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公开(公告)号：CN1347158A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN01132885.1
申请日：2001-09-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/74 , H01L29/745 , H01L29/78
Abstract: 为折衷关断特性和导通特性,在衬底一面上形成N型缓冲层和低注入发射极构造的P型集电极层10。N型漂移层的厚度确保耐压。在衬底另一面上形成P型基极层、N型发射极层以及P型接触层。N型低电阻层降低了结型场效应晶体管效果。发射极电极与N型发射极层以及P型接触层连接,集电极与P型集电极层连接。栅电极被形成在P型基极层表面部分的沟道区域上的栅绝缘膜上。
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