公开(公告)号：CN109428262A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201811029974.7

申请日：2018-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤真司 ,  角野努 ,  桥本玲 ,  金子桂 ,  甲斐康伸

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明提供提高了散热性、降低了从芯片侧面的光的泄漏的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有活性层和第1半导体层。第1半导体层设置在活性层之上，具有第1面。第1面包括由第1凹部构成第1二维光栅的内部区域以及由第2凹部构成第2二维光栅的外周区域。第1凹部的光栅间隔是第2凹部的光栅间隔的m倍。第1凹部的平面形状为，关于在第1平面形状的重心通过并且与第1二维光栅的至少1边平行的线非对称。第2凹部的平面形状为，关于在平面形状的重心通过并且与第2二维光栅的全部的边平行的线分别对称。激光具有与第2凹部的光栅间隔对应的发光波长并且从内部区域在与活性层大致垂直的方向上被放出。

公开(公告)号：CN108701963A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680083224.0

申请日：2016-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤真司 ,  角野努 ,  山根统 ,  津村明

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/343

Abstract: 分布反馈型半导体激光器具有半导体层叠体和第一电极。上述半导体层叠体包括第一层、设置在上述第一层之上且能够通过子带间光跃迁射出激光的有源层、和设置在上述有源层之上的第二层。上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，该平坦部包括上述第二层的表面，该槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿着第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅。上述第一电极设于上述第一区域。

公开(公告)号：CN106062534A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011732.3

申请日：2015-09-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高木茂行 ,  角野努 ,  盐见康友 ,  前川阳 ,  草场美幸 ,  长谷川裕 ,  麻柄隆

IPC: G01N21/3504

CPC classification number: G01N21/3504 ,  G01N21/39 ,  G01N33/497 ,  G01N2021/399 ,  G01N2201/13

Abstract: 气体分析方法，对被导入到气室的采样气体入射被调谐为与所述采样气体中包含的对象气体的一个吸收谱线对应的波长的红外光，测定与透射所述气室后的所述红外光的透射光的强度对应的采样信号值，将所述气室内的所述采样气体排气后用基准气体进行置换，测定与透射所述基准气体后的所述红外光的透射光的强度对应的基准信号值，根据所述采样信号值相对于所述基准信号值的比率，计算所述一个吸收谱线上的气体浓度。