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公开(公告)号：CN102576723A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080047439.X
申请日：2010-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L21/0465 , H01L21/0485 , H01L23/485 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/45 , H01L29/4933 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置(100)具备：配置于半导体基板(101)的主表面上的第1碳化硅层(120)；配置于第1碳化硅层的第1导电型的第1杂质区域(103)；第2导电型的体区域(104)；在体区域内配置于比第1杂质区域(103)更深的位置、且以比体区域更高的浓度来含有第2导电型的杂质的第2导电型的接触区域(131)；第1导电型的漂移区域(102)；和与第1杂质区域(103)以及接触区域(131)欧姆接触的第1欧姆电极(122)，在第1碳化硅层(120)中设置有贯穿第1杂质区域(103)的接触沟槽(121)，第1欧姆电极(122)配置于接触沟槽(121)内，且在接触沟槽的侧壁下部(121cL)的至少一部分以及底表面(121b)与接触区域(131)接触。
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公开(公告)号：CN1914786B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200580003618.2
申请日：2005-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M1/08 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/095
CPC classification number: H02M7/538 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L24/73 , H01L27/0605 , H01L27/0727 , H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H02M7/003 , H03K17/063 , H03K17/6871 , Y02B70/1483 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的半导体装置(29)包括：两个电平移动开关(28A、28B)，具有第一电极、第二电极、控制电极和信号输出电极，同时具有第一半导体区域，该第一半导体区域构成为：介于所述第一电极与所述信号输出电极之间、根据向所述控制电极的输入信号导通或者非导通的晶体管元件部(28a、28b)；介于所述信号输出电极与所述第二电极之间的电阻元件部(Ra、Rb)，所述第一半导体区域由宽禁带半导体构成；和二极管(23)，具有阴极侧电极、阳极侧电极和第二半导体区域，所述第二半导体区域由宽禁带半导体构成。
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公开(公告)号：CN1260776C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02148065.6
申请日：2002-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/302
CPC classification number: H01L29/365 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02584 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/0445 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供了一种具有平坦界面和上表面的半导体薄膜的生长方法和具有优异特性的半导体元件。该方法是在纵向薄膜生长装置内设置对上表面进行了平坦化处理的SiC主体衬底(11)，在惰性气体环境中加热。接着，在衬底温度1200℃～1600℃之间，供给流量1mL/min的原料气体。接着，在1600℃的温度下，把稀释气体变为氢气，供给Si和碳的原料气体，和间歇地供给氮，据此在SiC主体衬底(11)之上层叠SiC薄膜。这样，能形成上表面以及内部的界面的台阶高度的平均值被平坦化为30nm以下的δ掺杂层的层叠结构，所以使用它，能实现耐耐压高、移动度大的半导体元件。
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公开(公告)号：CN1606140A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410083545.X
申请日：2004-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/518 , H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/513 , H01L29/66068 , H01L29/7827 , H01L29/7828
Abstract: 一种碳化硅－氧化物层叠体的制造方法，通过热氧化处理，在SiC基板(10)上形成作为主要由SiO2构成的氧化物层即栅极绝缘膜(7’)之后，在腔室(20)内的惰性气体气氛中进行退火。此后，在设置有真空泵(31)的腔室(30)内设置SiC基板(10)，并在超过1100℃且不足1250℃的高温下，将碳化硅－氧化物层叠体A暴露于被减压的NO气体气氛中，则氮会扩散到栅极绝缘膜(7’)内，从而可获得在下部具有氮浓度高的区域且相对介电常数在3.0以上的、作为含V族元素氧化物层的栅极绝缘膜(7)。也可以降低含V族元素氧化物层－碳化硅层之间的界面区域的界面能级密度。本发明提供一种用于制作低损耗且高可靠性的MISFET等的碳化硅－氧化物层叠体，及其制造方法以及半导体装置。
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公开(公告)号：CN1577891A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062185.5
