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公开(公告)号：CN101656340A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910153104.5
申请日：2009-09-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/205
Abstract: 本发明涉及一种高低端带宽平衡的同轴腔可调滤波器。现有的同轴腔可调滤波器在工作频段内的不同频率处无法保持恒定的带宽。本发明包括滤波器壳体；开有矩形耦合窗口的隔板将滤波器壳体分隔成多个同轴腔；每个同轴腔内底部中心设置有圆柱形内导体，滤波器壳体相对的两个侧壁上分别设置有输入同轴接头和输出同轴接头，耦合环一端与同轴接头连接，另一端与滤波器壳体的腔内底部连接；腔间耦合环为螺线管型结构，螺旋线的两端分别位于相邻的两个同轴腔并引出引线与滤波器壳体底部连接。本发明将滤波器耦合窗口和跨腔螺线管型腔间耦合环结合，利用此结构能实现滤波器在整个频率调谐范围内带宽保持恒定且大大改善滤波器的插入损耗以及纹波。
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公开(公告)号：CN101626233A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910101082.8
申请日：2009-08-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明涉及电阻性超导异步双线逻辑通用型门电路。目前已有的超导异步双线电路的逻辑门结构具有使用约瑟夫森结的数量过多和布线困难的缺陷。本发明包括四个约瑟夫森量子干涉器和两个扼流电阻，每个约瑟夫森量子干涉器由四个约瑟夫森结和三个连接电感组成。其中相邻的两个约瑟夫森量子干涉器共用两个约瑟夫森结。本发明提出的逻辑门结构，利用电阻消耗掉逻辑门触发后残留在门电路中的环路电流，而使得所需的约瑟夫森结的数量大大减小。本发明很好的兼顾了布线的方便性，顺序结构的电路布局比已有技术更容易应用在大规模超导集成电路中。
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公开(公告)号：CN118380747A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410807748.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种频率自稳定的可调谐同轴谐振腔，外导体内部由若干金属隔离板分隔成多个可调谐同轴谐振腔且相邻两个可调谐同轴谐振腔之间通过设置在金属隔离板上的耦合窗口实现电磁耦合，每个可调谐同轴谐振腔内均竖向设有内导体，内导体的开路端设有可调谐电容；可调谐电容包括定片、动片、固定卡座以及能够转动的联动调谐杆，定片固定在内导体的开路端并与内导体的开路端电连接，联动调谐杆与动片均固定在固定卡座上，动片宽度小于定片宽度。本发明可以保持稳定的工作频段，频率稳定性好，有效地提取需要的带内信号，并且可以免除复杂的联动调谐杆定位系统，简化设计难度以及加工工艺。
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公开(公告)号：CN109524453B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201811230233.5
申请日：2018-10-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种GaN基高压整流共振隧穿二极管。本发明包括面GaN基底、n+‑In0.07Ga0.93N集电区层、i‑In0.07Ga0.93N第一隔离层、AlGaN第一势垒层、i‑In0.14Ga0.86N量子阱层、GaN第二势垒层、i‑In0.21Ga0.89N第二隔离层、n+‑In0.21Ga0.89N发射区层、钝化层、集电区金属电极引脚与发射区金属电极引脚。该种GaN基高压共振隧穿二极管—HVRTD具有正向较高阻断电压和反向超低电阻率的伏安特性，且制造工艺与GaN基集成器件和路(包括电路、光路、磁路、气路、机械路及复合路)的微纳集成制造工艺兼容，非常适用于GaN基集成器件和路的ESD保护应用，可以在近似理想的840ns时间内承受±2000V ESD而确保GaN基集成器件和路不被损毁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109215072B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201810818113.0
