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公开(公告)号：CN100401174C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510052594.1
申请日：2001-09-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 提供一种降低信号线的布线电阻率的液晶显示装置。液晶显示装置包括液晶插入其中的彼此相对设置的衬底、通过从栅区信号线提供的扫描信号驱动的薄膜晶体管和经薄膜晶体管从漏区信号线提供视频信号的像素电极，薄膜晶体管和像素设置在一个衬底的液晶侧表面上的每个像素区域中。栅区信号线由多层结构制成，该多层结构包括形成在液晶侧表面上的至少一个ITO膜和形成来叠加在ITO膜上的Mo层。
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公开(公告)号：CN1920630A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610101191.6
申请日：2001-05-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L27/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本申请涉及液晶显示装置及其制造方法。本发明为具有反向交错的沟道蚀刻型薄膜晶体管的液晶显示装置的制造方法提供一种新颖光刻工艺，它使用具有至少两个厚度互不相同的区域的光致抗蚀剂图形，本发明减少了液晶显示装置的整个制造过程所需的光刻工艺数量，并提高了液晶显示装置的亮度。
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公开(公告)号：CN1268968C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN01123106.8
申请日：2001-05-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/133 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明为具有反向交错的沟道蚀刻型薄膜晶体管的液晶显示装置的制造方法提供一种新颖光刻工艺，它使用具有至少两个厚度互不相同的区域的光致抗蚀剂图形，本发明减少了液晶显示装置的整个制造过程所需的光刻工艺数量，并提高了液晶显示装置的亮度。
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公开(公告)号：CN1267783C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN03101675.8
申请日：2003-01-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/3205
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/134363
Abstract: 提供一种有源矩阵型液晶显示装置。其中，设置有在上述第一基板形成的薄膜晶体管的半导体层，在该半导体层上形成的第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜以及在第二绝缘膜上形成的公用配线，上述第二绝缘膜具有置于上述半导体层形成区域的除去区域，具有由在该除去区域中从上述公用配线供给的公用电位以及由上述半导体层形成的像素电位所形成的保持电容。
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公开(公告)号：CN1804709A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610002501.9
申请日：2001-05-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本申请涉及液晶显示装置及其制造方法。本发明为具有反向交错的沟道蚀刻型薄膜晶体管的液晶显示装置的制造方法提供一种新颖光刻工艺，它使用具有至少两个厚度互不相同的区域的光致抗蚀剂图形，本发明减少了液晶显示装置的整个制造过程所需的光刻工艺数量，并提高了液晶显示装置的亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1721934A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510091604.2
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136286
Abstract: 提供一种液晶显示装置和图像显示装置。该液晶显示装置包括夹在透明的第1基板和第2基板间的液晶层和滤色层，在上述第1基板上有多个栅极配线、多个漏极配线、以及对应于它们的各个交点形成的薄膜晶体管，由邻接的栅极配线和漏极配线包围的区域构成像素区域，各个像素至少有共用电极配线和共用电极和像素电极，其中：上述共用电极配线包括在上述像素区域中沿上述栅极配线延长方向延长的第1共用电极配线和沿上述漏极配线延长方向延长的第2共用电极配线，该第1共用电极配线与该第2共用电极配线由第1绝缘膜隔开，该第1共用电极配线与该第2共用电极配线在设在第1绝缘膜上的开口部处连接，在该开口部上形成第2绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1178098C
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN02141426.2
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/134363 , G02F1/1368 , G02F2202/104
Abstract: 一种液晶显示装置，以半导体层为一方的电极，隔着绝缘膜在与保持电容配线之间形成电容组件，在该保持电容配线上施加使MOS型晶体管经常为ON状态的电压。本发明可得到保持电容值大，而可稳定显示TFT显示装置。
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公开(公告)号：CN100426108C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610103001.4
申请日：2001-09-20
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629
Abstract: 提供一种降低信号线的布线电阻率的液晶显示装置。液晶显示装置包括液晶插入其中的彼此相对设置的衬底、通过从栅区信号线提供的扫描信号驱动的薄膜晶体管和经薄膜晶体管从漏区信号线提供视频信号的像素电极，薄膜晶体管和像素设置在一个衬底的液晶侧表面上的每个像素区域中。栅区信号线由多层结构制成，该多层结构包括形成在液晶侧表面上的至少一个ITO膜和形成来叠加在ITO膜上的Mo层。
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公开(公告)号：CN100390624C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200510091604.2
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136286
Abstract: 提供一种液晶显示装置和图像显示装置。该液晶显示装置包括夹在透明的第1基板和第2基板间的液晶层和滤色层，在上述第1基板上有多个栅极配线、多个漏极配线、以及对应于它们的各个交点形成的薄膜晶体管，由邻接的栅极配线和漏极配线包围的区域构成像素区域，各个像素至少有共用电极配线和共用电极和像素电极，其中：上述共用电极配线包括在上述像素区域中沿上述栅极配线延长方向延长的第1共用电极配线和沿上述漏极配线延长方向延长的第2共用电极配线，该第1共用电极配线与该第2共用电极配线由第1绝缘膜隔开，该第1共用电极配线与该第2共用电极配线在设在第1绝缘膜上的开口部处连接，在该开口部上形成第2绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1655040A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510052594.1
申请日：2001-09-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629
Abstract: 提供一种降低信号线的布线电阻率的液晶显示装置。液晶显示装置包括液晶插入其中的彼此相对设置的衬底、通过从栅区信号线提供的扫描信号驱动的薄膜晶体管和经薄膜晶体管从漏区信号线提供视频信号的像素电极，薄膜晶体管和像素设置在一个衬底的液晶侧表面上的每个像素区域中。栅区信号线由多层结构制成，该多层结构包括形成在液晶侧表面上的至少一个ITO膜和形成来叠加在ITO膜上的Mo层。
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