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公开(公告)号：CN114447112A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110971529.8
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开半导体装置以及半导体模块。提供能够降低损耗的半导体装置以及半导体模块。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第4电极、半导体构件、第1绝缘构件以及第2绝缘构件。半导体构件设置于第2电极与第1电极之间。第1半导体构件包括第1～第7半导体区域。第4半导体区域具有第1杂质浓度、第1载流子浓度以及第4半导体区域的体积相对于半导体构件的体积的第1体积比。第7半导体区域具有比第1杂质浓度高的第2导电类型的第2杂质浓度、比第1载流子浓度高的第2导电类型的第2载流子浓度以及比第1体积比高的第2体积比中的至少任意一个。第2体积比是第7半导体区域相对于半导体构件的体积的体积比。
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公开(公告)号：CN113345958A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010951181.1
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供半导体装置的控制方法，能够降低接通时损耗。半导体装置具备第1电极与第2电极间的半导体部及设置于半导体部与第1电极间的第1～第3控制电极。半导体部包括第1导电类型的第1层、第2导电类型的第2层、第1导电类型的第3层及第2导电类型的第4层。第2层设置于第1层与第1电极间，第3层设置于第2层与第1电极间，第4层设置于第1层与第2电极间。对第1～第3控制电极在第1～第3时间点分别施加比阈值电压高的第1～第3电压。在第1～第3时间点后的第4时间点将第3电压降低到比阈值电压低的电平，在第4时间点后的第5时间点将第2电压降低到比阈值电压低的电平，在第5时间点后的第6时间点将第1电压降低到比阈值电压低的电平。
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公开(公告)号：CN113224152A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010939014.5
申请日：2020-09-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供半导体装置，其能够降低二极管动作中的恢复损耗。半导体装置具备第1电极与第2电极之间的半导体部和第1及第2控制电极。第1控制电极配置于第1电极与半导体部之间的第1沟槽内，第2控制电极配置于第2电极与半导体部之间的第2沟槽内。半导体部包括第1导电类型的第1层、第2导电类型的第2层、第1导电类型的第3层、第2导电类型的第4层、第1导电类型的第5层及第1导电类型的第6层。第2层设置于第1层与第1电极之间，第3层设置于第2层与第1电极之间。第4层设置于第1层与第2电极之间，第5层设置于第4层与第2电极之间，第6层设置于第1层与第2电极之间。第2电极经由包括第6层的第1导电类型区域与第1层连接。
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公开(公告)号：CN112786696A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010951158.2
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 提供能改善二极管特性的半导体装置，其具备半导体部的第1面上的第1电极、与第1面相反一侧的第2面上的第2电极以及位于第1面侧的沟槽中的第1控制电极、第2控制电极。半导体部包括第1导电类型第1层、第2导电类型第2层、第2导电类型第3层、第1导电类型第4层、第2导电类型第5层以及第1导电类型第6层。第2层选择性地设置于第1层与第1电极之间，与第1控制电极相向。第3层包含浓度比第1层的第2导电类型杂质高的第2导电类型杂质，与第2控制电极相向。第4层选择性地设置于第2层与第1电极之间。第5层以及第6层选择性地设置于第1层与第2电极之间。第1电极电连接于第2层以及第3层，第2电极电连接于第4层以及第5层。
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公开(公告)号：CN112713187A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010951394.4
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供半导体装置，其能够降低导通时的导通损耗及关断时的开关损耗。半导体装置具备：半导体部上的第1电极；与第1电极相反的一侧的第2电极；第1～第3控制电极，设置于半导体部与第1电极之间；及第1及第2控制端子，与第1及第2控制电极分别电连接。第1～第3控制电极分别位于在半导体部的第1面侧设置的沟槽中，第3控制电极位于第1及第2控制电极之间。半导体部包括第1导电类型的第1层、第2导电类型的第2层、第1导电类型的第3层及第2导电类型的第4层。第2层位于第1层与第1电极之间，第3层选择性地设置于第2层与第1电极之间。第4层设置于第1层与第2电极之间。第1电极与第2层及第3层电连接。
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公开(公告)号：CN111416598A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201911177889.X
申请日：2019-11-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H03K5/15 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供能够抑制损耗的控制电路、半导体装置及电路装置。根据实施方式，控制电路与包括RC-IGBT的第一元件的元件部连接。第一元件包括第一栅极、第一其它栅极、第一集电极及第一发射极。控制电路实施第一动作及第二动作。在第一动作的至少一部分中，控制电路使第一电流从第一集电极向第一发射极流动。在第二动作的至少一部分中，控制电路使第二电流从第一发射极向第一集电极流动。控制电路在第二动作中，将第一脉冲供给到第一栅极，将第一其它脉冲供给到第一其它栅极。第一脉冲具有第一开始时刻及第一结束时刻。第一其它脉冲具有与第一开始时刻不同的第一其它开始时刻以及与第一结束时刻不同的第一其它结束时刻中的至少任意时刻。
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公开(公告)号：CN113782597B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202110032976.7
申请日：2021-01-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06
Abstract: 提供能够进行稳定的动作的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1、第2导电部件、第1、第2电极、第1～第4半导体区域以及第1绝缘部件。第1绝缘部件的一部分的厚度比第1绝缘部件的另外一部分的厚度厚。在第2导电部件成为截止状态之前，第1导电部件成为截止状态。
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公开(公告)号：CN113540242B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202110052353.6
申请日：2021-01-15
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第1半导体构件、第2半导体构件、第3半导体构件、第3电极、第1导电构件以及绝缘构件。连接构件的至少一部分处于第2半导体构件的第1半导体区域与第3电极之间。绝缘构件的第5部分处于第1半导体区域与连接构件之间。第5部分与第1半导体区域以及连接构件相接。
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公开(公告)号：CN114764553A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110985650.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 坂野竜则
IPC: G06F30/39
Abstract: 提供能够更高效地搜索控制值的设计支持装置、设计支持系统、电气装置、设计支持方法以及存储介质。设计支持装置执行第1处理。设计支持装置在第1处理中，针对设置有包括第1栅极以及第2栅极的多个栅极的半导体元件，设定包括向第1栅极施加电压的第1定时与向第2栅极施加电压的第2定时的第1时间差的控制值组。设计支持装置在第1处理中，根据与控制值组对应的电信号被输入到半导体元件时的输出结果，计算表示半导体元件的特性的特性值。设计支持装置在第1处理中，根据包括基于特性值的得分与控制值组的1个以上的数据集的历史数据来计算第1函数。设计支持装置使用第1函数来设定新的控制值组。
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公开(公告)号：CN113782597A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110032976.7
申请日：2021-01-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06
Abstract: 提供能够进行稳定的动作的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1、第2导电部件、第1、第2电极、第1～第4半导体区域以及第1绝缘部件。第1绝缘部件的一部分的厚度比第1绝缘部件的另外一部分的厚度厚。在第2导电部件成为截止状态之前，第1导电部件成为截止状态。
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