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公开(公告)号：CN119371640A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411499146.5
申请日：2024-10-25
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用氰基活化邻近亚甲基中饱和碳氢键的策略制备一维聚合物的方法。在该制备方法中，选择金单晶基底作为衬底，通过分子束外延生长技术将具有乙腈基团的前驱体分子沉积到金单晶基底表面获得自组装样品，然后对上述自组装样品进行逐步退火处理诱发分子间的脱氢聚合反应，从而获得原子级精确的一维聚合物。该方法提出了一种全新高选择性的表面脱氢偶联反应，具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。
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公开(公告)号：CN117865076B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202410050469.X
申请日：2024-01-12
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种大面积二维碱金属硫族化合物网络的制备方法，属于纳米材料技术领域。在超高真空环境下，将硒粉末沉积到25～30℃的干净铜单晶基底表面；沉积结束后，将铜单晶基底和沉积到铜单晶基底表面上的硒粉末升温到生长温度，进行退火处理，然后降温至室温，得到退火载硒铜单晶基底；将钾单质蒸发并沉积到退火载硒铜单晶基底上，然后在室温下保持，得到大面积二维钾硒化合物网络。本发明利用硒粉末会与铜衬底发生化学反应形成化合物的策略，将硒粉末沉积到铜衬底表面，以获得在铜衬底上有铜硒化合物、硒原子的样品，对所述样品进行退火处理，再将钾单质沉积到样品表面，并将所述样品升温到室温，最终得到大面积二维钾硒化合物组成的网络结构的样品。
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公开(公告)号：CN118620204A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410466566.7
申请日：2024-04-18
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C08G73/06
Abstract: 本发明涉及一种一维氮杂环聚合链的制备方法，属于纳米材料技术领域。制备金单晶基底；前驱体分子蒸发并沉积在金单晶基底得到沉积在基底上的分子自组装结构，沉积过程控制基底上的分子和金单晶基底温度为25～30℃；将基底和沉积在基底上的前驱体分子进行第一次升温至生长温度保温处理，得到乌尔曼反应后的脱卤产物；进一步将得到的脱卤产物和基底进行第二次升温至生长温度保温处理得到氨基脱氢环化的一维氮杂环聚合链。本发明制备得到的一维氮杂环聚合链,长度可调，大于2nm。
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公开(公告)号：CN110699673B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910838892.5
申请日：2019-09-05
Applicant: 昆明理工大学 , 云天化集团有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种超高真空内气体电离装置，将气体传输到超高真空腔体内并用热电离的方式将气体分子电离。该装置由气体导管、电加热丝、绝缘片、螺杆、电源线、四通腔体、直线导入器组成。电加热丝固定在绝缘片上，绝缘片固定在螺杆上，螺杆与直线导入器相连接。通过直线导入器，可以使电加热丝沿螺杆方向自由移动，进而控制加热丝与目标样品的距离。电源线一端连接电加热丝，一端连接在法兰的电极接线柱上，外接直流源通过电极接线柱为加热丝供电。使用装置时，通过直线导入器移动电加热丝至气体导管口附近，接通电源加热电加热丝，电加热丝达到使用温度后，通过气体导管导入气体，气体分子被高温电加热丝热电离成原子或离子。
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公开(公告)号：CN109487217B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201811416155.8
申请日：2018-11-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种可以有效降温的分子蒸发装置，属于超高真空有机分子技术领域。该分子蒸发装置，包括金属挡片、陶瓷压片、内坩埚、限位陶瓷、电阻丝、外坩埚、冷却台、热偶线、四电极法兰、冷却管、旋转导入器、空管、CF16的法兰、铜螺栓、螺母和旋转导入器的长螺杆。本装置能有效加热沉积样品；本装置可实现有效的降温，并可以通液氮降温，经过测试可以降到‑90℃并可正常使用；本装置可以实现在通入液氮流量较为稳定的情况下，通过电阻丝加热，维持在设定的温度；本装置结构原理简单，部件容易更换、升级，易于修理；本装置成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110699673A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910838892.5
申请日：2019-09-05
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种超高真空内气体电离装置，将气体传输到超高真空腔体内并用热电离的方式将气体分子电离。该装置由气体导管、电加热丝、绝缘片、螺杆、电源线、四通腔体、直线导入器组成。电加热丝固定在绝缘片上，绝缘片固定在螺杆上，螺杆与直线导入器相连接。通过直线导入器，可以使电加热丝沿螺杆方向自由移动，进而控制加热丝与目标样品的距离。电源线一端连接电加热丝，一端连接在法兰的电极接线柱上，外接直流源通过电极接线柱为加热丝供电。使用装置时，通过直线导入器移动电加热丝至气体导管口附近，接通电源加热电加热丝，电加热丝达到使用温度后，通过气体导管导入气体，气体分子被高温电加热丝热电离成原子或离子。
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公开(公告)号：CN119553359A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411772595.2
申请日：2024-12-04
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种一维碲化银纳米线的制备方法，属于表面合成技术领域。本发明利用高覆盖度的碲粉末在银衬底表面产生应力的策略，通过分子束外延技术精确控制碲粉末在银衬底表面的沉积量，将上述样品升温到生长温度后保温一定时间，接着将所述样品冷却至室温，得到一维碲化银纳米线。
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公开(公告)号：CN119551664A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411772488.X
申请日：2024-12-04
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B32/184 , C01B19/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构及其制备方法，属于纳米材料技术领域。本发明利用四蒽前驱体在铜基底的催化作用下会发生分子间碳氢活化和分子内环化脱氢的策略，将四蒽前驱体分子沉积在铜表面，并在100℃‑400℃温度下保温30分钟得到一维的石墨烯纳米带。然后将硒粉末沉积在上述石墨烯纳米带和铜基底上，并在100℃‑400℃温度下保温30分钟，利用硒粉末与铜基底发生化学反应生成单层硒化铜半导体的策略，得到石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构。
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公开(公告)号：CN118405956A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410503133.4
申请日：2024-04-25
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种含芴单元双螺烯的制备方法及其一维聚合物的制备方法，属于表面合成技术领域。本发明利用具有DNA分子在金衬底的催化作用下会发生分子内环化脱氢的策略，将前驱体分子DNA沉积到金衬底表面，并在220℃温度下保温20‑40分钟，接着将所述样品冷却至室温，得到多种含芴双螺烯结构。并基于相同的合成策略，利用DBNA分子在金单晶基底合成含芴单元双螺烯一维聚合物。
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公开(公告)号：CN115094379A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210780336.9
申请日：2022-07-04
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种一维聚芴链及其制备方法。在该制备方法中，选择金属单晶作为衬底，通过分子束外延生长技术将前驱体分子二溴芴沉积到衬底表面获得样品，然后对上述样品进行逐步退火处理诱发分子间的脱溴和芳基偶联反应，可以获得原子级精确的一维聚芴链结构。该方法为制备纳米尺寸一维聚芴链提供了新的思路，具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。
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