公开(公告)号：CN100437906C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410059047.1

申请日：2004-07-29

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 武田一男 ,  佐藤健史 ,  斋藤雅和 ,  后藤顺

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种半导体薄膜及其改性方法、评价方法和应用。在用激光退火法形成多晶态半导体的方法中，降低多晶态半导体膜的表面粗糙度。在激光退火装置的光学系统中设置透射率分布滤光器，将形成了非晶态硅半导体薄膜的基板上的扫描方向的照射光强度分布，控制成有高能量光强度侧的微晶阈值以上的能量区和只熔化表层的能量区的分布，通过应用于利用通常的线光束的受激准分子激光退火法、或相位移动条纹掩模法、或SLS法中，能降低用各种方法获得的多晶的表面突起的高度。

公开(公告)号：CN101187764A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710165842.2

申请日：2007-11-05

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 丰田善章 ,  佐藤健史 ,  秋元肇

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133 ,  H05B33/00 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种图像显示装置及其制造方法。由层叠电极膜构成底栅式TFT基板的栅极电极(4)，所述层叠电极膜以与绝缘基板(1)的主面上所具有的由透明导电膜构成的像素电极同层的透明导电膜(16)为下层，在其上层重叠了金属膜(26)，像素电极(3)取为透明导电膜(16)。能够削减有源基板的制造中的光刻工序，降低制造成本。