申请日：2018-07-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于tanh‑sinh积分法的箔条云RCS获取方法。传统的箔条云RCS算法的计算效率低，当计算大规模箔条云时，其计算量将无法满足实际需求。本发明如下：一、获取箔条云及特征箔条的信息，并建立全局坐标系、局部坐标系。二、获取特征箔条的双站散射系数。三、计算被积函数σ⊥to⊥、σ⊥to//、σ//to//的奇异点。四、剖分σ⊥to⊥、σ⊥to//、σ//to//的待积分区域。五、分别积分各小区域的雷达散射截面积。六、通过叠加的方式计算特征箔条的雷达散射截面积。七、通过乘上箔条数量计算箔条云的雷达散射截面积。本发明在计算精度接近蒙特卡罗法的同时，大大增强了计算效率。
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公开(公告)号：CN108198867B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201711473088.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种低功耗GaN/AlGaN共振隧穿二极管。本发明包括GaN基底、n+‑GaN集电区层、i‑GaN第一隔离层、i‑AlGaN第一势垒层、i‑GaN量子阱层、i‑AlGaN第二势垒层、i‑GaN或者i‑InGaN第二隔离层、n+‑GaN发射区层、AlN钝化层、集电区金属电极引脚与发射区金属电极引脚。本发明采用高质量非极性上表面的外延本征GaN基底上外延生长GaN/AlGaN纳米薄膜制备的共振隧穿二极管。具有足够明显且实用的负微分电阻伏安特性，在足够低的正偏压下具有较低的峰值电流与谷值电流，功耗较低。
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公开(公告)号：CN101656340B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910153104.5
申请日：2009-09-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/205
Abstract: 本发明涉及一种高低端带宽平衡的同轴腔可调滤波器。现有的同轴腔可调滤波器在工作频段内的不同频率处无法保持恒定的带宽。本发明包括滤波器壳体；开有矩形耦合窗口的隔板将滤波器壳体分隔成多个同轴腔；每个同轴腔内底部中心设置有圆柱形内导体，滤波器壳体相对的两个侧壁上分别设置有输入同轴接头和输出同轴接头，耦合环一端与同轴接头连接，另一端与滤波器壳体的腔内底部连接；腔间耦合环为螺线管型结构，螺旋线的两端分别位于相邻的两个同轴腔并引出引线与滤波器壳体底部连接。本发明将滤波器耦合窗口和跨腔螺线管型腔间耦合环结合，利用此结构能实现滤波器在整个频率调谐范围内带宽保持恒定且大大改善滤波器的插入损耗以及纹波。
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公开(公告)号：CN101640302A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910102063.7
申请日：2009-08-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明涉及一种高低端带宽平衡的小型化同轴腔可调滤波器。现有的同轴腔可调滤波器在不同的频段无法保持恒定的带宽。本发明包括滤波器壳体、隔板；滤波器壳体的前后端盖均设置有同轴接头，滤波器壳体的中间设置有隔板，隔板上开有矩形耦合窗口，腔间耦合环的底边穿过耦合窗口设置，腔间耦合环所在的平面与矩形耦合窗口所在的平面垂直设置，腔间耦合环的两个腰分别位于前同轴腔和后同轴腔内，腔间耦合环的顶点位于隔板与滤波器壳体底部交接处所在线段的中点。本发明将滤波器耦合窗口和跨腔三角形耦合环结合，利用这种结构能够实现同轴腔可调滤波器在整个频率调谐范围内带宽保持恒定。
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公开(公告)号：CN119786955A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411980172.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于特征模理论的小型化四端口MIMO天线，包括介质基板、印制在介质基板背面的金属地平面、印制在介质基板正面的辐射单元、四个馈电单元、蚀刻在金属地平面上用于隔开馈电单元和金属地平面的隔离圆孔、插入介质基板中连接辐射单元和金属地平面的金属短针阵列。辐射单元包括主辐射贴片、副辐射贴片，所述主辐射贴片为蚀刻在介质基板正面中心的圆形金属贴片；副辐射贴片包括设置在主辐射贴片四角上的四个副辐射贴片。本发明优化MIMO天线的隔离度，避免了MIMO天线小型化带来的耦合问题，同时达到小型化和高隔离的优点，侧面上也优化了天线的阻抗匹配。
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