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公开(公告)号：CN100385572C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN03123695.2
申请日：1997-08-05
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/413 , H01L27/11
CPC classification number: G11C7/18 , G06F12/0802 , G11C7/065
Abstract: 半导体存储装置，具备有：存储器阵列(BANK1)；连接于读出放大器(104)上的第1全程位线(RGBL)；连接到写入放大器(102)上的第2全程位线(WGBL)；和使多条位线(LBL)选择性地连到上述第1全程位线(RGBL)和第2全程位线(WGBL)上的选择电路(YSW1)。
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