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公开(公告)号：CN108511411A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810131080.2
申请日：2018-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/488 , H01L25/00
Abstract: 提供一种即便将保护电路组装到放大电路中也能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在基板形成包括半导体元件的放大电路。形成于基板的保护电路包括相互串联连接的多个保护二极管，并与放大电路的输出端子连接。焊盘导体层在至少一部分包括用于与基板的外部的电路连接的焊盘。俯视情况下，焊盘导体层与保护电路至少局部地重叠。
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公开(公告)号：CN119452568A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380050116.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 钳位电路连接在高频信号所通过的节点与接地电位之间。钳位电路具备连接为多级的多个钳位元件。多个钳位元件中的每一个若被施加上升沿电压以上的电压则导通。多个钳位元件中的至少一个由包含双极晶体管和连接在基极‑集电极间的基极‑集电极间电阻元件的电阻连接型晶体管构成。
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公开(公告)号：CN113472303B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110314406.7
申请日：2021-03-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制电流向晶体管的一部分区域集中并扩大SOA的功率放大元件。在基板上，沿第一方向排列配置多个双极晶体管。与多个双极晶体管的各基极电极对应地设置多个第一电容元件。通过第一电容元件向双极晶体管供给高频信号。与多个双极晶体管的各基极电极对应地设置电阻元件。经由电阻元件，向双极晶体管供给基极偏压。关于与第一方向正交的第二方向，从多个双极晶体管观察时，多个第一电容元件配置在同一侧。从多个双极晶体管观察第二方向时，多个第一电容元件中的至少一个第一电容元件配置于与其它的一个第一电容元件部分地重叠的位置。
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公开(公告)号：CN112531022B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202010985508.7
申请日：2020-09-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L23/34
Abstract: 本发明提供一种能够实现SOA的扩大、以及击穿电压的提高的半导体装置。在基板的表层部，设置有具有导电性的子集电极层。在俯视时，在子集电极层的内部，配置有集电极层、基极层、以及发射极层。集电极层与子集电极层连接。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的发射极电极配置于与发射极层重叠的位置。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的基极电极在与第一方向正交的第二方向上与发射极电极隔着间隔来配置。在俯视时，从发射极电极观察集电极电极配置于第二方向的一侧，而未配置于另一侧。在基极电极的长度方向的两端以外的部位，基极布线与基极电极连接。
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公开(公告)号：CN109390319B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201810774785.6
申请日：2018-07-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种能够提高双极晶体管和电路元件的布局的自由度的半导体装置。在具有包含在进行了蚀刻率依赖于晶面取向的各向异性蚀刻时倒台面型的台阶延伸的第一方向和正台面型的台阶延伸的第二方向的上表面的单晶的半导体基板上，配置有：双极晶体管，包含外延生长的集电极层、基极层、以及发射极层；和基极布线，与基极层连接。在基极层的边缘设置有台阶，基极布线在俯视下在与第一方向交叉的方向上从基极层的内侧引出至外侧。基极层的边缘与基极布线的交叉部位设为断线防止构造，该断线防止构造与对基极层和集电极层进行各向异性蚀刻而形成的倒台面型的台阶和基极层交叉的构造相比，不易产生起因于台阶的基极布线的断线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114093865A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110901169.4
申请日：2021-08-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06 , H01L27/082 , H01L29/08 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够提高负载变动损坏耐性的半导体装置。在基板的表面沿第一方向排列配置的多个单元分别包含至少一个单位晶体管。在相互相邻的两个单元之间分别配置有集电极电极。作为多个单元中的至少一个单元的第一单元包含沿第一方向排列的多个单位晶体管。多个单位晶体管相互并联连接。在第一单元中，多个单位晶体管各自的基极电极和发射极电极沿第一方向排列配置，并且基极电极和发射极电极的排列顺序在多个单位晶体管之间相同。在注目于一个第一单元时，在所注目的第一单元内相互相邻的两个单位晶体管的发射极电极的第一方向上的距离的最大值比所注目的第一单元与和其相邻的单元之间的第一方向上的距离中较短距离的1/2短。
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公开(公告)号：CN113543458A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110399315.8
申请日：2021-04-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H05K1/02 , H05K1/18 , H01L23/367 , H03F3/213
Abstract: 本发明提供能够将放大IC稳定地安装于模块基板，并且能够提高从放大IC向模块基板的散热性的放大模块。安装于层叠基板的放大IC具备输入端子、输出端子及共用端子。层叠基板具备基板侧的共用端子、输入端子及输出端子。这些端子经由凸块与元件侧的对应的端子连接。在层叠基板的下表面，在俯视时与共用端子重叠的位置配置有下表面共用端子。从共用端子朝向下表面共用端子依次配置有第一、第二、第三共用导通孔导体。在基板侧的输入端子连接有输入导通孔导体。第一共用导通孔导体的俯视时的面积比第二、第三共用导通孔导体以及输入导通孔导体中的任何一个的俯视时的面积大。共用端子的凸块的俯视时的面积比输入端子的凸块的俯视时的面积大。
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公开(公告)号：CN113472303A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110314406.7
申请日：2021-03-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制电流向晶体管的一部分区域集中并扩大SOA的功率放大元件。在基板上，沿第一方向排列配置多个双极晶体管。与多个双极晶体管的各基极电极对应地设置多个第一电容元件。通过第一电容元件向双极晶体管供给高频信号。与多个双极晶体管的各基极电极对应地设置电阻元件。经由电阻元件，向双极晶体管供给基极偏压。关于与第一方向正交的第二方向，从多个双极晶体管观察时，多个第一电容元件配置在同一侧。从多个双极晶体管观察第二方向时，多个第一电容元件中的至少一个第一电容元件配置于与其它的一个第一电容元件部分地重叠的位置。
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公开(公告)号：CN107026159B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201611138294.X
申请日：2016-12-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐佐木健次
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，具备：第1放大晶体管，将第1信号放大并输出第2信号；以及偏置电路，对第1放大晶体管供给偏置电压或者偏置电流，第1放大晶体管包含形成于矩形区域的多个单位晶体管，偏置电路包含：第1偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第1组单位晶体管的基极供给第1偏置电压或者第1偏置电流；第2偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第2组单位晶体管的基极供给第2偏置电压或者第2偏置电流；第1电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第1电压供给至第1偏置晶体管的基极；以及第2电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第2电压供给至第2偏置晶体管的基极，第2电压供给电路形成于矩形区域的内部。
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公开(公告)号：CN107785342A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710740396.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/488 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，实现单位晶体管的最高温度的下降或温度偏差的降低。半导体装置具备：半导体基板，含具有第一方向的第一边及第二方向的第二边的主面；多个晶体管列，形成在半导体基板的第一边侧的区域；多个凸块，多个凸块包括第一方向上的长度长的第一及第二凸块，第一边和第一凸块的距离比第一边和第二凸块的距离短，多个晶体管列包括第一及第二晶体管列，第一晶体管列具有沿第一方向配置为与第一凸块重叠的多个第一单位晶体管，第二晶体管列具有沿第一方向配置为与第二凸块重叠的多个第二单位晶体管，在半导体基板的主面的俯视下，第一单位晶体管的平均每一个的第一凸块的面积比第二单位晶体管的平均每一个的第二凸块的面积大。
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