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公开(公告)号：CN115630703A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211629160.3
申请日：2022-12-19
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G06N10/40
Abstract: 本发明实施例公开了一种超导量子计算芯片及其制备方法，该计算芯片具体包括：衬底；设置于衬底一侧的超导膜层，超导膜层包括共面波导结构的信号传输馈线以及至少两个不同频率的λ/4谐振腔，λ/4谐振腔的一端与信号传输馈线连接，λ/4谐振腔的另一端开路。本发明实施例的技术方案，通过在信号传输馈线上连接至少两个不同频率的λ/4谐振腔，形成能够通过读取谐振腔频率信号传输，抑制比特频率信号传输的带通滤波器，在降低量子比特与外界耦合即不影响量子比特相干时间的情况下，实现量子比特的快速读取。
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公开(公告)号：CN115581115A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211366944.1
申请日：2022-11-03
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种指导芯片或其衬底开孔的方法、芯片组件及其应用，所述方法包括如下步骤：初始化通孔参数，通孔周期性分布于衬底或芯片之上等效为光子晶体结构，然后按照光子晶体能带理论求解能带图，从能带图中找到对应频段的禁带；判断禁带是否满足所需禁带要求，若满足，则输出初始化通孔参数，按照初始化通孔参数在芯片或其衬底上进行开孔；若不满足，改变初始化通孔参数，直至得到的禁带满足所需禁带要求；本发明所述方法具备普适性和指导意义，为超导量子芯片衬底开孔的通用方法，能够明显改变禁带区间，提升超导量子芯片的性能。
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公开(公告)号：CN115470914A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211421098.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导量子电路的传输线结构，包括：所述传输线结构包括信号传输线和一个或多个接地线，所述信号传输线和所述接地线绝缘设置；所述信号传输线由直线和环形线结构构成，所述环形线结构用于增加所述信号传输线的分布电感；或者，所述接地线设置有预设数量的孔型结构，所述孔型结构用于改变所述信号传输线和所述接地线之间的分布电容。本发明设计的传输线结构可以起到调控超导量子电路的传输线结构特征阻抗的作用，并且传输线结构尺寸大小与微纳加工过程匹配，所面临的工艺不确定性降低，在保证目标阻抗条件下提高了传输线设计的稳定性。
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公开(公告)号：CN115274999A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211197865.2
申请日：2022-09-29
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）在衬底表面制备得到第一层钽层，对第一层钽层进行光刻，得到侧壁倾斜的下电极层；（2）在下电极层表面制备得到氧化钽层；（3）在氧化钽层表面制备第二层钽层，对第二层钽层进行光刻，得到上电极层，上电极层和下电极层交叠区域为所述约瑟夫森结。本发明提供的制备方法，通过优化光刻工艺步骤，解决了非阴影方式制备约瑟夫森结时下电极和上电极搭线断裂以及下电极侧壁残留导致的寄生结问题，避免了器件失效，大幅度提高成品率，保证器件性能。
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公开(公告)号：CN113887732B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202111123713.3
申请日：2021-09-24
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种量子芯片及抑制量子芯片中信号串扰的方法，包括：第一芯片，设置有第一信号线路；第二芯片，设置有第二信号线路，所述第二芯片与所述第一芯片之间通过倒装架构连接，所述第二信号线路与所述第一信号线路在量子芯片的俯视投影面上存在重叠区域；其中，所述第一芯片和所述第二芯片之间设置有空气桥，所述空气桥覆盖所述重叠区域。本发明有效抑制量子芯片上下层信号线信号串扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114335318A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111619244.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导电路芯片及其磁通偏置线布局结构。所述磁通偏置线包括传输线和连接于传输线端部的耦合部件，所述耦合部件包括偶数个环；并且，当向所述磁通偏置线内输入电流时，其中相邻环的磁矩方向相反，使得总磁矩为0。本发明实施例提供的一种超导电路芯片的磁通偏置线布局结构，能够使磁通偏置线的耦合部件与目标超导量子干涉器件具有更合适的耦合强度，且能够有效抑制空间弥散磁场的分布，降低磁场对邻近量子比特的干扰。
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公开(公告)号：CN113555503A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202111090075.X
申请日：2021-09-17
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种离子阱芯片的制备方法、离子阱芯片和量子计算机，制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成包括多层导电层和多层介质层的层叠结构；刻蚀层叠结构形成至少两个第一开口，于第一开口中形成牺牲层；于层叠结构远离衬底的一侧形成第一光刻胶层并进行图案化；图案化后的第一光刻胶层包括第二开口，第二开口暴露位于相邻两个第一开口之间待刻蚀的层叠结构；刻蚀位于相邻两个第一开口之间待刻蚀的层叠结构，形成第三开口；沿垂直于衬底的方向，第一开口的深度大于第三开口的深度；去除牺牲层以形成囚禁离子的离子阱区，使得层叠结构中不同尺寸孔对位精确，保证了芯片电磁场的分布以及囚禁离子的势阱，提高了芯片的工作性能。
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公开(公告)号：CN115621261B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211382386.8
申请日：2022-11-07
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种具有低物理结构敏感性的电容器件及电路结构，电容器件包括：基底，以及设置于所述基底上的第一电极和第二电极，所述基底上还设置有接地电极；所述第一电极和所述第二电极相对设置，且所述接地电极位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述接地电极与所述第一电极和所述第二电极均相互绝缘，且所述接地电极接地。本发明可降低电容对器件物理结构的敏感性，实现超导电路电容器件的精准可控设计。
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公开(公告)号：CN115581115B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211366944.1
申请日：2022-11-03
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种指导芯片或其衬底开孔的方法、芯片组件及其应用，所述方法包括如下步骤：初始化通孔参数，通孔周期性分布于衬底或芯片之上等效为光子晶体结构，然后按照光子晶体能带理论求解能带图，从能带图中找到对应频段的禁带；判断禁带是否满足所需禁带要求，若满足，则输出初始化通孔参数，按照初始化通孔参数在芯片或其衬底上进行开孔；若不满足，改变初始化通孔参数，直至得到的禁带满足所需禁带要求；本发明所述方法具备普适性和指导意义，为超导量子芯片衬底开孔的通用方法，能够明显改变禁带区间，提升超导量子芯片的性能。
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公开(公告)号：CN115692309A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110844292.7
申请日：2021-07-26
Applicant: 腾讯科技(深圳)有限公司 , 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L21/768 , H01L21/48
Abstract: 本申请公开了一种硅通孔结构、硅通孔互连结构及制备方法、电子设备，属于半导体技术领域。该方法包括：在形成贯穿双抛硅基衬底的初始通孔后，先通过热氧化处理使得初始通孔的内壁形成氧化硅薄膜，再去除该氧化硅薄膜以得到具有硅通孔的硅通孔结构。因初始通孔的内壁经热氧化处理形成一定厚度的氧化硅薄膜后，会逐渐趋于平滑，故将氧化硅薄膜去除后形成的硅通孔结构的硅通孔的内壁较为平滑，进而不会影响后续生长于该硅通孔的内壁上的导电材料的质量。
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