逐次比较型AD变换器
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103583002A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201180070669.2

    申请日:2011-08-03

    CPC classification number: H03M1/1033 H03M1/1061 H03M1/466

    Abstract: 高位侧DAC(21)以及低位侧DAC(22)具有以二进制比率来对电容值进行加权的多个电容元件(c1~c4、c6~c9),构成为:各电容元件的一端与公共节点连接,另一端与第一以及第二电压的任一者选择性地连接,且以耦合电容(23)来耦合高位侧DAC和低位侧DAC。高位侧DAC控制电路(7)对高位侧DAC选择性地输入补正控制信号以及从逐次比较电路(5)输出的数字信号的任一者。低位侧DAC(22)具有至少1个可变电容元件(ct1、ct2),其一端与公共节点连接,另一端根据从逐次比较电路(5)向高位侧DAC(21)输出的数字信号的高位比特而与第一以及第二电压的任一者选择性地连接。

    耦合式环形振荡器及其初始化方法

    公开(公告)号:CN102084591B

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN200980126229.7

    申请日:2009-03-05

    CPC classification number: H03K3/0315 H03K2005/00052

    Abstract: 一种耦合式环形振荡器,其具备:q个环形振荡器(10),各环形振荡器(10)分别由p个反相电路(11)连接为环状而成;和相位耦合环(20),其通过将p×q个相位耦合电路(21)连接为环状而成,该相位耦合电路,将q个环形振荡器的任意一个中的p个反相电路的任意一个的输出,与q个环形振荡器的另一个中的p个反相电路的任意一个的输出,以规定的相位关系耦合,关于所述耦合式环形振荡器,将q个环形振荡器的每一个中的p个反相电路的任意一个作为组,至少对于一个组,将属于该组的q个反相电路的输出固定为同相(步骤1),并在此状态下使q个环形振荡器振荡(步骤2),之后解除这些反相电路的输出的同相固定状态。

    半导体集成电路
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100340062C

    公开(公告)日:2007-09-26

    申请号:CN200480000034.5

    申请日:2004-02-19

    CPC classification number: G05F1/565 H03K19/00384

    Abstract: 一种半导体集成电路,主电路(2)由源极和基板电位分离的MOS晶体管构成。基板电位控制电路(1),控制主电路(2)的MOS晶体管的基板电位,以便使构成主电路(2)的MOS晶体管的实际饱和电流值,成为在主电路(2)的动作电源电压(Vdd)之下的目标饱和电流值(Ids)。所以,即使半导体集成电路的动作电源电压成为低电压化,也能抑制动作速度的离差。

    半导体集成电路装置
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1497725A

    公开(公告)日:2004-05-19

    申请号:CN200310102465.X

    申请日:2003-10-21

    Abstract: 一种半导体集成电路装置,可控制MOSFET的衬底电压,以使MOSFET的亚阈值区域或饱和区域的某任意栅极电压值的漏极电流消除温度依存性、工艺偏差依存性,谋求动作稳定性的提高。其包括:集成电路主体(16A);监视装置(15A);衬底电压调节装置(14A),其中,监视器装置(15A)包括:恒流源(12A);和所述多个MOSFET在同一衬底上形成的监视用MOSFET(11A),衬底电压调节装置(14A)包括:在接地电位上连接监视用MOSFET(11A)的漏极端子和集成电路主体(16A)的多个MOSFET的漏极端子的状态下将监视用MOSFET(11A)的源极电位和预先决定的基准电位比较的比较装置(13A),将基于采用比较装置(13A)的比较结果输出的输出电压反馈到监视用MOSFET(11A)的衬底电压中。

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