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公开(公告)号：CN112643038B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202011490573.9
申请日：2020-12-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料技术领域，尤其涉及一种气雾化制备核壳结构软磁材料的装置及方法，包括依次连接的真空熔炼系统、气雾化包覆系统和粉末收集室；所述真空熔炼系统包括真空熔炼室，所述真空熔炼室由隔板分割为低熔点金属熔炼系统和高熔点磁性材料熔炼系统，所述真空熔炼室内设有第一真空系统、第一保护气氛气路和第一冷却系统。本发明的装置将制粉和绝缘包覆两个过程合二为一，通过表面能和尺寸效应，在金属或合金粉末表面形成一层均匀的低熔点金属层，与空气氧化成低熔点金属氧化物绝缘层，得到核壳结构软磁材料，该工艺节省能耗，降低成本，可以实现小尺寸，绝缘包覆层厚度为10~100 nm，且分布均匀的粉末大规模工业化制备。
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公开(公告)号：CN112735720A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011551221.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料技术领域，尤其涉及一种铁氮化物包覆金属软磁复合材料及其制备方法，包括以下步骤：（1）将可溶性铁盐溶解于有机溶剂中，加入有机胺，常温搅拌，形成悬浊液；（2）将悬浊液加入金属软磁粉末中混合，搅拌均匀后，烘干；（3）与粘结剂和润滑剂混合均匀，压制成型，得坯体；（4）在氮气中进行热处理，冷却，喷涂。本发明采用有机胺为有机氮源，通过络合性能增强Fe‑N间相互作用，制备高品质的铁氮化物。首先在磁粉表面形成均匀的有机胺‑铁‑有机溶剂化合物，然后经过压制成型和在氮气中高温热处理，有机胺‑铁‑有机溶剂化合物层转变为致密均匀的铁氮化物绝缘层，避免了铁氧化物绝缘层在压制过程中的破裂。
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公开(公告)号：CN112658272A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011490604.0
申请日：2020-12-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及气雾化制粉技术领域，尤其涉及一种高冷却梯度等离子电弧‑气雾化复合制粉装置及方法，所述装置包括依次连接的真空熔炼系统、等离子电弧‑气雾化复合系统、高冷却梯度系统和粉末收集室；所述真空熔炼系统包括真空熔炼室，高频熔炼线圈、熔炼坩埚、第一真空系统、第一保护气氛气路和第一冷却系统；所述等离子电弧‑气雾化复合系统包括雾化室，高压非氧化气路、气雾化喷嘴、电极枪、真空系统、第二保护气氛气路、Ar气路和第二冷却系统。本发明高冷却梯度系统有利于粉末快速凝固，控制晶粒和粉末长大，实现小尺寸快速凝固，抑制缓慢凝固过程中颗粒表面凹凸不平、表面卫星颗粒和小毛刺等问题。
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公开(公告)号：CN112562957A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011343226.3
申请日：2020-11-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁性元器件技术领域，尤其涉及一种绝缘包覆FeSiAl复合磁粉芯及其制备方法，包括以下步骤：（1）将FeSiAl金属软磁粉加入到含金属空位的TiO2前驱体溶胶中，加热搅拌均匀；（2）加TiO2纳米粉体，得绝缘粉；（3）与粘结剂和润滑剂混合均匀，压制成型，得坯体；（4）热处理，冷却，喷涂。本发明利用TiO2前驱体溶液与FeSiAl有较好的黏着性，可以均匀致密的包覆在磁粉芯外面，从而提高磁粉芯的电阻率，有利于提高其高频特性，降低功率损耗；通过控制TiO2前驱体溶液的加入量，有效调控最终包覆在磁粉芯外面的TiO2薄膜的厚度，实现对粉芯内部气隙率的调控，从而在在降低损耗的同时提高磁粉芯的磁导率。
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公开(公告)号：CN112391583A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011343348.2
申请日：2020-11-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于软磁材料技术领域，具体涉及一种FeCo基软磁合金，其化学组成为(Fe0.8Co0.2)aBbSicCud，其中，82≤a≤85，13≤b≤16，c＝1，d＝1，且满足a+b+c+d＝100。本发明的FeCo基软磁合金在快速冷却过程中直接形成的，无需高温退火工艺便具有高饱和磁感应强度和低矫顽力的特点，且解决了退火带来的退火脆性难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110164698A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910355079.2
