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公开(公告)号：CN109704763A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811620340.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C04B35/499 , H01G4/12 , H01G4/30 , C03C6/00 , C04B41/88 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了属于无机非金属材料技术领域的一种低温烧结陶瓷介质材料的制备方法。将85.0～99.0wt.％原料A、1.0～15.0wt.％原料B混合球磨，经烘干、过筛、造粒、单轴加压、冷等静压、烧结后制得；原料A包括BaCO33.0～10.0wt.％、SiO25.0～10.0wt.％、Nb2O530.0-50.0wt.％、PbSiO316.5～25.0wt.％、TiO23.2～8.5wt.％、SrCO315.0～30.0wt.％；原料B中各组分摩尔比为SiO2:B2O3:BaO:SrO＝4:5:10:1。本发明方法烧结温度低、工艺简单、成本低、易推广，具有较大的实用价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN118373596A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410271881.4
申请日：2024-03-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 一种高频用低介低损耗高热导率LTCC生瓷带，由玻璃粉、氮化硅颗粒、粘结剂、分散剂、增塑剂、溶剂组成；组成质量分数：玻璃粉为30‑50％，氮化硅颗粒为10‑40％，粘结剂为3‑10％，分散剂为0.3‑1％，增塑剂为2‑6％，溶剂为20‑27％；其制法为采用高温熔融‑水淬工艺制备所需玻璃材料，球磨至合适粒度后，按比例分别称取玻璃粉、氮化硅颗粒、粘结剂、分散剂、增塑剂、溶剂进行混合得到浆料，流延形成LTCC生瓷带；通过CaO‑B2O3‑SiO2玻璃、高硼硅玻璃及氮化硅成分的复合，制备了兼得优异高频介电性能及较高热导率的LTCC生瓷带。
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公开(公告)号：CN111796005B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201911346826.2
申请日：2019-12-24
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 小尺寸为0.2×0.2mm，工作温度低于100℃。本发明涉及一种低温微型气敏元件及其制备方法，属于气体传感元件的制造技术领域。该低温微型气敏元件由基底、电极层、敏感层和覆盖层组成，电极层通过物理或化学沉积设置于基底上，电极层上设有激光刻蚀的凹槽，未刻蚀部分为电极图形；敏感层通过原位生长或涂覆填充于激光刻蚀的凹槽中，覆盖层通过涂覆设置于电极层和敏感层上。在基底上覆盖一层电极层，通过激光打字机在电极层上绘制所需电极图形；其上覆盖一层以金属氧化物为主要成分的敏感层，通过烧结将敏感层固定在电极层上；其上再涂覆
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公开(公告)号：CN114749672A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210328301.1
申请日：2022-03-30
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B22F9/04 , B22F1/00 , B22F1/14 , B22F1/142 , B22F1/145 , C22C1/02 , C22C16/00 , B01J20/02 , B01J20/30 , B01D53/02
Abstract: 一种高纯ZrAl1粉体的制备方法及其用途，所述方法包括：采用悬浮熔炼法制备ZrAl1合金锭，装入氢化脱氢炉抽真空，对合金锭加热，然后充入氢气，当炉内氢压降为0.01～0.04MPa时再次充入氢气，如此反复充氢5～8次后，待炉内氢压降为0.01～0.04MPa后开始降温，降温至100～200℃后，向炉内通入高纯Ar；将ZrAl1合金锭取出后机械破碎、筛分；将ZrAl1合金粉末进行1～3次脱氢处理、抽真空封装备用。采用本发明制备的ZrAl1合金粉末作为还原剂来制作Na源，将Na源应用于超二代微光夜视仪光电阴极，结果表明，Na源的蒸发特性满足超二代微光像增强器光电阴极的制备要求。
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公开(公告)号：CN110922186B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201911258099.4
申请日：2019-12-10
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: H01B3/12 , C04B35/495
Abstract: 本发明公开了属于电子材料制造技术领域的一种中低温烧结(烧结温度为900℃‑1200℃)高介电常数陶瓷材料及其制备方法。配方组成为：aBaO‑bMgO‑cAl2O3‑dTiO2‑eSiO2‑fNb2O5‑gSrO‑hPbO，其中的a、b、c、d、e、f、g、h表示各成分的摩尔比例，分别为：2≤a≤15，2≤b≤5，0≤c≤10，4≤d≤16，5≤e≤45，20≤f≤55，16≤g≤27，3≤h≤25。将原料混合均匀，高温熔融、搅拌，形成均匀的液体；将熔融液快速倒入去离子水中，得到玻璃渣；将玻璃渣球磨、烘干、过筛、造粒后，压制成型为坯体，再将坯体于900℃‑1200℃烧结，保温3小时，制得陶瓷电容器介质材料，该介质材料适用于单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113149018A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110488058.5
