公开(公告)号：CN100537470C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200680008526.8

申请日：2006-03-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 黑羽智宏 ,  谷口升

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/50 ,  G01N27/41 ,  G01N27/416

CPC classification number: G01N27/4074 ,  C04B35/01 ,  C04B35/48 ,  C04B35/50 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62655 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669 ,  H01M8/04089 ,  H01M8/1246 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明提供了一种材料，其以高离子传导率传导质子或氧化物离子并且耐湿性和耐还原性优异，其中将式(1)代表的钙钛矿氧化物用作离子导体：BaZraCebM1cL1dO3-α…(1)(其中M1是选自稀土元素，In、Mn、Fe、Co、Ni、Al和Ga中的至少一种元素，L1是选自P、B和N中的至少一种元素，a、b、c、d和α满足：0≤a＜1.2，0＜b＜1.2，0＜c＜1.2，0.9＜a+b+c＜1.2，0＜d＜0.1和0＜α＜3)。

公开(公告)号：CN102099508B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201080002101.2

申请日：2010-06-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野村幸生 ,  铃木孝浩 ,  德弘宪一 ,  黑羽智宏 ,  谷口昇 ,  羽藤一仁 ,  德满修三

IPC: C25B9/00 ,  C01B3/04

CPC classification number: C25B1/003 ,  C01B3/042 ,  H01M14/005 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/368 ,  Y02P20/135

Abstract: 一种光电化学器件(1)，是利用光的照射来分解水而使氢发生的光电化学器件，其具有：导电基板；第一电极(光半导体电极(3))，其配置在导电基板的第一主面上，且含有光半导体；第二电极(反电极(4))，其配置在导电基板的所述第一主面上的、且未配置所述第一电极的区域；电解液，其与所述第一电极的表面和所述第二电极的表面接触，且含有水；隔壁(5)，其将所述第二电极的表面的上部区域从所述第一电极的表面的上部区域分离，且按照沿着在所述第二电极的表面发生的气体的移动方向延长的方式设置，并由使离子透过且抑制气体的透过的材料形成；容器(2)，其收容所述导电基板、所述第一电极、所述第二电极、所述电解液和所述隔壁。

公开(公告)号：CN102421942B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201080020692.6

申请日：2010-06-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野村幸生 ,  铃木孝浩 ,  德弘宪一 ,  黑羽智宏 ,  谷口升 ,  羽藤一仁 ,  德满修三

IPC: C25B9/00 ,  C25B1/04 ,  C01B3/04 ,  H01M8/06

CPC classification number: C01B3/042 ,  C25B1/003 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366 ,  Y02P20/135

Abstract: 本发明提供一种光电化学单元。所述光电化学单元(1)具备：光半导体电极(第一电极)(3)，其包括导电基板(3a)及配置在导电基板(3a)上的作为光半导体层的n型半导体层(3b)；对电极(第二电极)(4)，其与光半导体电极(3)的导电基板(3a)侧的面对置配置且与导电基板(3a)电连接；电解液(11)，其与n型半导体层(3b)的表面及对电极(4)的表面接触且含有水；容器(2)，其收容光半导体电极(3)、对电极(4)及电解液(11)；供给口(5)，其用于向容器内部供给水；离子通过部(12)，其使离子能够在n型半导体层(3b)的表面侧的区域A中的电解液与相对于光半导体电极(3)而与区域A相反侧的区域B中的电解液之间移动。

公开(公告)号：CN102123792A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201080002312.6

申请日：2010-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 谷口昇 ,  德弘宪一 ,  铃木孝浩 ,  黑羽智宏 ,  野村幸生 ,  羽藤一仁

IPC: B01J35/02 ,  B01J23/08 ,  B01J23/10

CPC classification number: B01J35/004 ,  B01J23/002 ,  B01J23/08 ,  B01J23/10 ,  B01J23/62 ,  B01J2523/00 ,  C01B3/042 ,  C01B13/0207 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/34 ,  C01P2006/40 ,  C25B1/003 ,  Y02E60/364 ,  B01J2523/25 ,  B01J2523/32 ,  B01J2523/48 ,  B01J2523/375 ,  B01J2523/33

Abstract: 本发明的光激发半导体，是钙钛矿型氧化物的半导体，具有由通式：BaZr1-xMxO3-α(式中，M为从3价元素中选出的至少一种元素，x是比0大、低于0.8的数值，α是氧欠缺量且是比0大、低于1.5的数值。)表示的组成，晶系为立方晶、正方晶或斜方晶，所述晶系的晶格常数设为a、b、c(其中a≤b≤c)时，满足0.41727nm≤a、b、c≤0.42716nm，a/c≥0.98的条件。