公开(公告)号：CN110867469A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201911126678.3

申请日：2015-01-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H01L51/52 ,  H01L21/34

Abstract: 提供一种使用氧化物半导体的顶部栅极结构的有机EL显示装置，有机EL显示装置在实现接触区域的低电阻化的同时，进一步提高了对水分的阻隔性。有机EL显示装置的TFT基板(1)具备第1水分阻隔层(6)，所述第1水分阻隔层(6)被设置为覆盖栅极绝缘层(4)以及栅电极(5)，并且，被设置为覆盖氧化物半导体层(3)的接触区域(3a1、3a2)上的、除了接触区域(3a1)与源电极(8)的接合部分、以及接触区域(3a2)与漏电极(9)的接合部分之外的区域、和基板(2)上的不存在氧化物半导体层(3)的区域。第1水分阻隔层(6)包含金属氧化物，采用原子层沉积法形成。

公开(公告)号：CN107516471A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201710679587.7

申请日：2014-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  森田清之

IPC: G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。

公开(公告)号：CN107464819A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710679609.X

申请日：2014-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  森田清之

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。

公开(公告)号：CN104350533B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201480001305.2

申请日：2014-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  森田清之

IPC: G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G09F9/30 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L2227/323 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

Abstract: 一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。