公开(公告)号：CN102959850B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180029396.7

申请日：2011-08-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池桥民雄 ,  宫崎隆行 ,  原浩幸

IPC: H02N1/00

CPC classification number: H02N1/006

Abstract: 根据一个实施例，半导体器件包括静电致动器，所述静电致动器包括第一和第二下电极（43，44），所述第一和第二下电极（43，44）上方通过锚状物支撑的且配置为向下移动的上电极（45），以及所述上电极（45）与所述第一和第二下电极（43，44）之间提供的绝缘膜（46），所述第一下电极（43）和上电极（45）构成第一可变电容元件（CEMS1），所述第二下电极（44）和上电极（45）构成第二可变电容元件（CMEMS2）；第一固定电容元件（CMIM1），连接到所述第一下电极（43）；第二固定电容元件（CMIM2），连接到所述第二下电极（44）；以及检测电路（15），连接到所述上电极（45）并且配置为检测存储在所述绝缘膜（46）中的电荷量。

公开(公告)号：CN101533937A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910126558.3

申请日：2009-03-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 日浦滋 ,  山崎宏明 ,  池桥民雄

IPC: H01P1/12

CPC classification number: H01P1/127 ,  H01H59/0009

Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种可实现具有高Q值的可变电容部且可减少电路损耗的高频电子元件。其解决方案是作为高频电子元件的高频MEMS(1)具有：硅基板(2)；在硅基板(2)上彼此交叉地形成的高频信号线(5)和接地线(4)；以及电介质膜(8)，其在高频信号线(5)和接地线(4)的梁(8)交叉的部分，形成在高频信号线(5)和接地线(4)的至少一方上，且构成可变电容部(13)，该可变电容部(13)为，高频信号线(5)和接地线(4)能够沿接触分离方向相对移位地被支撑。

公开(公告)号：CN1494157A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03158559.0

申请日：2003-09-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池桥民雄 ,  大泽隆

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/82 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C7/02 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4087 ,  G11C2207/2281 ,  G11C2207/229 ,  H01L29/7841

Abstract: 半导体存储器件具有：把多个存储单元配置为矩阵状的存储单元阵列、多条字线、多条位线、解码器电路、读出部件。在解码器电路中输入地址信号和第一控制信号，根据所述第一控制信号，驱动由所述地址信号决定的字线即选择字线或与所述选择字线相邻的字线即相邻字线。读出部件连接在所述位线上，读出连接在由所述解码器电路驱动的字线上的存储单元中存储的数据。