-
公开(公告)号：CN111690992A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010122718.3
申请日：2020-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: D01D5/00
Abstract: 本发明的实施方式涉及喷头单元、电场纺丝喷头以及电场纺丝装置。提供可抑制结构以及控制系统的复杂化、制造成本的增加以及生产率的降低并且恰当地形成宽度方向尺寸大的纤维的膜的喷头单元、电场纺丝喷头以及电场纺丝装置。根据实施方式，电场纺丝喷头具备多个喷头单元以及连结构造，多个喷头单元通过连结构造相互连结。多个喷丝喷头单元分别具备单元主体以及喷嘴。在单元主体的内部沿着长边轴形成用于收纳原料液的空洞。喷嘴由导电材料形成，并且设置在单元主体的外周面。喷嘴喷出经由单元主体的空洞供给的原料液。连结构造在单元主体的空洞相互连通的状态下将多个喷头单元连结。
-
公开(公告)号：CN110899179A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910197248.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝基础设施系统株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及清洁器头、去除装置及去除方法。提供在形成于基材的表面的薄片处仅从希望的部位去除有机纤维的清洁器头、去除装置、及去除方法。根据实施方式，提供具有第1旋转体、第2旋转体、及接触面的清洁器头。第1旋转体能够在外周面与形成于基材的表面的包含有机纤维的薄片接触的状态下进行旋转驱动，能够在薄片的一部分处去除有机纤维。第2旋转体在沿第1旋转体的旋转轴的方向上，相对于第1旋转体并排设置，在不与薄片接触的状态下与第1旋转体一起旋转。接触面在围绕旋转轴的方向上的远离薄片的位置与第2旋转体的外周面接触。
-
公开(公告)号：CN111758149B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201880090262.8
申请日：2018-10-25
Applicant: 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/205 , A62D3/36 , A62D101/49 , C23C16/44
Abstract: 根据一实施方式，提供一种处理液。处理液是用于对通过使用包含硅及卤素的气体使含硅物在基材上沉积的方法而产生的副产物进行处理的处理液。处理液包含无机碱及有机碱中的至少一者，且为碱性。
-
公开(公告)号：CN111758148B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201880090250.5
申请日：2018-10-25
Applicant: 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/205 , A62D3/36 , A62D101/49 , C23C16/44
Abstract: 根据一实施方式，提供一种处理液。处理液是用于对具有环状结构的卤硅烷类进行处理的处理液。处理液包含无机碱及有机碱中的至少一者，且为碱性。
-
公开(公告)号：CN112997281B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202080005933.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 株式会社东芝 , 铠侠股份有限公司 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 根据实施方式，本申请提供一种判定方法。判定方法对在使包含硅及卤素的物质反应或者使包含硅的物质与包含卤素的物质反应的工序中产生的副产物的处理的进行判定。副产物的处理包括使包含水的处理液与副产物接触而得到第一固形物。判定方法包括基于关于第一固形物的Si‑α键(α为选自由F、Cl、Br及I构成的组中的至少1种)及Si‑H键中的至少一者的利用化学分析的信号来判定副产物的处理的进行。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111690992B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202010122718.3
申请日：2020-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: D01D5/00
Abstract: 本发明的实施方式涉及喷头单元、电场纺丝喷头以及电场纺丝装置。提供可抑制结构以及控制系统的复杂化、制造成本的增加以及生产率的降低并且恰当地形成宽度方向尺寸大的纤维的膜的喷头单元、电场纺丝喷头以及电场纺丝装置。根据实施方式，电场纺丝喷头具备多个喷头单元以及连结构造，多个喷头单元通过连结构造相互连结。多个喷丝喷头单元分别具备单元主体以及喷嘴。在单元主体的内部沿着长边轴形成用于收纳原料液的空洞。喷嘴由导电材料形成，并且设置在单元主体的外周面。喷嘴喷出经由单元主体的空洞供给的原料液。连结构造在单元主体的空洞相互连通的状态下将多个喷头单元连结。
-
公开(公告)号：CN111148862B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201880062177.0
申请日：2018-02-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供即便当在基材的两面形成纤维膜的情况下也能够抑制因纤维膜贴附于输送辊而导致纤维膜从基材剥离的电场纺丝装置。实施方式所涉及的电场纺丝装置具有：输送辊，其是输送基材的辊，且具有在输送上述基材时与上述基材接触的输送面；以及喷头单元，朝由上述输送辊输送的上述基材排出纤维的原料液从而在上述基材上形成上述纤维的膜。上述输送辊的上述输送面具有1.6以下的表面粗糙度(Ra)。并且，其他实施方式所涉及的装置具有：输送辊，其是输送基材的辊，且具有在输送上述基材时与上述基材接触的输送面；以及喷头单元，朝由上述输送辊输送的上述基材排出纤维的原料液从而在上述基材形成上述纤维的膜。上述输送辊的上述输送面具有覆膜，上述覆膜包含氟系树脂。
-
-
公开(公告)号：CN107415383B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201710569491.5
申请日：2016-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B32B27/36 , B32B27/34 , B32B27/08 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/38 , B32B27/02 , B32B27/12 , B32B15/20 , B32B15/14 , B32B15/082 , B32B27/28 , B32B7/12
Abstract: 根据实施方式，提供一种结构体，其具备：由纤维构成的芯材、和构成芯材且与芯材接触的内芯材。
-
公开(公告)号：CN111485286A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010069926.1
申请日：2020-01-21
Abstract: 本发明的实施方式涉及含硅物质形成装置。提供在不将形成排出路径的配管卸下的情况下，将在含有硅及卤素元素的原料物质的反应、或含有硅的原料物质与含有卤素元素的原料物质的反应中产生的副产物进行处理的含硅物质形成装置。根据实施方式，含硅物质形成装置具备反应室、排出机构、处理液罐、供给机构和流路切换构件。来自反应室的排出物质经由排出机构的排出路径而排出。供给机构将处理液从处理液罐经由供给管线向排出路径供给，利用所供给的处理液，将通过反应而产生的副产物在排出路径中处理。流路切换构件在与反应室及供给管线各自之间切换排出路径的连通状态。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
43
records
(took 0.034 seconds)