申请日：2019-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开一种PET-ITO/TiO2/P(VDF/TrFE)透明柔性复合光阳极。依次包括PET-ITO衬底、TiO2薄膜、P(VDF/TrFE)薄膜；TiO2薄膜的厚度为30～100nm，P(VDF/TrFE)薄膜的厚度为40～100nm。通过施加正反向电压对P(VDF/TrFE)薄膜进行铁电极化，外加正反向极化电压范围为3～8V。本发明通过对P(VDF/TrFE)薄膜本身的铁电效应来改变其内建电场，从而有效的调控P(VDF/TrFE)/TiO2界面的能带结构，以期有效对载流子进行分离，从而提高光阳极的光电化学性能。
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公开(公告)号：CN105244362B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510687944.5
申请日：2015-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器及其制备方法。本发明低功耗柔性ReRAM从上至下依次包括TE层、ZnO层、ITO/PET层，其中TE层为功函数大于ZnO功函数的Pt、Cu或Au。该方法是ITO/PET柔性衬底作为下电极，通过溅射法制备ZnO薄膜，得到ZnO/ITO/PET；将ZnO/ITO/PET基体放于沉积室内，用掩模法通过电子束蒸发金属上电极，使得ZnO薄膜上沉积金属薄膜电极，最终得到柔性TE/ZnO/ITO/PET器件。本发明通过ZnO薄膜本身的压电效应来调控其set和reset电压，以期减小器件的操作电压，降低器件的功耗，从而延长器件的寿命。
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公开(公告)号：CN103230994B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310144542.1
申请日：2013-04-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B21H7/18
Abstract: 本发明公开一种轴上微型槽的步进滚动辊压压印成形装置及方法。现有槽成形方法成形精度低、成本高、加工效率低。该装置包括两个结构相同的轧辊装置；轧辊装置包括轧辊轴和环形轧辊，环形轧辊的两端分别设有滚子轴承，滚子轴承通过轴承座固定在机架，机架与机械手连接；轧辊轴一端设有压盖，另一端固定设有机械臂的一个齿轮。该方法是电机的正反转驱动机械臂拉动机架，使得机架进行直线往复运动，同时机械臂的齿轮组带动环形轧辊旋转，实现环形轧辊在工件轴轴向直线往复运动和环形轧辊自身旋转，使环形轧辊在工件轴上进行微型槽压印成形、整形过程。本发明工作载荷小，成形效率大幅提高，加工成本大幅下降，且渐进成形的模具设计使成形质量高。
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公开(公告)号：CN116013631A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310004560.3
申请日：2023-01-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种FeSiAl复合软磁粉芯及其制备方法、应用，本发明FeSiAl粉末依次被纳米铝热生成的Al2O3绝缘层、磁性金属层以及粘结剂氧化产物SiO2包覆，所述FeSiAl合金粉末所含Si的质量百分比为8.5％～10％，所含Al的质量百分比为5％～6.5％；所述FeSiAl合金粉末的平均粒径为1～200μm；所述Al2O3绝缘层的厚度为5‑20nm；所述磁性金属层的厚度为5‑50nm；所述SiO2层的厚度为50‑200nm。本发明提高了磁粉芯产品的整体品质，提高了批量生产的成品率，以及降低了生产的不良率与生产成本。
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公开(公告)号：CN114373621A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210079110.6
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开限域绝缘包覆软磁铁硅铝工艺及其产品。本发明结合了氧储存材料易于失去O原子、金属Al及O原子的快速热扩散，及两者之间的一种限域固态反应，获得了一种全新的FeSiAl/Al2O3‑x/氧储存材料(OSMs)复合磁粉芯，这种限域包覆技术是在FeSiAl基体原位制备包覆层，除了能实现均匀包覆外，更重要的，限域包覆技术制备的包覆层与FeSiAl基体之间存在半共格结构，与基体结合牢固，适配性好，在压制成型过程中不易脱落。
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