公开(公告)号：CN103987832A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280061689.8

申请日：2012-11-21

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  宫谷克明

IPC: C11D7/26 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  C11D7/267 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供对于利用含有锰化合物的研磨剂研磨后的碳化硅单晶基板利用安全且简便的方法有效地清洗残留、附着于基板表面的锰成分的清洗剂。本发明涉及一种清洗剂，其用于对利用含有锰化合物的研磨剂研磨后的碳化硅单晶基板进行清洗，所述清洗剂中，含有抗坏血酸和异抗坏血酸中的至少一种，并且pH为6以下。

公开(公告)号：CN103459089A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280017990.9

申请日：2012-04-06

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田有衣 ,  吉田伊织 ,  竹宫聪

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/20 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种研磨剂，用于对研磨对象物的被研磨面进行研磨，其中，含有平均一次粒径为5～30nm的第一氧化硅微粒、平均一次粒径为40～125nm的第二氧化硅微粒以及水，且所述第一氧化硅微粒在所述第一氧化硅微粒和第二氧化硅微粒的合计量中所占的比例为0.7质量%以上且低于60质量%。

公开(公告)号：CN101346804A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680048728.5

申请日：2006-12-21

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  神谷广幸 ,  竹宫聪 ,  林笃 ,  中泽伯人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供在将铜用作配线用金属的半导体集成电路中实现高度平坦的表面的技术。本发明提供包含被中和的羧酸、氧化剂和水，所述羧酸的一部分为脂环族树脂酸(A)，pH值在7.5～12的范围内的研磨用组合物。所述脂环族树脂酸(A)较好是选自枞酸、枞酸的异构体、海松酸、海松酸的异构体及它们的衍生物的至少1种或者松香。此外，本发明提供使用该研磨用组合物研磨形成于具有配线用的沟的表面的铜膜的半导体集成电路表面的研磨方法，以及通过该研磨方法形成铜配线的半导体集成电路用铜配线。