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公开(公告)号：CN101542729A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000315.9
申请日：2008-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种电阻变化型元件，它具有：第一电极(2)；第二电极(4)；和配置在上述第一电极和上述第二电极之间，与上述第一和上述第二电极电气上连接的电阻变化层(3)。上述电阻变化层由包含TaOx(1.6≤X≤2.2)的材料构成；通过在第一电压的第一电压脉冲加在上述第一电极和第二电极之间施加具有第一电压的第一电压脉冲，使上述第一电极和上述第二电极之间的电阻降低；通过在上述第一电极和上述第二电极之间施加具有与上述第一电压的极性相同的第二电压的第二电压脉冲，使上述第一电极和上述第二电极之间的电阻上升。
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公开(公告)号：CN101501851A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029617.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供电阻变化型元件和使用它的电阻变化型存储装置，电阻变化型元件(10)包括：第一电极；第二电极；以及配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3)，其中，电阻变化层(3)包含具有以(ZnxFe1－x)Fe2O4的化学式表示的尖晶石结构的材料，并且该电阻变化型元件(10)具有下述特性：通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加第一电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升；通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加极性与第一电压脉冲相同的第二电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻下降。
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公开(公告)号：CN101351888A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200780001020.9
申请日：2007-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一电极、第二电极、以及连接到第一电极和第二电极之间的可变电阻薄膜。可变电阻薄膜含Fe3O4作为构成元素，并且，结晶粒径在5nm以上150nm以下。
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公开(公告)号：CN1679086A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03819952.1
申请日：2003-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B5/1878 , G11B5/0086 , G11B5/02 , G11B5/1276 , G11B5/53
Abstract: 一种磁头，配置有交替层叠金属磁性膜(8)和非磁性膜(9)而构成的多层膜，在与磁性记录介质接触的面上，所述多层膜和形成了所述多层膜的磁性氧化物基板或非磁性基板之间构成的边界与间隙部(3)平行，构成所述多层膜的金属磁性膜(8)的膜厚为两种以上，或者构成所述多层膜的金属磁性膜(8)的膜厚一定，并且此时厚度t满足条件：t＜v×cosθ/fmax(其中，v表示磁头和记录介质之间的相对速度，fmax表示使用频带的上限，θ表示方位角)。从而，本发明可以提供一种能够抑制伪信号的、降低噪音的磁头和具有该磁头的磁记录再现装置。
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公开(公告)号：CN1378684A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN00814080.4
申请日：2000-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B5/537 , G11B5/0086 , G11B5/105 , G11B5/133 , G11B5/147 , G11B5/1475 , G11B5/255 , G11B5/53 , G11B15/61 , G11B15/62
Abstract: 提供一种磁头磨损小、静止持久时间长的磁头和备有使用该磁头的高速旋转磁鼓装置的磁记录再现装置。因此,在磁头中,将由一对衬底1和3、5和7夹持软磁金属材料构成的至少一个磁性膜2,6构成的磁芯半体4,8配置为由该磁芯半体的各个磁性膜应构成磁路的磁芯半体的端面之间相互对向来形成磁隙9,衬底的与磁带的滑动面的至少一部分由非磁性单晶铁氧体材料构成,该非磁性单晶铁氧体材料在上述滑动面的结晶面方位大致为{110},并且 ;方向与磁头相对磁带的滑动方向大致平行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101636840B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200780025155.9
申请日：2007-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明的非易失性存储元件包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，该电阻变化层(104)介于第一电极(103)和第二电极(105)之间，电阻值根据被施加到两个电极(103)、(105)之间的电信号而可逆地变化。该电阻变化层(104)至少包含钽氧化物，以在将该钽氧化物表示为TaOx的情况下满足0＜x＜2.5的方式构成电阻变化层(104)。
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公开(公告)号：CN101501849B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200780028882.0
申请日：2007-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供存储元件、存储器装置和半导体集成电路。存储元件包括：第一电极、第二电极和电阻变化膜(2)，该电阻变化膜(2)以与第一电极和第二电极连接的方式介于两电极之间，其电阻值根据两电极之间的电压而改变，电阻变化膜(2)包括由Fe3O4构成的层(2a)和由以Fe2O3或MFe2O4表示的尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，由Fe3O4构成的层(2a)形成得厚于由上述Fe2O3或上述尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，其中，M是除Fe以外的金属元素。
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公开(公告)号：CN101501851B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200780029617.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供电阻变化型元件和使用它的电阻变化型存储装置，电阻变化型元件(10)包括：第一电极；第二电极；以及配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3)，其中，电阻变化层(3)包含具有以(ZnxFe1-x)Fe2O4的化学式表示的尖晶石结构的材料，并且该电阻变化型元件(10)具有下述特性：通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加第一电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升；通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加极性与第一电压脉冲相同的第二电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻下降。
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公开(公告)号：CN101167138B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200580049548.4
申请日：2005-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2463 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 一种电子元件，包括：第一电极(1)，第二电极(3)，以及连接在所述第一电极与所述第二电极之间、并且具有二极管特性和可变电阻特性的层(2)。所述层(2)，在从所述第一电极(1)及所述第二电极(3)中的一个电极向另一个电极延伸的正方向上，传导与和所述正方向相反的反方向相比电流量更多的电流。所述层(2)在所述正方向上的电阻值，根据被施加在所述第一电极(1)与所述第二电极(3)之间的规定脉冲电压而增加或减少。
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公开(公告)号：CN100568506C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200680013537.5
申请日：2006-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2463 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 第一电极层，包括互相平行地延伸的多条第一电极线(W1、W2)。状态变化层，形成在第一电极层上，并且包括具有二极管特性和可变电阻特性的多个状态变化物(60-11、60-12、60-21、60-22)。第二电极层，形成在状态变化层上，并且包括互相平行地延伸的多条第二电极线(B1、B2)。多条第一电极线和多条第二电极线，从叠层方向看时夹着状态变化层互相交叉。状态变化物(60-11)，形成在第一电极线(W1)和第二电极线(B1)交叉的位置的、该第一电极线与该第二电极线之间。
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