公开(公告)号：CN1278419C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN03145379.1

申请日：2003-07-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡边浩志 ,  松澤一也 ,  白田理一郎

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/7883 ,  G01R31/2642 ,  G06F9/3802 ,  G06F2221/2137 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/073 ,  G06K19/07372 ,  G06Q20/341 ,  G07C9/00111 ,  G07C2009/00976 ,  G07F7/082 ,  G07F7/084 ,  G07F7/1008 ,  G11C16/14 ,  G11C16/349 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11558 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825

Abstract: 一种半导体集成电路，具有带有效期限的功能利用装置，所述半导体装置包括：第一功能块；第二功能块；连接在第一和第二功能块之间、能利用通过它们相互访问而产生的所需功能的信号线；和由在半导体层内分开形成的源区和漏区及在其间的沟道区域上绝缘形成的栅电极构成的半导体时限开关，其中，把所述源、漏区作为开关的两个连接端插入或连接在信号线上；在半导体时限开关与电源连接的时间内，通过预先向栅电极供给电荷来使所述源、漏区间变为导通或非导通状态；在所述半导体时限开关从电源断开经过规定时间后，所述电荷随时间的经过从所述栅电极放出，在不供电的情况下使所述第一和第二功能块间的相互访问成为不可能、或在不供电的情况下使所述第一和第二功能块间的相互访问实质上成为可能。

公开(公告)号：CN1201402C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02106749.X

申请日：2002-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松永泰彦 ,  八重樫利武 ,  荒井史隆 ,  白田理一郎

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  G11C16/00

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/10

Abstract: 防止误写入的非易失性半导体存储装置。多个存储器晶体管串联，两端分别通过选择栅极晶体管连接到位线和公用源极线上构成NAND单元。给NAND单元的被选中的存储器晶体管的控制栅极加上写入电压Vpgm进行写入，给其两邻的非被选存储器晶体管的控制栅极加上Vss。在该写入动作中，在选中从位线BL一侧算起的第2号存储器晶体管时，给从位线BL一侧算起的第1号和第3号以后的非被选存储器晶体管的控制栅极加上中间电压。

公开(公告)号：CN1277460A

公开(公告)日：2000-12-20

申请号：CN00106967.5

申请日：2000-04-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 合田晃 ,  白田理一郎 ,  清水和裕 ,  间博显 ,  饭塚裕久 ,  有留诚一 ,  森山和歌子

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11543 ,  Y10S257/909

Abstract: 在同一衬底上边设置单元晶体管和外围晶体管的EEPROM中,即便各自栅极长度不同,也可以使后氧化量或退火的条件最佳化。例如,在用第1绝缘膜37覆盖栅极长度比外围CT的栅极电极41还短的单元晶体管ST一侧的状态下,在氧化气氛中进行退火。充分生长外围晶体管CT的源·漏扩散层42、43与栅极电极部分41重叠。在单元晶体管ST一侧抑制氧化的进行,使得抑制因后氧化而形成的鸟喙量的增加或因杂质的过度扩散所引起的短沟效应。