公开(公告)号：CN1344028A

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN01125141.7

申请日：1997-03-07

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超爱尔、爱斯、爱工程股份有限公司

Inventor： 渡部隆夫 ,  鲇川一重 ,  藤田良 ,  柳泽一正 ,  田中均

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C7/02 ,  G11C7/10 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/1042 ,  G11C7/1072 ,  H01L27/10897

Abstract: 具有多条I/O线的存储器芯、传送电路用模块以及逻辑库并存储在数据库中,用它们进行半导体集成电路装置设计。进而,把具有多条I/O线的存储器芯和逻辑电路配置成各I/O线为同一方向,在I/O线之间配置由多级开关群构成的传送电路。若一级或少数级数的开关群导通,则存储器芯的I/O线和逻辑电路的I/O线连通形成传送图形。进而,以放大器模块、存储体模块、电源模块等功能块的组合构成存储器芯、行序列电路和沿位线方向延伸的多条I/O线。

公开(公告)号：CN1112729A

公开(公告)日：1995-11-29

申请号：CN95100994.X

申请日：1995-03-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 本诚繁 ,  柳泽一正 ,  井上清

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 由具有铁电电容器的存储单元构成的存储矩阵按字线划分为一组存储块。由于配置了存储存储块模式信息的模式存储电路和对存储块相继受到刷新的次数进行计数的刷新操作计数电路，使得相继受到预定次数刷新操作的存储块转换为NV(非易失)模式，而使得有一个存储单元受到读/写操作的存储块转换为DRAM(易失)模式。因为对处于NV模式的存储块不进行刷新和只在向NV模式转换时极化才反相，所以大大降低了功耗和消除了对重写次数的限制。