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公开(公告)号：CN115496220A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211442493.5
申请日：2022-11-18
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G06N10/40
Abstract: 本发明公开了一种量子比特芯片封装结构。该封装结构包括：上层读取控制芯片、下层读取控制芯片和中间量子比特芯片。中间量子比特芯片的上表面设置有第一金属层，下表面设置有第二金属层；上层读取控制芯片的两侧表面分别设置有第三金属层和第五金属层，第三金属层与第五金属层通过金属通孔互连；下层读取控制芯片的一侧表面设置有第四金属层；中间量子比特芯片包括第一部分量子比特和第二部分量子比特；第一部分量子比特的垂直投影与相邻的第二部分量子比特存在预设面积的交叠区域。本发明实施例的技术方案实现了量子比特芯片在三维方向的耦合，提高了量子比特芯片的集成度，增加了量子比特间的连接数，有效提升了量子芯片的算力。
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公开(公告)号：CN115474424A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211423373.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明提供了一种用于低温环境下的磁屏蔽装置及屏蔽方法，所述的用于低温环境下的磁屏蔽装置包括屏蔽主体，所述屏蔽主体包括依次嵌套设置的至少两个磁屏蔽单元，所述磁屏蔽单元包括金属壳体，以及依次套设于所述金属壳体外表面的超导层与高磁导率材料层，相邻两个所述磁屏蔽单元的超导层的超导临界温度互不相同。本发明提升了磁屏蔽的效果，确保能够在低温甚至于超低温环境下的使用，具有良好的导热性。
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公开(公告)号：CN115132910A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202211051919.4
申请日：2022-08-30
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明涉及一种二能级缺陷表面分布的测量装置及其制备方法，所述测量装置包括电场发生装置以及表面缺陷测量结构；所述表面缺陷测量结构包括底片与顶片；所述顶片设置有电极；所述电极包括光栅电极或网格电极；所述底片设置有比特电路；所述底片与顶片通过微凸点倒装焊连接，形成电极在比特电路正上方的结构；所述电场发生装置连接电极，实现对二能级缺陷表面分布的电场调控。本发明通过在光栅电极或网格电极的不同区域施加电压，从而在比特电路表面的不同位置产生电场，从而实现对二能级缺陷表面分布的电场调控，实现二能级缺陷表面分布的测量。
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公开(公告)号：CN115581115B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211366944.1
申请日：2022-11-03
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种指导芯片或其衬底开孔的方法、芯片组件及其应用，所述方法包括如下步骤：初始化通孔参数，通孔周期性分布于衬底或芯片之上等效为光子晶体结构，然后按照光子晶体能带理论求解能带图，从能带图中找到对应频段的禁带；判断禁带是否满足所需禁带要求，若满足，则输出初始化通孔参数，按照初始化通孔参数在芯片或其衬底上进行开孔；若不满足，改变初始化通孔参数，直至得到的禁带满足所需禁带要求；本发明所述方法具备普适性和指导意义，为超导量子芯片衬底开孔的通用方法，能够明显改变禁带区间，提升超导量子芯片的性能。
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公开(公告)号：CN115132910B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211051919.4
申请日：2022-08-30
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明涉及一种二能级缺陷表面分布的测量装置及其制备方法，所述测量装置包括电场发生装置以及表面缺陷测量结构；所述表面缺陷测量结构包括底片与顶片；所述顶片设置有电极；所述电极包括光栅电极或网格电极；所述底片设置有比特电路；所述底片与顶片通过微凸点倒装焊连接，形成电极在比特电路正上方的结构；所述电场发生装置连接电极，实现对二能级缺陷表面分布的电场调控。本发明通过在光栅电极或网格电极的不同区域施加电压，从而在比特电路表面的不同位置产生电场，从而实现对二能级缺陷表面分布的电场调控，实现二能级缺陷表面分布的测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115470914B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211421098.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导量子电路的传输线结构，包括：所述传输线结构包括信号传输线和一个或多个接地线，所述信号传输线和所述接地线绝缘设置；所述信号传输线由直线和环形线结构构成，所述环形线结构用于增加所述信号传输线的分布电感；或者，所述接地线设置有预设数量的孔型结构，所述孔型结构用于改变所述信号传输线和所述接地线之间的分布电容。本发明设计的传输线结构可以起到调控超导量子电路的传输线结构特征阻抗的作用，并且传输线结构尺寸大小与微纳加工过程匹配，所面临的工艺不确定性降低，在保证目标阻抗条件下提高了传输线设计的稳定性。
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公开(公告)号：CN115630703A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211629160.3
申请日：2022-12-19
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G06N10/40
Abstract: 本发明实施例公开了一种超导量子计算芯片及其制备方法，该计算芯片具体包括：衬底；设置于衬底一侧的超导膜层，超导膜层包括共面波导结构的信号传输馈线以及至少两个不同频率的λ/4谐振腔，λ/4谐振腔的一端与信号传输馈线连接，λ/4谐振腔的另一端开路。本发明实施例的技术方案，通过在信号传输馈线上连接至少两个不同频率的λ/4谐振腔，形成能够通过读取谐振腔频率信号传输，抑制比特频率信号传输的带通滤波器，在降低量子比特与外界耦合即不影响量子比特相干时间的情况下，实现量子比特的快速读取。
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公开(公告)号：CN115581115A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211366944.1
申请日：2022-11-03
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种指导芯片或其衬底开孔的方法、芯片组件及其应用，所述方法包括如下步骤：初始化通孔参数，通孔周期性分布于衬底或芯片之上等效为光子晶体结构，然后按照光子晶体能带理论求解能带图，从能带图中找到对应频段的禁带；判断禁带是否满足所需禁带要求，若满足，则输出初始化通孔参数，按照初始化通孔参数在芯片或其衬底上进行开孔；若不满足，改变初始化通孔参数，直至得到的禁带满足所需禁带要求；本发明所述方法具备普适性和指导意义，为超导量子芯片衬底开孔的通用方法，能够明显改变禁带区间，提升超导量子芯片的性能。
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公开(公告)号：CN115470914A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211421098.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导量子电路的传输线结构，包括：所述传输线结构包括信号传输线和一个或多个接地线，所述信号传输线和所述接地线绝缘设置；所述信号传输线由直线和环形线结构构成，所述环形线结构用于增加所述信号传输线的分布电感；或者，所述接地线设置有预设数量的孔型结构，所述孔型结构用于改变所述信号传输线和所述接地线之间的分布电容。本发明设计的传输线结构可以起到调控超导量子电路的传输线结构特征阻抗的作用，并且传输线结构尺寸大小与微纳加工过程匹配，所面临的工艺不确定性降低，在保证目标阻抗条件下提高了传输线设计的稳定性。
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公开(公告)号：CN115474424B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202211423373.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明提供了一种用于低温环境下的磁屏蔽装置及屏蔽方法，所述的用于低温环境下的磁屏蔽装置包括屏蔽主体，所述屏蔽主体包括依次嵌套设置的至少两个磁屏蔽单元，所述磁屏蔽单元包括金属壳体，以及依次套设于所述金属壳体外表面的超导层与高磁导率材料层，相邻两个所述磁屏蔽单元的超导层的超导临界温度互不相同。本发明提升了磁屏蔽的效果，确保能够在低温甚至于超低温环境下的使用，具有良好的导热性。
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