申请日：2004-07-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L21/046 , H01L21/0475 , H01L21/0485 , H01L21/30625 , H01L29/1029 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/365 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7838 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种采用碳化硅衬底，沟道层表面被平滑化、载流子的迁移率高的半导体装置以及其制造方法。双重注入型MISFET包括：在SiC衬底(1)上设置的高电阻SiC层(2)；p阱区(3)；p+接触区(4)；源区(6)；横跨源区(6)、p阱区(3)以及高电阻SiC层(2)形成的沟道层(5x)；栅绝缘膜(7)；栅极(10)；源极(8)；漏极(9)。高电阻SiC层(2)和p阱区(3)以及源区(6)的表面在堆积碳膜的状态下，通过杂质的活化退火或MCP成为平滑的状态，其后外延生长的沟道层(5x)的表面被进一步平滑化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1395746A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN01803862.X
申请日：2001-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/1608 , H01L29/365 , H01L29/66068 , H01L29/7391 , H01L29/7828
Abstract: 一种DMOS器件(或者IGBT)，它包括：SiC衬底2、形成在外延层内的n－SiC层3(漂移区)、栅极绝缘膜6和栅电极7a、将栅电极7a包围起来的源电极7b、形成在SiC衬底2下面的漏电极7c、p－SiC层4、以及从源电极7b端部下方到栅电极7a端部下方的n+SiC层5。外延层的表面部分中除形成有n+SiC层5的区域里，叠层形成了含高浓度氮的n型掺杂层10a和非掺杂层10b。利用量子效果，降低了导通电阻，提高了截止时的耐压。
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公开(公告)号：CN110707194A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910597139.1
申请日：2019-07-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体发光二极管及其制造方法。该发光二极管是光提取效率提高了的III族氮化物半导体发光二极管，包括：主要由通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示从Sc、In、Y及镧系元素中选择的一个或多个三价元素，A表示从Fe(III)、Ga及Al中选择的一个或多个三价元素，M表示从Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn及Cd中选择的一个或多个二价元素)构成的RAMO4层；以及层叠于所述RAMO4层的层叠体。所述层叠体至少包括包含III族氮化物半导体的发光层，所述RAMO4层中，相较于与所述层叠体之间的边界面，所述层叠体的相反侧的面的平坦度更低。
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公开(公告)号：CN1532943B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200410030008.9
申请日：2004-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/0485 , H01L23/485 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L29/7828 , H01L29/7835 , H01L29/8083 , H01L29/812 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅半导体器件及其制造方法，在使用碳化硅的半导体器件中，通过提高电极与层间绝缘膜之间的贴紧性来提高可靠性。在本发明的半导体器件中设置有：碳化硅衬底(1)、n型的高电阻层(2)、设置在高电阻层(2)的表面一层的阱区域(3)、设置在阱区域(3)内的p+接触区域(4)、设置在阱区域(3)中的p+接触区域(4)的两侧的源极区域(5)、设置在源极区域(5)上且由镍构成的第(1)源电极(8)、覆盖第(1)源电极(8)且由铝构成的第(2)源电极(9)、设置在被两个阱区域(3)夹着的高电阻层(2)上的栅极绝缘膜(6)、由铝构成的栅电极(10)、及覆盖第(2)源电极(9)和栅电极(10)上且由氧化硅膜构成的层间绝缘膜(11)。由于第(2)源电极(9)与层间绝缘膜(11)的贴紧性比第(1)源电极(8)好，因此层间绝缘膜(11)与源电极难以脱离。
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公开(公告)号：CN100490077C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200580000359.8
申请日：2005-01-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/338 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/046
Abstract: 半导体元件的制造方法，包括：向形成在碳化硅衬底1上的碳化硅薄膜2内注入离子的工序，通过在减压气体环境下加热碳化硅衬底，在碳化硅衬底表面上形成碳层5的工序，以及在与形成碳层5的工序相比压力更高且温度更高的气体环境下对碳化硅衬底进行活化退火的工序。
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公开(公告)号：CN100459153C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200310117969.9
申请日：2003-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L29/045 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7838
Abstract: 本发明提供一种SiC-MISFET及其制造方法。累积型SiC-MISFET，具备：SiC基板(1)、n型漂移层(2c)、p型阱区域(3)、n型源区域(4)、包含n型杂质成为累积型沟道层的SiC沟道层(5)、p型高浓度传导层(9)、栅绝缘膜(6)、栅电极(13)等。另外，设置向n型漂移层(2c)的上面部部分地注入p型杂质离子而形成的，并包含比阱区域(3)具有更高浓度的同导电型杂质的部分高浓度注入层(7A)。由此，提供常截止的累积型SiC-MISFET，可以流过高电流密度的漏极电流。
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