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B33/06
Abstract: 一种TaSi2粉体的提纯方法，它涉及材料领域，本发明要提供一种经济与易于实施且提纯效果佳的TaSi2粉体的提纯方法。本发明方法：取TaSi2原粉体，加入浓度为1～5mol/L的KOH溶液，在室温～90℃水浴锅中搅拌反应2～10h，然后用砂芯漏斗抽滤，超纯水洗至中性，真空干燥后，得提纯后的TaSi2粉体；其中，TaSi2原粉体和KOH溶液的质量体积比为1g：(10～50)mL。本发明从经济与易于实施的角度出发，提出如下的提纯处理工艺：经过一系列的处理达到提纯的效果。本发明应用TaSi2粉体领域。
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公开(公告)号：CN113123942A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911404530.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种吸气剂微泵及其制备方法，属于电真空元件制造技术领域。该吸气剂微泵由热子型吸气剂、电极杆、T型玻璃管和圆形玻璃片等组成，热子型吸气剂由具有绝缘层的加热丝及涂覆在加热丝绝缘层上的吸气材料构成，两个电极杆分别连接在热子型吸气剂的加热丝两端，圆形玻璃片封盖在T型玻璃管的一端，热子型吸气剂和部分电极杆真空密封在T型玻璃管中，两个电极杆的一端通过圆形玻璃片上的两个圆孔露出在T型玻璃管的外部。本发明还公开了该吸气剂微泵的制备方法。本发明的吸气剂微泵极大的提高了吸气剂与玻璃真空腔室的兼容性，提高了吸气剂的贮存寿命，具有安装方便、激活使用方便、吸气性能优良等特点。
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公开(公告)号：CN111140463B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201911155524.7
申请日：2019-11-22
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了属于真空技术领域的一种片状堆砌结构吸气剂泵。所述吸气剂泵包括吸气元件、陶瓷加热片、中心支撑杆、热屏蔽结构和底座；吸气元件包含吸气剂片与中心台阶垫片；吸气元件、陶瓷加热片通过圆孔交替堆砌在中心支撑杆上，通过中心台阶垫片厚度调整二者间隙；热屏蔽结构包括布设在堆砌体的顶、底和外层的热屏蔽层和镂空薄壳；底座为高真空CF法兰，通过可伐合金焊接电极。吸气元件上采用吸气剂片与中心台阶垫片配合的一体结构，有效避免吸气元件各部件摩擦而导致的掉粉问题。采用陶瓷加热片的面对面热辐射加热激活吸气剂，具有加热效率高、激活均匀的特点。本发明结构设计合理，具有安装便捷、使用安全，适用于各类真空系统的真空获得与无源维持。
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公开(公告)号：CN109518258A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811629584.3
申请日：2018-12-28
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C25D15/00
Abstract: 本发明公开了属于电真空元件制造技术领域的一种电真空用绝缘热丝的制备方法。本发明利用电泳沉积在热丝表面沉积绝缘层，烧结后制得电真空用绝缘热丝；电泳沉积中电泳液由混合氧化物和混合溶液混合得到，所述混合氧化物包括氧化铝、二氧化硅、氧化镁、氧化钙、氧化钇；所述混合溶液包括硝棉溶液、硝酸铈铵溶液、乙醇。本发明制备方法简单高效，制备的绝缘热丝表面平整、厚度均匀、绝缘性较高、绝缘层厚度易于调控，能满足内加热型吸气元件及阴极灯丝等真空器件的较高要求。
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公开(公告)号：CN114538457B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202011366680.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B35/02
Abstract: 本发明公开了一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法。该高纯四硼化硅粉末采用结晶度在40％‑60％之间的硼粉，选择硼粉和硅粉以3.2∶1‑4∶1的硼硅摩尔比例在气氛炉中高温反应合成，具体包括以下步骤：(1)将硅粉和硼粉按比例称重；(2)将硅粉和硼粉放入混料机中混合均匀；(3)将混合均匀的粉末装入刚玉坩埚中，并将坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1280‑1350℃，保温2‑3h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯四硼化硅粉末经XRD测定全部物相为SiB4相，且除Si和B外其他杂质含量小于1％。
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