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公开(公告)号:CN102590729B
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201110437283.2
申请日:2006-03-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R31/28 , G01R31/302
CPC classification number: G01R31/2822 , G01R31/2886 , G01R31/3025 , H01L27/13
Abstract: 本发明提供了一种包括半导体层的基板,其中可以高可靠度评价元件的特性,以及其评价方法。本发明的包括半导体层的基板具有其中天线线圈和半导体元件串联连接的闭环电路,且其上形成有该电路的区域的表面覆盖有绝缘膜。通过使用这种电路,可以实施无接触检查。此外,环形振荡器可以替代该闭环电路。
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公开(公告)号:CN101033057B
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN200710086232.3
申请日:2007-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B81B3/001 , B81C2201/115 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种微结构、半导体器件、以及微结构的制造方法。所述微结构包括:第一结构层;以及夹着空隙与所述第一结构层相对,且其一部分固定于第一结构层上的第二结构层。第一结构层及第二结构层中的至少一个可以改变位置。另外,第一结构层及第二结构层的相对的表面都以互不相同的粗糙度表面粗糙化。
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公开(公告)号:CN1962409B
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN200610146343.4
申请日:2006-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00476
Abstract: 本发明的目的是减少为了形成微结构的空间而提供的牺牲层所使用的光掩模的数目,并且降低制造成本。通过由同一光掩模构图的抗蚀剂掩模来形成牺牲层。在用抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第一牺牲层之后,通过使用由同一光掩模形成图案的抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第二牺牲层。通过在蚀刻一方的牺牲层之前使抗蚀剂掩模的外形尺寸扩大或缩小而改变其形状,可以形成大小不同的牺牲层。
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公开(公告)号:CN101064287B
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN200710100943.1
申请日:2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/98 , H01L21/60 , H01L21/82 , H01L21/768 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L27/00 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L23/4985 , H01L23/49855 , H01L23/5389 , H01L25/105 , H01L27/0688 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L2224/24145 , H01L2224/76155 , H01L2924/01019 , H01L2924/07811 , H01L2924/12032 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体衬底中形成通孔的工序或对半导体衬底从背面进行抛光的工序需要非常长的时间,这成为产率降低的原因。另外,由于层叠有半导体衬底,所以被层叠而形成的半导体集成电路变厚,机械柔软性低。本发明的技术要点如下:在多个衬底上形成剥离层,并在剥离层上形成半导体元件及用来形成贯穿布线的开口部。然后,从衬底剥离具有半导体元件的层并层叠它们,并通过在开口部中形成具有导电性的层形成贯穿布线,以制造半导体集成电路。
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公开(公告)号:CN101405215A
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200780009662.3
申请日:2007-05-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/762 , B32B38/10 , B81C3/008 , B81C2201/019 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供一种微结构、微机械、以及微结构和微机械的制造方法。制造微结构和微机械而无需牺牲层蚀刻。分离层102被形成于衬底101上方,并且作为可移动电极的层103被形成于分离层102上方。在分离层102的界面处,作为可移动电极的层103被从衬底分离开。作为固定电极的层106被形成于另一衬底105上方。作为可移动电极的层103隔着部分地设置的间隔层103被固定到衬底105上,使得作为可移动电极的层103与作为固定电极的层106彼此相对置。
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公开(公告)号:CN101137912A
公开(公告)日:2008-03-05
申请号:CN200680007477.6
申请日:2006-03-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R31/308 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: G01R31/2822 , G01R31/2886 , G01R31/3025 , H01L27/13
Abstract: 本发明提供了一种包括半导体层的基板,其中可以高可靠度评价元件的特性,以及其评价方法。本发明的包括半导体层的基板具有其中天线线圈和半导体元件串联连接的闭环电路,且其上形成有该电路的区域的表面覆盖有绝缘膜。通过使用这种电路,可以实施无接触检查。此外,环形振荡器可以替代该闭环电路。
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公开(公告)号:CN101108720A
公开(公告)日:2008-01-23
申请号:CN200710137047.2
申请日:2007-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2201/034 , B81C1/00246 , B81C2203/0742
Abstract: 本发明的目的在于:通过相同的工序,将微机电装置包括的微结构和电路制造在相同的绝缘表面上。本发明的微机电装置集成有在具有绝缘表面的衬底上包括晶体管的电路和微结构。微结构包括具有与晶体管的栅绝缘层以及在栅绝缘层上设计的半导体层的叠层体相同的叠层结构的结构层。就是说,结构层包括由与栅绝缘层相同的绝缘膜形成的层,并且还包括与晶体管的半导体层相同的半导体膜形成的层。进而,微结构通过将用于晶体管的栅电极、源电极、漏电极的导电层用作牺牲层来制造。
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公开(公告)号:CN101064287A
公开(公告)日:2007-10-31
申请号:CN200710100943.1
申请日:2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/98 , H01L21/60 , H01L21/82 , H01L21/768 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L27/00 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L23/4985 , H01L23/49855 , H01L23/5389 , H01L25/105 , H01L27/0688 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L2224/24145 , H01L2224/76155 , H01L2924/01019 , H01L2924/07811 , H01L2924/12032 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体衬底中形成通孔的工序或对半导体衬底从背面进行抛光的工序需要非常长的时间,这成为产率降低的原因。另外,由于层叠有半导体衬底,所以被层叠而形成的半导体集成电路变厚,机械柔软性低。本发明的技术要点如下:在多个衬底上形成剥离层,并在剥离层上形成半导体元件及用来形成贯穿布线的开口部。然后,从衬底剥离具有半导体元件的层并层叠它们,并通过在开口部中形成具有导电性的层形成贯穿布线,以制造半导体集成电路。
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公开(公告)号:CN1965408A
公开(公告)日:2007-05-16
申请号:CN200580018287.X
申请日:2005-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/10 , H01L21/82 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种用于使用和便宜的存储器件,同时即使当存储器与其它功能电路在同一衬底上形成时,仍然保持产品规格和生产率。本发明的存储器件包括在绝缘表面上形成的存储单元。该存储单元包括具有两个杂质区域的半导体薄膜、栅极、以及连接相应杂质区域的两条接线。通过在栅极和两条接线的至少之一之间施加电压这两条接线彼此绝缘,以改变半导体薄膜的状态。
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公开(公告)号:CN1874551A
公开(公告)日:2006-12-06
申请号:CN200610089962.4
申请日:2006-05-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G08B3/1008
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种通讯系统,其中在指定区域的用户可以在不运行设备时立即获得信息。该通讯系统具有RFID卡、用于通讯的读写器、主机和信息通讯装置。RFID卡无线地向用于通讯的读写器传送信息和从读写器接收信息。因此用户可以自由地携带RFID卡。在RFID卡中的存储器部分具有可重写存储器部分和不可重写存储器部分。无线地提供用于操作RFID卡所需的电能,其有助于减小RFID卡的尺寸和重量。通过在RFID卡中提供显示部分,可以在显示部分上显示无线传送的信息,并且用户可以立即识别信息。
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