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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115274999A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211197865.2
申请日：2022-09-29
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）在衬底表面制备得到第一层钽层，对第一层钽层进行光刻，得到侧壁倾斜的下电极层；（2）在下电极层表面制备得到氧化钽层；（3）在氧化钽层表面制备第二层钽层，对第二层钽层进行光刻，得到上电极层，上电极层和下电极层交叠区域为所述约瑟夫森结。本发明提供的制备方法，通过优化光刻工艺步骤，解决了非阴影方式制备约瑟夫森结时下电极和上电极搭线断裂以及下电极侧壁残留导致的寄生结问题，避免了器件失效，大幅度提高成品率，保证器件性能。
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公开(公告)号：CN115274999B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202211197865.2
申请日：2022-09-29
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）在衬底表面制备得到第一层钽层，对第一层钽层进行光刻，得到侧壁倾斜的下电极层；（2）在下电极层表面制备得到氧化钽层；（3）在氧化钽层表面制备第二层钽层，对第二层钽层进行光刻，得到上电极层，上电极层和下电极层交叠区域为所述约瑟夫森结。本发明提供的制备方法，通过优化光刻工艺步骤，解决了非阴影方式制备约瑟夫森结时下电极和上电极搭线断裂以及下电极侧壁残留导致的寄生结问题，避免了器件失效，大幅度提高成品率，保证器件性能。
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公开(公告)号：CN115000286A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210827100.6
申请日：2022-07-13
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种晶圆孔道填充方法、填充装置、转接片和用途，所述晶圆孔道填充方法包括：在保护气氛下，将超导粉末利用超声振荡填充至晶圆的孔道内，加热后，超导粉末熔化填充至孔道内。本发明利用超声振荡技术，将超导粉末充满在晶圆孔道，使超导粉末在孔道内部原位熔融填充，实现简洁、快速和高效地填充。
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公开(公告)号：CN115692309A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110844292.7
申请日：2021-07-26
Applicant: 腾讯科技(深圳)有限公司 , 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L21/768 , H01L21/48
Abstract: 本申请公开了一种硅通孔结构、硅通孔互连结构及制备方法、电子设备，属于半导体技术领域。该方法包括：在形成贯穿双抛硅基衬底的初始通孔后，先通过热氧化处理使得初始通孔的内壁形成氧化硅薄膜，再去除该氧化硅薄膜以得到具有硅通孔的硅通孔结构。因初始通孔的内壁经热氧化处理形成一定厚度的氧化硅薄膜后，会逐渐趋于平滑，故将氧化硅薄膜去除后形成的硅通孔结构的硅通孔的内壁较为平滑，进而不会影响后续生长于该硅通孔的内壁上的导电材料的质量。
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公开(公告)号：CN114023733A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111296966.0
申请日：2021-11-03
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H01L21/603
Abstract: 本发明公开了一种超导量子芯片的三维封装结构及封装方法。所述三维封装结构包括：量子芯片、控制电路芯片、第一连接部和第二连接部；所述量子芯片的第一面面向所述控制电路芯片的第一面并且通过超导材料与所述控制电路芯片的第一面键合；所述第一连接部支撑于所述量子芯片的第一面和所述控制电路芯片的第一面之间，在所述键合的过程中，所述第一连接部于键合压力方向上的尺寸保持不变；以及，所述量子芯片的第一面和所述控制电路芯片的第一面中的任一者与所述第一连接部的一端固定连接，另一者与所述第二连接部的一端固定连接，并且所述第一连接部还与第二连接部配合形成嵌合结构。本发明提供的超导量子芯片的三维封装结构，能够精确控制量子芯片与控制电路芯片的间距，且键合强度高。
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