄膜层以保形的方式覆盖覆盖层的第二沟槽和第二平台，以创建具有高的电容密度的金属‑绝缘体‑金属结构。
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公开(公告)号：CN112189244A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201980033035.6
申请日：2019-05-13
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
IPC: H01G11/04 , H01G4/10 , H01G4/12 , H01L49/02 , H01G11/46 , H01M6/18 , H01G4/33 , H01G11/84 , H01G11/26 , H01G11/56 , H01G11/70 , H01G11/06
Abstract: 集成储能部件(1)包括支撑仿形层(3)的衬底(2)，仿形层(3)本身包括具有仿形表面的区域(3a)，所述区域(3a)例如包括长形孔(3c)。叠层结构(5至8)共形地设置在该区域(3a)的仿形表面上。叠层是MOIM层或MIOM层的单个或重复实例，M层(5，8)是金属层或准金属例如TiN，O层是包含离子的氧化物层(6)，并且I层(7)是离子电介质。具有仿形表面的区域(3a)可以由多孔阳极氧化铝形成。
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公开(公告)号：CN110892497A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880045989.4
申请日：2018-07-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 由基底(1)提供放大的表面面积，该基底(1)包括：基层(2)，该基层具有限定多个第一沟槽(3)和介于中间的第一平台(4)的第一主表面(2A)；以及覆盖层(12)，该覆盖层设置在基层(2)的第一主表面(2A)上并以基本保形的方式覆盖第一沟槽(3)和第一平台(4)，其中，覆盖层的远离基层的第一主表面(2A)的表面(12A)包括多个第二沟槽(13)和介于中间的第二平台(14)，第二沟槽和第二平台以比第一沟槽和第一平台的比例小的比例被限定。基底可以用于制造电容元件，在电容元件中设置有薄膜层并且薄膜层以保形的方式覆盖覆盖层的第二沟槽和第二平台，以创建具有高的电容密度的金属-绝缘体-金属结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111670495B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201980009874.4
申请日：2019-01-22
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
IPC: H01L23/48 , G02B6/12 , G02B6/13 , H01L23/522 , H01L29/786 , H01L23/66
Abstract: 在包括绝缘体上硅衬底的电子产品中，阳极氧化物或阳极氢氧化物的多孔层形成在绝缘体上硅衬底的硅层之上。形成在多孔层之上的金属层提供至少一条电传输线。电信号在至少一条电传输线中的速度可以通过多孔层的孔隙率的适当配置来控制。
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公开(公告)号：CN118251121A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311792130.9
申请日：2023-12-22
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
Inventor： 布丽吉特·苏利耶 , 苏菲·阿尚博 , 弗雷德里克·瓦龙 , 佛洛里安·鲍丁 , 塞巴斯蒂安·多明戈斯
Abstract: 公开了包括阳极多孔氧化物区域的集成装置及其制造方法。制造包括阳极多孔氧化物区域的集成装置的方法包括：在基板上形成金属阳极氧化屏障层；使该金属阳极氧化屏障层平坦化；在平坦化的金属阳极氧化屏障层(201P)上形成可阳极氧化金属层；使该可阳极氧化金属层平坦化；对平坦化的可阳极氧化金属层进行阳极氧化以获得阳极多孔氧化物区域(203)，该阳极多孔氧化物区域(203)包括从阳极多孔氧化物区域的顶表面朝向金属阳极氧化屏障层延伸的多个基本上直的孔。
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公开(公告)号：CN114556507B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202080065251.1
申请日：2020-09-09
Applicant: 株式会社村田制作所 , 原子能与替代能源委员会
Abstract: 提出了一种制造电容器的方法。该方法包括：在基板上方形成三维结构，该三维结构包括具有从远离基板的三维结构的顶表面朝向基板延伸的细长孔或离开基板朝向远离基板的三维结构的顶表面延伸的细长柱的区域；在三维结构的所述区域的表面上方形成第一电极层，第一电极与所述区域的所述表面共形；在第一电极层上方形成中间层；以及在中间层上方形成第二电极层，第二电极层与中间层共形，其中，形成中间层包括：形成与第一电极层部分地共形的固态电解质层；以及形成与第一电极层共形的电介质层。
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公开(公告)号：CN118039351A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311518841.7
申请日：2023-11-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及用于高电压应用的电气装置以及用于获得电气装置的方法。所提出的电气装置(100)包括电容器，该电气装置包括：包括导电结构的底部电极(110)，该导电结构包括基部表面以及向上延伸并且具有最高表面的相对突出壁(111)；包括至少一个导电区域(121)的顶部电极(120)，所述至少一个导电区域(121)布置在相对突出壁(111)之间并且具有顶部表面，其中，所述至少一个导电区域(121)的顶部表面位于突出壁(111)的最高表面之下或者位于突出壁(111)的最高表面的水平处；以及电介质区域(130)，其在底部电极(110)之上共形地延伸并且围绕顶部电极(120)，所述电容器由被电介质区域(130)分开的底部电极(110)和顶部电极(120)形成。
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公开(公告)号：CN110959197B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201880049558.5
申请日：2018-06-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 弗雷德里克·瓦龙 , 穆罕默德·迈赫迪·贾特劳伊
Abstract: 公开了分布式LC滤波器结构。分布式LC滤波器结构在同一结构中同时提供分布式电感和分布式电容。因此，消除了分立无源元件，并且实现了高度的同构集成。调整分布式电感与分布式电容之间的互连，以利用分布式电容的寄生电感来增加分布式LC滤波器结构的整体电感。类似地，调整互连，以利用由分布式电感产生的寄生电容来与分布式电容相加，从而增加该结构的整体电容。
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