公开(公告)号：CN100588917C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200610001247.0

申请日：2006-01-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐久间宪之 ,  山本直树 ,  武田健一 ,  福田宏

IPC: G01F1/684

CPC classification number: G01F1/6845 ,  G01F1/699 ,  G01P5/10

Abstract: 本发明提供一种流量传感器，能够通过在半导体衬底上隔着绝缘膜形成具有相对较高的TCR的金属膜来实现高灵敏度。作为热式流体流量传感器的测量元件包括：由第1金属膜构成的发热电阻体(3)、测温电阻体(上游侧测温电阻体(4a)和下游侧测温电阻体(4b))、以及空气温度测温电阻体(5)，由用溅射法在含金属的非晶质膜(9)上淀积得到的具有Ta结晶块的3倍或3倍以下电阻率的α-Ta膜形成上述第1金属膜。

公开(公告)号：CN1929699A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610105747.9

申请日：2006-07-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 东隆 ,  梅村晋一郎 ,  永田达也 ,  福田宏 ,  町田俊太郎 ,  峰利之

IPC: H04R17/00

CPC classification number: B06B1/0292 ,  H04R19/005

Abstract: 提供一种电声变换元件，其特征在于，具有：在基板或者基板中形成的第一电极；以在上述基板上设置的硅或者硅化合物为基体材料的薄膜；在上述薄膜上或者薄膜中形成的第二电极；在上述第一电极和上述第二电极间设置的空隙层；将由上述第一电极和上述第二电极赋予的电荷蓄积的、在上述第一电极和上述第二电极间设置的电荷蓄积层；以及用来测量在上述电荷蓄积层中蓄积的电荷量的源电极和漏电极。由此可以减小半导体振膜型电声变换元件中因泄漏等引起的电荷蓄积量和电声变换效率的变化，防止以该电声变换元件为基本单位构成的超声波阵列变换器的主束灵敏度的漂移和声音SN比与超声波束指向性的劣化。

公开(公告)号：CN1886006A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610002116.4

申请日：2006-01-16

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梅村晋一郎 ,  东隆 ,  永田达也 ,  福田宏 ,  峰利之 ,  町田俊太郎

IPC: H04R17/00 ,  A61B8/00

CPC classification number: B06B1/0292

Abstract: 本发明的目的在于在使膜片型电声转换元件的电声转换特性稳定的同时，降低使用该电声转换元件构成的超声波诊断装置的噪音级。由在硅底板(1)上所形成的下部电极(2)和在其上部夹持空隙部(4)的上部电极(6)形成的电容器单元(8)构成电声转换元件(9)，使用电气时间常数比1秒短且比10微秒长的材料，例如在化学计量方面过多包含硅的氮化硅形成在上部电极(6)的空隙部(4)一侧形成的电极短路防止膜(5)。其结果，电极短路防止膜(5)因为变得具有微弱的导电性，所以可以防止向电极短路防止膜(5)的带电或其漂移。其结果，电声转换元件(9)的电声转换特性稳定，而且超声波诊断装置的音响噪音级降低。

公开(公告)号：CN1413356A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN00817481.4

申请日：2000-02-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 福田宏

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/08 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0207 ,  G03F1/30 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/70466

Abstract: 在形成纵横线状电路图形时，进行相位配置使得邻接开口图形间的相位反转，抽出同相位图形邻接的A型相位冲突，和逆相位图形邻接的B型相位冲突，生成解决它们的图形，采用在同一衬底上使具有冲突消除用图形的相位掩模和与之互补地形成设计图形的互补相位掩模进行多次曝光的办法，通过顶多2块移相掩模的多次曝光，使得用现有的投影曝光法一直被认为困难的具有微细节距的庞大且随机的电路图形成为可能，此外，可以在短时间内设计这样的电路图形，可以以低成本制造半导体集成电路器件。