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公开(公告)号：CN111602337A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880086018.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明在抑制通带的特性劣化的同时，减小在比通带靠高频侧产生的高次模式的由温度引起的变化。在弹性波装置(1)中，与第一端子(101)电气上最接近的天线端谐振器是第一弹性波谐振器(3A)。分别在第一弹性波谐振器(3A)及第二弹性波谐振器(3B)中，在将弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度为3.5λ以下。第一弹性波谐振器(3A)和第二弹性波谐振器(3B)满足第一条件、第二条件以及第三条件中的至少一个。第一条件为，第一弹性波谐振器(3A)还包括设置在压电体层与IDT电极之间的电介质膜，第二弹性波谐振器(3B)不包括电介质膜。
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公开(公告)号：CN110999078A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051686.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种多工器，具备一端被公共连接的N个弹性波滤波器，在将N个弹性波滤波器从通带的频率低的一方起依次设为弹性波滤波器1、2、…、N的情况下，N个弹性波滤波器中的除通带的频率最高的弹性波滤波器以外的至少一个弹性波滤波器n包含一个以上的弹性波谐振器，该弹性波谐振器具有：氮化硅膜，层叠在支承基板上；氧化硅膜，层叠在氮化硅膜上；压电体，层叠在氧化硅膜上，由欧拉角为θLT的钽酸锂构成；以及IDT电极，设置在压电体上。在弹性波谐振器t中，第一高阶模、第二高阶模以及第三高阶模的频率fhs_t(n)(s＝1、2、3)中的至少一个和具有频率比弹性波滤波器n的通带的频率高的通带的全部的弹性波滤波器m(n＜m≤N)满足下述的式子中的任一个：fh1_t(n)＞fu(m)fh1_t(n)＜fl(m)。
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公开(公告)号：CN105531926B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201480048224.8
申请日：2014-09-01
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中川亮
CPC classification number: H03H9/725 , H03H9/02755 , H03H9/02763 , H03H9/02992 , H03H9/132 , H03H9/17 , H03H9/25 , H03H9/54 , H03H9/605 , H03H9/64 , H03H9/6469 , H03H9/6483
Abstract: 本发明提供一种能够抑制非线性失真并且能够实现小型化的弹性波谐振器。在弹性波谐振器(1)中，在极化方向为箭头Px的压电基板(2)上，第1、第2IDT电极(4、5)之间隔着共用反射器(8)而沿弹性波传播方向进行了配置，第1IDT电极(4)的第1汇流条(4c)以及第2反射器(7)的第1端部汇流条(7b)与布线电极(11)连接，设为第1端子(9)，第1IDT电极(4)的第2汇流条(4d)与共用反射器(8)的第2端部汇流条(8c)连接，设为第2端子(10)，第1端部汇流条(8b)与第1汇流条(5c)电连接，第2汇流条(5d)与第2端部汇流条(7c)电连接，在第1、第2端子(9、10)间并联连接了第1、第2IDT电极(4、5)。
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公开(公告)号：CN107078712A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060673.9
申请日：2015-11-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中川亮
Abstract: 本发明提供一种能够抑制非线性信号的产生的弹性波谐振器。弹性波谐振器(1)具备压电基板(2)和形成在压电基板(2)上的IDT电极(3)。IDT电极(3)具备：第1电极层(4)，具有配置在压电基板(2)侧的第1主面(4a)和与第1主面(4a)对置的第2主面(4b)，并由Al或以Al为主体的合金构成。利用SH波作为传播的弹性波。在弹性波谐振器(1)中，在将弹性波谐振器(1)的谐振频率设为fr并将反谐振频率设为fa时，在由下述式(1)表示的频率f处，通过二维有限元法计算出的第1主面(4a)中的失真的S4分量的绝对值的最小值为1.4×10‑3以下。f＝fr+0.06×bw…式(1)。式(1)中，bw是fa‑fr。
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公开(公告)号：CN110999080B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201880051492.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在其它弹性波滤波器中不易产生由高阶模造成的纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)，是硅基板；氮化硅膜(3)，层叠在支承基板(2)上；氧化硅膜(4)，层叠在氮化硅膜(3)上；压电体(5)，层叠在氧化硅膜(4)上，且由钽酸锂构成；以及IDT电极(6)，设置在压电体(5)的一个主面，关于压电体的波长归一化膜厚TLT、压电体的欧拉角θLT、所述氮化硅膜的波长归一化膜厚TN、氧化硅膜(4)的波长归一化膜厚TS、通过所述IDT电极的波长归一化膜厚和所述IDT电极的密度相对于铝的密度之比的积求出的、换算为铝的厚度的IDT电极(6)的波长归一化膜厚TE、支承基板(2)的传播方向ψSi、支承基板(2)的波长归一化膜厚TSi的值，TLT、θLT、TN、TS、TE、ψSi被设定为由下述的式(1)表示的与第一高阶模的响应强度对应的Ih、与第二高阶模的响应强度对应的Ih、以及与第三高阶模的响应强度对应的Ih中的至少一个大于‑2.4，且TSi>20。[数学式1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109560788B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN201810929093.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种弹性波装置，包括：压电体层；叉指换能器(IDT)电极，设置在所述压电体层上；高声速构件；以及低声速膜，设置在所述高声速构件与所述压电体层之间。所述压电体层包含钽酸锂，所述IDT电极包含多个金属层，所述多个金属层包括Al金属层和密度比Al高的金属层。在λ表示由所述IDT电极的电极指间距规定的波长，TLT(％)表示利用所述波长λ得到的所述压电体层的归一化膜厚，TELE(％)表示利用所述波长λ得到的所述IDT电极的Al换算归一化膜厚时，满足以下的式1：301.74667‑10.83029×TLT‑3.52155×TELE+0.10788×TLT2+0.01003×TELE2+0.03989×TLT×TELE≥0…式1。
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公开(公告)号：CN110352557B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201880015091.2
申请日：2018-02-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 提供一种能够在维持主模式的良好特性的同时抑制高阶模式的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：材料层(2)，具有欧拉角(θ1，ψ1)，且欧拉角(θ1，ψ1)下的弹性常数由下述的式(1)来表示；由单晶构成的压电体(3)，直接或间接地层叠于材料层(2)，具有欧拉角(θ2，ψ2)，且欧拉角(θ2，ψ2)下的弹性常数由下述的式(1)来表示；和IDT电极(4)，设置在压电体(3)的第1主面以及第2主面之中的至少一方，材料层的弹性常数C11～C66之中非0的至少一个弹性常数和压电体的弹性常数C11～C66之中非0的至少一个弹性常数成为相反符号。[数学式1]
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公开(公告)号：CN110383685B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201880015383.6
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能够在维持主模式的良好特性的同时抑制高阶模式的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：材料层(2)，具有欧拉角且欧拉角下的弹性常数由下述的式(1)来表示；压电体(3)，具有相互对置的第1主面以及第2主面，直接或间接地层叠于材料层(2)，具有欧拉角且欧拉角下的弹性常数由下述的式(1)来表示；和IDT电极(4)，设置在压电体(3)的第1主面(3a)以及第2主面(3b)之中的至少一方，由电极指间距规定的波长为λ，C56与C56之积为正的值，并且材料层(2)的C56的绝对值大于压电体(3)的C56的绝对值。[数学式1]
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公开(公告)号：CN115211036A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180010570.7
申请日：2021-01-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 抑制IMD的产生。若在各滤波器(3)中将特定的谐振器(4A)的等效电路中包含等效电阻、等效电感器及等效电容的串联电路流过的电流设为声路径电流，则在将第1发送带内的频率下的第1发送滤波器(31)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ1Tx，将第2发送带内的频率下的第1发送滤波器(31)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ2Tx，将第1发送带内的频率下的第1接收滤波器(32)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ1Rx，将第2发送带内的频率下的第1接收滤波器(32)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ2Rx的情况下，多工器(1)满足第1条件：|(2·θ1Tx‑θ2Tx)‑(2·θ1Rx‑θ2Rx)|＝180°±90°或第2条件：|(2·θ2Tx‑θ1Tx)‑(2·θ2Rx‑θ1Rx)|＝180°±90°。
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公开(公告)号：CN107534429B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201680026762.6
申请日：2016-06-01
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能够减小激励弹性波时的IDT电极的形变、能够使得IMD特性良好的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：具有电极形成面(3a)的压电基板(3)、和被设置在电极形成面(3a)上的IDT电极(2)。IDT电极(2)具有：被设置在电极形成面(3a)上的紧贴层(4)、和被设置在紧贴层(4)上的主电极层(6)。紧贴层4具有第1层(4A)、第2层(4B)。第1层(4A)、第2层(4B)具有第1侧面(4Ac)、第2侧面(4Bc)。第1侧面(4Ac)、第2侧面(4Bc)的至少一部分与电极形成面(3a)的法线方向Z形成第1侧面(4Ac)的倾斜角度(θ1)、第2侧面(4Bc)的倾斜角度(θ2)，以使得第2层(4B)紧贴于主电极层(6)的面的面积小于第1层(4A)紧贴于压电基板(3)的面的面积。第2侧面(4Bc)的倾斜角度(θ2)小于第1侧面(4Ac)的倾斜角度(θ1)。
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